技术特征：
技术总结
本发明公开了一种集成电路制造工艺的返工方法，包括步骤：步骤一、在半导体衬底上形成光刻胶，进行第一次光刻工艺；步骤二、进行显影后检测，在显影后检测超范围时进行如下返工步骤：步骤21、采用空白光罩对光刻胶进行全面的第二次曝光；步骤22、进行第二次显影将光刻胶进行第一次去除；步骤23、采用光刻胶减量工艺溶解对光刻胶进行第二次去除。本发明能增加光刻胶的去除率，能防止光刻胶残留，能消除光刻胶残留对后续湿法刻蚀机台产生污染。
技术研发人员：余寅生;王志宏;赵弘文
受保护的技术使用者：上海华力集成电路制造有限公司
技术研发日：2018.08.29
技术公布日：2019.02.05