具有低正向压降高电压的二极管整流芯片及其制造方法与流程

本发明属于功率半导体器件领域，具体地，涉及一种具有低正向压降高电压的二极管整流芯片及其制造方法。

背景技术：

随着电器元件的微小型化发展，产品应用对芯片的能力要求越来越高，在芯片封装中高压产品要求芯片反向电压提高，但是芯片的正向压降降低，目前常规芯片制造工艺已无法满足高压产品应用需求，所以需通过芯片流程设计及参数改进，提升产品应用能力。

技术实现要素：

本发明的目的在于提供一种具有低正向压降高电压的二极管整流芯片及其制造方法，以克服现有技术的不足之处。

本发明的目的可以通过以下技术方案实现：

具有低正向压降高电压的二极管整流芯片，所述二极管整流芯片的结构为gabp+nn+型，包括依次设置的gabp+层、n层和n+层，gabp+层的上表面镀有金属层，gabp+层和n层的两侧蚀刻有“u”型沟槽，“u”型沟槽的表面烧结有玻璃层；

所述二极管整流芯片由如下步骤制造而成：

步骤s1、晶片表面清洗：先用去离子水冲洗1遍，再用甲醇/丙酮清洗2-3遍，再用去离子水冲洗2-3遍，去除晶片表面的杂质、油脂脏物，烘干；

步骤s2、磷扩：采用pocl3液态源进行磷预淀积扩散，然后进行磷再扩散推结，在晶片表面形成n+层；

步骤s3、减薄：通过减薄机将晶片一面磷扩区域减除，将磷结全部去除；

步骤s4、镓硼扩：在去除磷扩的面涂镓硼液态源，将晶片推入扩散炉管进行镓硼扩，形成gabp+层；

步骤s5、匀胶：在晶片表面涂盖一层厚度均匀的光刻胶，并经过烘箱烘烤使光刻胶牢固粘附在晶片表面；

步骤s6、腐蚀开沟：曝光后将晶片经过低温混酸条件下腐蚀，形成“u”型沟槽；

步骤s7、rca清洗：使用硫酸将晶片表面光刻胶去除干净，并对晶片进行rca清洗，清除晶片表面以及沟槽的杂质；

步骤s8、sipos膜及钝化层的生成：通过lpcvd晶片表面生成一层半绝缘多晶硅膜，然后将玻璃粉填充至沟槽内部，通过玻璃烧结炉将玻璃粉熔化成致密的玻璃钝化层，形成玻璃层；

步骤s9、lto：在390-410℃，晶片表面低温氧化生成一层二氧化硅膜；

步骤s10、去氧化膜：涂盖一层光刻胶，经过曝光、显影，随后浸泡低温混酸，去除晶片表面部分二氧化硅膜及半绝缘多晶硅膜；

步骤s11、镀镍金：将晶片在表面镀镍和镀金，形成金属层，并将已镀镍金的晶片进行100％测试，确保每颗芯片都符合电性标准。

具有低正向压降高电压的二极管整流芯片的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤s1、晶片表面清洗：先用去离子水冲洗1遍，再用甲醇/丙酮清洗2-3遍，再用去离子水冲洗2-3遍，去除晶片表面的杂质、油脂脏物，烘干；

步骤s2、磷扩：采用pocl3液态源进行磷预淀积扩散，然后进行磷再扩散推结，在晶片表面形成n+层；

步骤s3、减薄：通过减薄机将晶片一面磷扩区域减除，将磷结全部去除；

步骤s4、镓硼扩：在去除磷扩的面涂镓硼液态源，将晶片推入扩散炉管进行镓硼扩，形成gabp+层；

步骤s5、匀胶：在晶片表面涂盖一层厚度均匀的光刻胶，并经过烘箱烘烤使光刻胶牢固粘附在晶片表面；

步骤s6、腐蚀开沟：曝光后将晶片经过低温混酸条件下腐蚀，形成“u”型沟槽；

步骤s7、rca清洗：使用硫酸将晶片表面光刻胶去除干净，并对晶片进行rca清洗，清除晶片表面以及沟槽的杂质；

步骤s8、sipos膜及钝化层的生成：通过lpcvd晶片表面生成一层半绝缘多晶硅膜，然后将玻璃粉填充至沟槽内部，通过玻璃烧结炉将玻璃粉熔化成致密的玻璃钝化层，形成玻璃层；

