1.一种半导体激光器窄脊条结构的制作方法，其特征在于，包括：
a)在衬底(1)上进行外延生长半导体外延结构(2)形成半导体激光器外延片；
b)在半导体外延结构(2)上旋涂第一光刻胶层(3)，在第一光刻胶层(3)上光刻形成周期性的第一窗口，对第一窗口部位显影后进行坚膜和烘烤，形成可剥胶层(301)；
c)在半导体外延结构(2)及可剥胶层(301)上覆盖生长硬质掩膜层(4)；
d)在硬质掩膜层(4)上旋涂第二光刻胶层(5)，利用光刻版在硬质掩膜层(4)上光刻得到与所需脊条尺寸相适应的光刻胶掩膜图形，硬质掩膜层(4)上方两侧形成肩上光刻胶层(501)，硬质掩膜层(4)上方中间部位形成脊上光刻胶层(502)，脊上光刻胶层(502)与两侧的肩上光刻胶层(501)之间形成刻蚀槽，对肩上光刻胶层(501)和脊上光刻胶层(502)进行坚膜和烘烤；
e)以肩上光刻胶层(501)和脊上光刻胶层(502)作为掩膜，通过icp干法刻蚀沿刻蚀槽向下刻蚀硬质掩膜层(4)，刻蚀深度直至半导体外延结构(2)的上表面，位于脊上光刻胶层(502)下端的硬质掩膜层(4)刻蚀形成可剥胶保护层(401)；
f)利用icp干法刻蚀去除刻蚀槽中位于可剥胶保护层(401)两侧的可剥胶层(301)，利用icp刻蚀去除肩上光刻胶层(501)和脊上光刻胶层(502)；
g)以可剥胶保护层(401)及其两侧的硬质掩膜层(4)作为掩膜，使用icp干法刻蚀沿刻蚀槽向下刻蚀半导体外延结构(2)，刻蚀深度直至半导体外延结构(2)中的p-波导层(6)的上表面，可剥胶层(301)下方的半导体外延结构(2)刻蚀形成脊条(7)；
h)利用可剥胶保护层(401)及其两侧的硬质掩膜层(4)的掩蔽，利用icp产生的等离子体使可剥胶层(301)两个侧壁与氧等离子体反应，可剥胶层(301)宽度变窄；
i)使用腐蚀液去除可剥胶保护层(401)及其两侧的硬质掩膜层(4)，将裸露的可剥胶层(301)进行坚膜和烘烤；
j)在半导体外延结构(2)及可剥胶层(301)表面生长电流阻挡层(8)；
k)剥离脊条(7)上的可剥胶层(301)，在电流阻挡层(8)上形成电流注入窗口(9)。
2.根据权利要求1所述的半导体激光器窄脊条结构的制作方法，其特征在于：步骤c)中的硬质掩膜层(4)由sio2或sinx材料制成，其厚度为2000-4000埃，步骤j)中电流阻挡层(8)由sio2或sinx材料制成，其厚度为800-2000埃。
3.根据权利要求1所述的半导体激光器窄脊条结构的制作方法，其特征在于：步骤b)中第一光刻胶层(3)选用负性光刻胶，其厚度为0.8-2μm。
4.根据权利要求1所述的半导体激光器窄脊条结构的制作方法，其特征在于：步骤d)中第二光刻胶层(5)选用正性光刻胶，其厚度为1.5-3μm。
5.根据权利要求1所述的半导体激光器窄脊条结构的制作方法，其特征在于：步骤e)中icp刻蚀时的刻蚀气体为cf4或sf6。
6.根据权利要求1所述的半导体激光器窄脊条结构的制作方法，其特征在于：步骤f)及步骤h)中的刻蚀气体为o2。
7.根据权利要求1所述的半导体激光器窄脊条结构的制作方法，其特征在于：步骤g)中的icp刻蚀时的气体为cl2、bcl3、ccl4、ar、n2、h2中的一种或多种。
8.根据权利要求1所述的半导体激光器窄脊条结构的制作方法，其特征在于：步骤i)中的腐蚀液为含hf酸的溶液。
9.根据权利要求1所述的半导体激光器窄脊条结构的制作方法，其特征在于：步骤c)中的硬质掩膜层(4)及步骤j)中电流阻挡层(8)使用pvd或pecvd设备生长，生长温度为50-100℃。
10.根据权利要求1所述的半导体激光器窄脊条结构的制作方法，其特征在于：可剥胶层(301)的宽度小于可剥胶保护层(401)与两个刻蚀槽的宽度之和。