技术总结
一种半导体激光器窄脊条结构的制作方法，通过使用第二光刻胶层和硬质掩膜层作为刻蚀掩膜利用ICP干法刻蚀技术，制备出宽度小于2μm的垂直窄脊条。利用硬质掩膜层在上，第一光刻胶层在下的掩膜结构在保证足够刻蚀选择比的同时保护光刻胶免受离子轰击，维持光刻胶强度，为制作电流注入窗口提供可能。利用ICP产生的等离子体使可剥胶层两个侧壁与氧等离子体反应，可剥胶层宽度变窄，实现了在窄脊条上做出更窄的电流注入窗口的目的。
技术研发人员：任夫洋;苏建;陈康;徐现刚
受保护的技术使用者：山东华光光电子股份有限公司
技术研发日：2018.08.31
技术公布日：2020.03.10