本发明属于显示技术领域，具体涉及一种显示基板及其制备方法。
背景技术
有机电致发光二极管(organiclightemittingdiode，简称：oled)显示面板，凭借其低功耗、高色饱和度、广视角、薄厚度、能实现柔性化等优异性能，逐渐成为显示领域的主流，可以广泛应用于智能手机、平板电脑、电视等终端产品。
在oled显示面板中，其主要部分是oled基板，对于oled基板，在现有的制备工艺中，通常包括在基底上与显示区对应的位置形成薄膜晶体管等驱动元件，在绑定区形成信号线等结构，之后会在形成有薄膜晶体管等驱动元件和信号线等结构基底上形成平坦化层，而平坦化层仅覆盖在显示区，且平坦化层一般较厚(1.5～3.5um)，因此在显示区和绑定区就形成了平坦化层的段差。该段差会导致接下来步骤形成显示电极(也即oled器件的阳极)在光刻时，光刻胶的厚度不均一。如果曝光能量偏小以满足显示区需求，则绑定区平坦化层段差处光刻胶会残留，导致显示电极层在平坦化层段差附近显示电极材料的残留并将下层信号线短路，造成显示不良；如曝光量偏大来保证绑定区平坦化层段差处无显示电极材料残留，则在显示区会出现断线不良。
技术实现要素：
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种显示基板及其制备方法、显示装置。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种显示基板，包括显示区和绑定区；所述显示基板包括：基底，位于所述显示区，且设置在所述基底上的薄膜晶体管；位于所述绑定区，且设置在所述基底上的信号线；以及设置在所述薄膜晶体管和所述信号线背离所述基底一侧的平坦化层；其中，
所述平坦化层包括第一部分和第二部分；所述平坦化层的第一部分位于所述显示区，所述第二部分位于所述绑定区，且所述第二部分覆盖所述信号线；其中，所述第一部分的厚度大于所述第二部分的厚度。
优选的是，所述薄膜晶体管的源极和漏极与所述信号线同层设置且材料相同。
进一步优选的是，在所述平坦化层的第一部分与所述薄膜晶体管漏极对应的位置设置有过孔；在所述平坦化层的第一部分背离所述基底的一侧设置有显示电极；所述显示电极通过所述过孔与所述漏极连接。
进一步优选的是，所述显示基板还包括位于显示区，且设置在所述显示电极背离所述基底一侧的像素限定层，以及设置在所述像素限定层背离所述基底一侧的隔垫物。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种显示基板的制备方法，所述显示基板显示区和绑定区；所述制备方法包括：
在基底上形成位于显示区的薄膜晶体管的各层结构，以及位于绑定区的信号线；
通过构图工艺，在所述薄膜晶体管和所述信号线背离所述基底一侧形成平坦化层的第一部分和第二部分；其中，所述平坦化层的第一部分位于所述显示区，所述第二部分位于所述绑定区，且所述第二部分覆盖所述信号线；所述第一部分的厚度大于所述第二部分的厚度。
优选的是，所述通过构图工艺，在所述薄膜晶体管和所述信号线背离所述基底一侧形成平坦化层的第一部分和第二部分步骤包括：
形成在所述薄膜晶体管和所述信号线背离所述基底一侧形成平坦化材料层；
采用不同精度的掩膜版对所述平坦化材料层进行曝光，以形成平坦化层的第一部分和第二部分。
优选的是，所述薄膜晶体管源极和漏极与所述信号线采用一次构图工艺制备。
优选的是，在所述平坦化层的第一部分与所述薄膜晶体管漏极对应的位置形成有过孔；所述制备方法还包括：
在所述平坦化层的第一部分背离所述基底的一侧形成显示电极；所述显示电极通过所述过孔与所述漏极连接。
进一步优选的是，所述制备方法还包括：
