技术特征：
技术总结
提供适于在为了得到带有芯片接合薄膜的半导体芯片而使用切割芯片接合薄膜进行的扩展工序中实现良好的割断并抑制飞散的芯片接合薄膜、切割芯片接合薄膜以及半导体装置制造方法。本发明的芯片接合薄膜(10)的、对于宽度10mm的芯片接合薄膜试验片在初始卡盘间距10mm、23℃及拉伸速度300mm/分钟的条件下进行的拉伸试验中的屈服强度为15N以下，断裂强度为15N以下，且断裂伸长率为40～400％。
技术研发人员：宍户雄一郎;高本尚英;大西谦司;木村雄大;福井章洋;大和道子
受保护的技术使用者：日东电工株式会社
技术研发日：2018.07.27
技术公布日：2019.02.05