步骤s9、lto：在390-410℃，晶片表面低温氧化生成一层二氧化硅膜；

步骤s10、去氧化膜：涂盖一层光刻胶，经过曝光、显影，随后浸泡低温混酸，去除晶片表面部分二氧化硅膜及半绝缘多晶硅膜；

步骤s11、镀镍金：将晶片在表面镀镍和镀金，形成金属层，并将已镀镍金的晶片进行100％测试，确保每颗芯片都符合电性标准。

进一步地，步骤s2中所述预淀积扩散温度为1050±10℃,时间为10.5-11.5h。

进一步地，其特征在于，步骤s2中所述推结的温度为1250±5℃、时间为60±10h，n2流量为6l/min，o2流量为2l/min。

进一步地，步骤s5中所述烘烤温度为125-140℃，烘烤1.5-2h。

进一步地，步骤s6中所述腐蚀的深度控制90-130um。

进一步地，步骤s6和步骤步骤s10中所述低温混酸条件为15-20℃，hf：hcl：h2o＝1:1.9-2.2:3000-3500。

本发明的有益效果：

本发明通过对扩散工艺的改进，使芯片不但正向压降低，而且电压大大提高，提升了芯片的品质。

附图说明

为了便于本领域技术人员理解，下面结合附图对本发明作进一步的说明。

图1为本发明的一种具有低正向压降高电压的二极管整流芯片的结构示意图；

图2为本发明的晶片磷扩后的结构示意图；

图3为本发明的晶片镓硼扩后的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合实施例对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。

一种具有低正向压降高电压的二极管整流芯片，其结构为gabp+nn+型，如图1所示，包括依次设置的gabp+层3、n层2和n+层1，gabp+层3的上表面镀有金属层4，gabp+层3和n层2的两侧蚀刻有“u”型沟槽6，“u”型沟槽6的表面烧结有玻璃层5；

所述芯片的制造方法，包括如下步骤：

步骤s1、晶片表面清洗：先用去离子水冲洗1遍，再用甲醇/丙酮清洗2-3遍，再用去离子水冲洗2-3遍，去除晶片表面的杂质、油脂等脏物，烘干；

步骤s2、磷扩：采用pocl3液态源进行磷预淀积扩散，预淀积温度为1050±10℃,时间为10.5-11.5h，然后进行磷再扩散推结，温度1250±5℃、时间60±10h，n2流量为6l/min，o2流量为2l/min，在晶片表面形成n+层1；

磷扩后的晶片的结构如图2所示，n层2的上、下表面均磷扩有n+层1；

步骤s3、减薄：通过减薄机将晶片一面磷扩区域减除，将磷结全部去除；

步骤s4、镓硼扩：在去除磷扩的面涂镓硼液态源，将晶片推入扩散炉管进行镓硼扩，形成gabp+层3；

镓硼扩后晶片的结构如图3所示，n层2一表面的磷扩区n+层1去除，镓硼扩有gabp+层3；

步骤s5、匀胶：在晶片表面涂盖一层厚度均匀的光刻胶，并经过烘箱烘烤使光刻胶牢固粘附在晶片表面，烘烤温度为125-140℃，烘烤1.5-2h；

步骤s6、腐蚀开沟：曝光后将晶片经过低温混酸条件下腐蚀，腐蚀深度控制90-130um，形成“u”型沟槽6；

其中，低温混酸条件为15-20℃，hf：hcl：h2o＝1:1.9-2.2:3000-3500；

步骤s7、rca清洗：使用硫酸将晶片表面光刻胶去除干净，并对晶片进行rca清洗，清除晶片表面以及沟槽的杂质；

步骤s8、sipos膜及钝化层的生成：通过lpcvd晶片表面生成一层半绝缘多晶硅(sipos)膜，然后将玻璃粉填充至沟槽内部，通过玻璃烧结炉将玻璃粉熔化成致密的玻璃钝化层，形成玻璃层5；

步骤s9、低温氧化(lto)：在390-410℃，晶片表面低温氧化生成一层二氧化硅膜；

步骤s10、去氧化膜：涂盖一层光刻胶，经过曝光、显影，随后浸泡低温混酸，去除晶片表面部分二氧化硅膜及半绝缘多晶硅膜；

步骤s11、镀镍金：将晶片在表面镀镍和镀金，形成金属层4，并将已镀镍金的晶片进行100％测试，确保每颗芯片都符合电性标准。

制造得到的芯片的参数如下：雪崩击穿电压vbo≥1600v；正向电压vf(if＝12.5a)≤0.9v。

以上公开的本发明优选实施例只是用于帮助阐述本发明。优选实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该发明仅为所述的具体实施方式。显然，根据本说明书的内容，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本发明的原理和实际应用，从而使所属技术领域技术人员能很好地理解和利用本发明。本发明仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。