在所述显示电极背离所述基底一侧的形成像素限定层，以及在所述像素限定层背离所述基底的一侧形成隔垫物。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种显示装置，包括上述的显示基板。
本发明具有如下有益效果：
在本发明的显示基板中，由于位于绑定区的信号线上覆盖有平坦化层的第二部分结构，也就是说，信号线上方覆盖有绝缘材料，因此，在平坦化层上形成显示电极时，即使显示电极的材料会由于第一部分和第二部分之间的存在段差，造成在信号线上方残留时，平坦化层的第二部分也可以将信号线与显示电极材料绝缘隔开，有效的解决了显示电极材料将信号线短接的问题，提高了显示基板的良率。
附图说明
图1为本发明的实施例1的显示基板的结构示意图；
图2为本发明的实施例1的显示基板的具体结构示意图；
图3为本发明的实施例2的显示基板的制备方法的流程图；
图4为本发明的实施例2的显示基板的制备方法的工艺流程图。
其中附图标记为：1、基底；2、薄膜晶体管；21、有源层；22、栅极；23、源极；24、漏极；3、栅极绝缘层；4、层间绝缘层；5、信号线；6、平坦化层；61、第一部分；62、第二部分；63、过孔；7、显示电极；8、像素限定层；81、容纳部；9、隔垫物；q1、显示区；q2、绑定区。
具体实施方式
为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细描述。
实施例1：
结合图1所示，本实施例提供一种显示基板，其具有显示区q1和绑定区q2，该显示基板具体包括：基底1，位于显示区q1，且设置在基底1上的薄膜晶体管2；位于绑定区q2，且设置在基底1上的信号线5；以及设置在薄膜晶体管2和信号线5背离基底1一侧的平坦化层6；其中，平坦化层6包括第一部分61和第二部分62；平坦化层6的第一部分61位于显示区q1，第二部分62位于绑定区q2，且第二部分62覆盖信号线5；其中，第一部分61的厚度大于第二部分62的厚度(此时，第一部分61和第二部分62之间的存在段差)。
在本实施例的显示基板中，由于位于绑定区q2的信号线5上覆盖有平坦化层6的第二部分62结构，也就是说，信号线5上方覆盖有绝缘材料，因此，在平坦化层6上形成显示电极7时，即使显示电极7的材料会由于第一部分61和第二部分62之间的存在段差，造成在信号线5上方残留时，平坦化层6的第二部分62也可以将信号线5与显示电极7材料绝缘隔开，有效的解决了显示电极7材料将信号线5短接的问题，提高了显示基板的良率。
在此需要说明的是，在本实施例中之所以平坦化层6的第一部分61比第二部分62厚，是因为第二部分62位于绑定区q2，在之后需要将信号线5连接焊盘与芯片上的焊盘进行绑定。
其中，在本实施例的显示基板中，薄膜晶体管2可以选用顶栅型薄膜晶体管2，也可以选用底栅型薄膜晶体管2；在本实施例中以底栅型薄膜晶体管2为例，薄膜晶体管2具体包括依次设置在基底1上有源层21、栅极绝缘层3、栅极22、层间绝缘层4、源极23和漏极24；源极23和漏极24分别通过贯穿栅极绝缘层3和层间绝缘层4的源极接触过孔和漏极接触过孔与有源层21连接。特别的是，在本实施例中信号线5和源极23、漏极24同层设置且材料相同。这样一来，在制备时，可以将信号线5和源极23、漏极24在一次工艺中制备。
