技术特征：
技术总结
提供了半导体存储器件。一种半导体存储器件包括在第一沟槽中的隔离层和在隔离层上的第一栅电极部分。该半导体存储器件包括在第二沟槽中的第二栅电极部分。在一些实施方式中，第二栅电极部分在一方向上比第一栅电极部分宽。而且，在一些实施方式中，第二沟槽的上部区域比第二沟槽的下部区域在所述方向上与第一沟槽间隔开更大的距离。还提供了形成半导体存储器件的相关方法。
技术研发人员：金熙中;赵珉熙;金奉秀;金俊秀;山田悟;李元锡;黄有商
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：2018.08.09
技术公布日：2019.02.26