显示面板及其制作方法与流程

本申请涉及显示领域，特别涉及一种显示面板及其制作方法。

背景技术：

在平板显示技术中，有机发光二极管(organiclight-emittingdiode，oled)显示器具有轻薄、主动发光、响应速度快、可视角大、色域宽、亮度高和功耗低等众多优点，逐渐成为继液晶显示器后的第三代显示技术。

随着显示面板的发展，现有显示面板中的存储电容无法满足高解析度显示面板的需求，降低了显示面板的显示效果。

因此，目前亟需一种显示面板以解决上述问题。

技术实现要素：

本申请提供一种显示面板及其制作方法，以解决现有显示面板存储电容较低的技术问题。

为解决上述问题，本申请提供的技术方案如下：

本申请提供了一种显示面板，包括阵列基板，其中，所述阵列基板包括基板、及位于所述基板上的薄膜晶体管单元和存储电容；

所述存储电容包括位于所述基板上的第一电极、位于所述第一电极上的第一绝缘层、位于所述第一绝缘层上的第二电极、位于所述第二电极上的第二绝缘层、及位于所述第二绝缘层上的第三电极；

其中，所述第二电极在所述第二绝缘层上的正投影位于所述第二绝缘层上。

在本申请的显示面板中，所述第二电极在所述基板上的正投影面积，与所述第二绝缘层在所述基板上的正投影面积相等；或

所述第二电极在所述基板上的正投影面积，小于所述第二绝缘层在所述基板上的正投影面积。

在本申请的显示面板中，所述第二绝缘层包括三氧化二铝。

在本申请的显示面板中，所述薄膜晶体管单元包括：

位于所述基板上的遮光层、位于所述遮光层上的缓冲层、位于所述缓冲层上的有源层、位于所述有源层上的栅绝缘层、位于所述栅绝缘层上的栅极层、位于所述栅极层上的间绝缘层、位于所述间绝缘层上的源漏极层、及位于所述源漏极层上的钝化层；

其中，所述第一电极与所述遮光层同层设置；

所述第一绝缘层与所述缓冲层同层设置；

所述第二电极与所述有源层同层设置；

所述第三电极与所述栅极层同层设置；或

所述第三电极与所述源漏极层同层设置。

在本申请的显示面板中，所述存储电容还包括第四电极；

其中，所述第三电极与所述栅极层同层设置时，所述四电极与所述源漏极层同层设置。

本申请还提出了一种显示面板的制作方法，其包括：

提供一基板；

在所述基板上形成薄膜晶体管单元和存储电容；

在所述薄膜晶体管单元及所述存储电容上形成有机发光层；

其中，所述存储电容包括在所述基板上依次堆叠的第一电极、第一绝缘层、第二电极、第二绝缘层、及第三电极，

所述第二电极在所述第二绝缘层上的正投影位于所述第二绝缘层上。

在本申请的制作方法中，所述第二电极在所述基板上的正投影面积，与所述第二绝缘层在所述基板上的正投影面积相等；或

所述第二电极在所述基板上的正投影面积，小于所述第二绝缘层在所述基板上的正投影面积。

在本申请的制作方法中，所述第二绝缘层包括三氧化二铝。

在本申请的制作方法中，所述显示面板还包括薄膜晶体管单元；

其中，所述薄膜晶体管单元包括位于所述基板上的遮光层、位于所述遮光层上的缓冲层、位于所述缓冲层上的有源层、位于所述有源层上的栅绝缘层、位于所述栅绝缘层上的栅极层、位于所述栅极层上的间绝缘层、位于所述间绝缘层上的源漏极层、及位于所述源漏极层上的钝化层；

其中，所述第一电极与所述遮光层同层设置；

所述第一绝缘层与所述缓冲层同层设置；

所述第二电极与所述有源层同层设置；

所述第三电极与所述栅极层同层设置；或

所述第三电极与所述源漏极层同层设置。

在本申请的制作方法中，所述存储电容还包括第四电极；

其中，所述第三电极与所述栅极层同层设置时，所述第四电极与所述源漏极层同层设置。

有益效果：本申请通过在存储电容区以有源层作为第二电极，并在所述第二电极与所述第三电极之间设置一高静电力常数的绝缘层，增加了存储电容的电容量，提高了显示面板的显示效果。

附图说明

为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有显示面板的膜层结构图；

图2为本申请实施例一显示面板的膜层结构图；

图3为本申请实施例二显示面板的膜层结构图；

图4为本申请实施例三显示面板的膜层结构图；

图5为本申请显示面板制作方法的工艺步骤图；

图6为本申请显示面板制作方法的另一种工艺步骤图；

图7a～7g为本申请一种显示面板制作方法工艺图。

具体实施方式

以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本申请可用以实施的特定实施例。本申请所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本申请，而非用以限制本申请。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。

