技术特征：
技术总结
本发明提供一种瞬态电压抑制器，其包括衬底、间隔形成在衬底的上表面并延伸至衬底内的多个沟槽区，每个沟槽区包括间隔排列的一个第一沟槽及一个第二沟槽，第一沟槽内填充有第一多晶硅层，第二沟槽内填充有第二多晶硅层，形成在衬底的上表面并覆盖沟槽区的第三多晶硅层，形成在第三多晶硅层的上表面的第一金属层，间隔形成在衬底的下表面并延伸至衬底内的多个第一注入区，多个第一注入区与多个沟槽区一一对应设置，形成在多个第一注入区之间的第二导电类型的多个第二注入区，形成在衬底的下表面并覆盖第一注入区及第二注入区的下表面的第二金属层。本发明还提供瞬态电压抑制器的制备方法，提高了瞬态电压抑制器的防浪涌能力和工作功率。
技术研发人员：不公告发明人
受保护的技术使用者：深圳市心版图科技有限公司
技术研发日：2018.09.19
技术公布日：2019.01.18