技术特征：
技术总结
无需光刻步骤的肖特基芯片制造方法及肖特基芯片，属于半导体制造技术领域。其特征在于：包括如下步骤：步骤a，形成外延层（5）；步骤b，形成耐压环沟槽（2）；步骤c，进行热氧化；步骤d，填充绝缘材料（1）；步骤e，将外延层（5）表面的绝缘材料（1）去除；步骤f，形成肖特基界面（3）；步骤g，去除绝缘材料（1）表面的肖特基界面（3）；步骤h，根据切割线（9）对肖特基芯片进形切割。在本无需光刻步骤的肖特基芯片制造方法及肖特基芯片，省略了肖特基芯片制造过程中的光刻步骤，大大减少了工艺复杂程度和成本，同时提高了肖特基芯片的耐压性能。
技术研发人员：薛涛;关仕汉
受保护的技术使用者：淄博汉林半导体有限公司
技术研发日：2018.08.03
技术公布日：2018.11.06