技术特征：
技术总结
本发明提供了一种p‑n型碲化铅/聚吡咯双层热电薄膜材料及其制备方法，采用水热法结合气相法制备p‑n型碲化铅/聚吡咯双层热电薄膜，碲化铅层薄膜的厚度为20nm‑300nm，所述的聚吡咯薄膜的厚度20nm‑300nm。该方法制备的碲化铅/聚吡咯双层热电薄膜材料具有良好的热电性能，可用于便携式的无线传感器供电，集成电路芯片的制冷，发光二极管和光探测器的制冷等领域，具有简单易行、成本低、方便快速等优点，可规模化生产。
技术研发人员：刘少辉;王娇;丁俊;郝好山;赵利敏;夏思怡
受保护的技术使用者：河南工程学院
技术研发日：2018.09.05
技术公布日：2019.01.08