发光二极管电极扩展条结构的成型工艺的制作方法

本发明属于发光二极管技术领域，特别是涉及一种发光二极管电极扩展条结构的成型工艺。

背景技术：

发光二极管(英文为LED，缩写为Light Emitting Diode)由于具有寿命长、耗能低等优点，应用于各种领域，尤其随着其照明性能指标日益大幅提升，LED的应用越来越广泛，例如用于光学显示装置、交通标志、数据储存装置、通信装置及照明装置等。

目前的LED Pad和采用的工艺如图1至图3，其具体的结构包括：导电基板200、键合层210、反射镜220、P型批覆层230、异质结240、N型批覆层260、N-GaAs320、负极310、finger320。原工艺结构金属电极下为电流扩展层n-GaAs，电极材料为Au/AuGeNi/Au,Au和Ge作为掺杂扩散到半导体材料中，形成欧姆接触，但是目前结构的电流扩展效果并不明显，且高掺层存在一定程度的遮光。

技术实现要素：

本发明的目的在于：提出一种发光二极管电极扩展条结构的成型工艺；该发光二极管电极扩展条结构的成型工艺能够解决由于欧姆接触效果不佳导致的电流扩展不畅问题，进而减少高掺的电流扩展层的吸光效果。

为了达到上述目的，本发明的技术方案为：

一种发光二极管电极扩展条结构的成型工艺，包括以下步骤：

步骤一：用电感耦合等离子体(ICP)离子束轰击n-GaAs表面或开黄光或湿法腐蚀，打出窗口面n-GaAs窗口；

步骤二：用化学气相沉积沉积金属电极(PadCVD沉积)；

步骤三：取电极(Pad)光罩板，采用SUSS机台上胶，其中：光胶的型号为L300，采用软烤100℃，时长为5min；

步骤四：电极光罩曝光7s；

步骤五：曝后烤100℃，时长为20min；

步骤六：电极光罩显影；

步骤七：Plasma(等离子体)打氧机，打氧时长为20min；

步骤八：电极蒸镀，以Au/AuGeNi/Au/Pt/Au进行物理蒸镀，厚度范围是2.232um～2.728um，上述Au/AuGeNi/Au/Pt/Au的结构为：第一层是Au，第二层是AuGeNi(金锗镍合金)，第三层为Au，第四层为Pt，第五层为Au；

步骤九：对金属电极进行剥离，剥离表面金属，形成金属电极图案，在玻璃容器中添加ACE(丙酮)，片源放置于卡塞中，待整体没过片源后，对片源进行震荡处理；

步骤十：对震荡后的片源进行去胶处理，

步骤十一：去除掩膜。

进一步，所述步骤十具体为：

使用S6000(去胶液)，使用两道去胶方法进行去胶，每道时长为12min；去胶后，去除表面残胶，把片源浸入到丙酮中，两道各6min；清洗完成后浸入到去离子水中10min，清洗表面的杂质，再进行2min IPA(异丙醇)清洗，起到沥水的作用，而后放入氮气吹干；。

进一步，所述步骤十一具体为：

浸入BOE(氢氟酸和氟化铵的混合液)溶液中3min，该溶液中的氢氟酸含量为4.4％～4.7％，氟化铵含量为35.5％～37.5％；随后进行去离子水清洗片源表面，IPA(异丙醇)沥水，烤干。

本发明具有的优点和积极效果为：

本发明通过增加欧姆接触的面积，使电流扩展的更好

本发明减少了n-GaAs掺杂层的面积，减少了其对光的吸收，使亮度提升。

本发明提升了光子的利用率，其中当b≥0，当光线入射到面积b的电极上时，则会反射回来，一部分光子能量将再次进入量子阱做二次激发，提升了出光效率。

附图说明

图1是电极俯视图；

图2是原工艺图；

图3是原芯片结果图；

图4是本发明优选实施例中新工艺图。

具体实施方式

为能进一步了解本发明的发明内容、特点及功效，兹例举以下实施例，详细说明如下：

请参阅图4，一种发光二极管电极扩展条结构的成型工艺，包括以下步骤：

步骤一：用ICP离子束轰击n-GaAs表面或开黄光或湿法腐蚀，打出窗口面n-GaAs窗口；

步骤二：Pad CVD沉积；

步骤三：取Pad光罩板，采用SUSS机台上胶，光胶型号：L300，采用软烤100℃，时长为5min；

步骤四：Pad光罩曝光时长为7s；

步骤五：曝后烤100℃，时长为20min；

步骤六：Pad光罩显影；

步骤七：Plasma打氧机，打氧时长为20min；

步骤八：Pad蒸镀，以Au/AuGeNi/Au/Pt/Au进行物理蒸镀，厚度在2.480um±0.248um，蒸镀后确认微观表面是否出现undercut，确认后进行下一步；

步骤九：对Pad进行lift-off剥离。在玻璃容器中添加ACE，片源放置于卡塞中，待整体没过片源后，对片源进行震荡处理，以使片源表面的光胶和片源进行初步分离，排除后期有残胶的可能。

步骤十：对震荡后的片源进行去胶处理，可使用S6000，由于S6000去胶为剥离方式的去胶，为避免残胶，可使用两道去胶方法进行去胶，每道12min。去胶后，去除表面残胶，把片源浸入到丙酮中，两道各6min。清洗完成后浸入到去离子水中10min，清洗表面的杂质，再进行2min IPA清洗，起到沥水的作用，而后放入氮气吹干。

步骤十一：去除掩膜，浸入BOE溶液中，(氢氟酸含量约4.4％～4.7％，氟化铵含量约35.5％～37.5％)3min，后进行去离子水清洗片源表面，IPA沥水，烤干。

请参阅图4，a：n-GaAs蚀刻的深度1；b：蚀刻的宽度；c：蚀刻深度2；e：相邻蚀刻图形的距离。

以上对本发明的实施例进行了详细说明，但所述内容仅为本发明的较佳实施例，不能被认为用于限定本发明的实施范围。凡依本发明申请范围所作的均等变化与改进等，均应仍归属于本发明的专利涵盖范围之内。