其中，本实施例的显示基板可以是oled基板，也可以是液晶面板用的阵列基板。在本实施例中以显示基板为oled基板为例进行说明。本实施例中的显示基板不仅包括上述的结构，如图2所示，在平坦化层6的第一部分61与薄膜晶体管2漏极24对应的位置设置有过孔63；在平坦化层6的第一部分61背离基底1的一侧还设置有显示电极7(也即oled器件的阳极)；该显示电极7通过所述过孔63与所述漏极24连接；当然，由于平坦化层6的第一部分61和第二部分62的厚度不同，因此，在平坦化层6的第二部分62上方有可能有残留的显示电极7材料。该oled基板还包括位于显示区q1，且设置在所述显示电极7背离所述基底1一侧的像素限定层8，以及设置在所述像素限定层8背离所述基底1一侧的隔垫物9。其中，对于像素限定层8需要说明的是，在像素限定层8的容纳部81位置裸露显示电极7，在容纳部81中还设置发光层和oled器件的阴极。
实施例2：
结合图3和4所示，本实施例提供一种显示基板的制备方法，该制备方法能够制备实施例1中显示基板，具体包括如下步骤：
步骤一、在基底1上形成位于显示区q1的薄膜晶体管2的各层结构，以及位于绑定区q2的信号线5。
其中，薄膜晶体管2可以选用顶栅型薄膜晶体管2，也可以选用底栅型薄膜晶体管2；在本实施例中以底栅型薄膜晶体管2，信号线5与薄膜晶体管2的源极23和漏极24同层为例对步骤一进行具体说明。
首先，在基底1上形成半导体材料层，进行脱氢和准分子激光退火后，通过构图工艺形成薄膜晶体管2的有源层21的图形；之后，在有源层21上方依次形成栅极绝缘层3、栅极22，接下来对有源层21的源极接触区和漏极接触区进行离子注入后沉积层间绝缘层4，最后，通过一次构图工艺形成源极23、漏极24和信号线5；源极23和漏极24分别通过贯穿栅极绝缘层3和层间绝缘层4的源极接触过孔和漏极接触过孔与有源层21连接。
步骤二、通过构图工艺，在薄膜晶体管2和信号线5背离基底1一侧形成平坦化层6的第一部分61和第二部分62，且在第一部分61与薄膜晶体管2漏极24对应的位置设置过孔63；其中，平坦化层6的第一部分61位于显示区q1，第二部分62位于所述绑定区q2，且第二部分62覆盖信号线5；所述第一部分61的厚度大于所述第二部分62的厚度。
该步骤具体可以包括：首先，形成在薄膜晶体管2和信号线5背离基底1一侧形成平坦化材料层；之后，采用不同精度的掩膜版对平坦化材料层进行曝光，以形成平坦化层6的第一部分61和第二部分62，且在第一部分61与薄膜晶体管2漏极24对应的位置设置过孔63。其中，不同精度的掩膜版包括但不限于灰阶掩膜版、半曝光掩膜版。
步骤三、在平坦化层6的第一部分61背离基底1的一侧形成显示电极7；显示电极7通过过孔63与薄膜晶体管2的漏极24连接。该显示电极7可以是oled器件的阳极。
步骤四、在显示电极7背离基底1一侧的形成像素限定层8，以及在像素限定层8背离所述基底1的一侧形成隔垫物9。
其中，对于像素限定层8需要说明的是，在像素限定层8的容纳部81位置裸露显示电极7，在容纳部81中还设置发光层和oled器件的阴极。
在此需要说明的是，本实施例中的显示基板也可以是液晶面板用阵列基板，其中显示电极7为像素电极。
在本实施例的显示基板的制备方法中，由于位于绑定区q2的信号线5上覆盖有平坦化层6的第二部分62结构，也就是说，信号线5上方覆盖有绝缘材料，因此，在平坦化层6上形成显示电极7时，即使显示电极7的材料会由于第一部分61和第二部分62之间的存在段差，造成在信号线5上方残留时，平坦化层6的第二部分62也可以将信号线5与显示电极7材料绝缘隔开，有效的解决了显示电极7材料将信号线5短接的问题，提高了显示基板的良率。
实施例3：
本实施例提供一种显示装置，包括实施例1中所提供的显示基板。
由于本实施例中的显示装置包括实施例1中的显示基板，故其良率更高。
其中，显示装置可以为oled显示装置也可以液晶显示装置，例如电子纸、oled面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。