技术特征：
技术总结
本发明公开了一种发光二极管的外延片及其制备方法，属于发光二极管制造领域。N型GaN层与有源层之间设置有材料为掺杂Si的AlGaN层的电流扩展层。该电流扩展层中的Al组分沿电流扩展层的生长方向逐渐增加，电流扩展层的势垒逐渐升高，对进入有源层的电子起到一定的阻挡作用的同时，也便于电子进入电流扩展层，电流扩展层的势垒不会过高，起到有效扩展电流的同时而也不会影响进入有源层与空穴进行复合的电子数量。与之结合的电流扩展层中Si元素的掺杂浓度沿电流扩展层的生长方向逐渐增加，保证电流得到有效扩展的同时，同时增加电流扩展层在靠近有源层的一侧的电子数量，可提高发光二极管的发光效率。
技术研发人员：程丁;韦春余;周飚;胡加辉
受保护的技术使用者：华灿光电（浙江）有限公司
技术研发日：2018.08.27
技术公布日：2019.02.19