请参阅图1，图1为现有显示面板的膜层结构图。

所述显示面板包括阵列基板，所述阵列基板包括基板101、及位于所述基板101上的薄膜晶体管层、及位于所述薄膜晶体管层上的发光器件层40。

其中，所述薄膜晶体管层包括薄膜晶体管单元10、存储电容20、及开关单元30。图1中的开关单元30，本申请不作具体介绍。

请参阅图2，图2为本申请实施例一显示面板的膜层结构图。

所述基板101的可以为玻璃基板、石英基板、树脂基板等中的一种。当所述阵列基板为柔性基板时，可以为有机聚合物。

在一种实施例中，所述柔性材料可以为聚酰亚胺薄膜。

所述薄膜晶体管单元10包括esl(蚀刻阻挡层型)、bce(背沟道蚀刻型)或top-gate(顶栅薄膜晶体管型)结构，具体没有限制。例如，顶栅薄膜晶体管型可以包括：遮光层102、缓冲层103、有源层104、栅绝缘层105、栅极层106、间绝缘层107、源漏极层108以、钝化层109及平坦化层。

所述遮光层102形成于所述基板101上。所述遮光层102主要用于遮挡光源进行薄膜晶体管单元10，影响薄膜晶体管的驱动效果。

所述缓冲层103形成于所述遮光层102上。所述缓冲层103主要用于缓冲膜层质结构之间的压力、及阻隔水氧进入内部膜层。

所述有源层104形成于所述缓冲层103上。所述有源层104包括经离子掺杂的掺杂区(未画出)。

所述栅绝缘层105形成于所述有源层104上。

在一种实施例中，所述栅绝缘层105将所述有源层104覆盖，所述间绝缘层107用于将所述有源层104与其他金属层隔离。

所述栅极层106形成于所述栅绝缘层105上。所述栅极层105的金属材料通常可以采用钼、铝、铝镍合金、钼钨合金、铬、或铜等金属，也可以使用上述几种金属材料的组合物。

在一种实施例中，所述栅极层106的金属材料可以为钼。

所述间绝缘层107形成于所述栅极层106上。

在一种实施例中，所述间绝缘层107将所述栅极层106覆盖。

所述源漏极层108形成于所述间绝缘层107上。

所述源漏极层108的金属材料通常可以采用钼、铝、铝镍合金、钼钨合金、铬、铜或钛铝合金等金属，也可以使用上述几种金属材料的组合物。

在一种实施例中，所述源漏极层108的金属材料可以为钛铝合金；所述源漏极层108通过过孔与所述有源层104上的掺杂区电连接。

所述钝化层109及所述平坦化层形成于所述源漏极层108上。

所述钝化层109用于保证所述薄膜晶体管工艺上的平整性。

请参阅图2，所述存储电容20包括位于所述基板101上的第一电极110、位于所述第一电极110上的第一绝缘层111、位于所述第一绝缘层111上的第二电极112、位于所述第二电极上的第二绝缘层113、及位于所述第二绝缘层113上的第三电极114。

在一种实施例中，所述第二电极112在所述第二绝缘层113上的正投影位于所述第二绝缘层113上。

在一种实施例中，所述第一电极110与所述遮光层102同层设置，即所述第一电极110与所述遮光层102在同一道光罩工艺中形成。同理，所述第一绝缘层111与所述缓冲层103同层设置，所述第二电极112与所述有源层104同层设置，所述第三电极114与所述栅极层106同层设置；

在一种实施例中，所述第三电极114也可以与所述源漏极层108同层设置。

在实施例一中，所述第二电极112在所述基板101上的正投影面积，与所述第二绝缘层113在所述基板101上的正投影面积相等。

请参阅图3，图3为本申请实施例二显示面板的膜层结构图。

在实施例二中，所述第二电极112在所述基板101上的正投影面积，小于所述第二绝缘层113在所述基板101上的正投影面积。

所述第二绝缘层113将所述第二电极112覆盖，充当了蚀刻阻挡层，避免所述第二电极112被后续蚀刻工艺破坏。

在一种实施例中，所述第二绝缘层113可以为三氧化二铝；由于三氧化二铝具有较高的静电力常数(k)，在两块电极板面积与间距不变的情况下，静电力常数的增加了，增加了存储电容20的总电量。

请参阅图4，图4为本申请实施例三显示面板的膜层结构图。

所述存储电容20还包括第四电极115。

所述第三电极114与所述栅极层106同层设置时，所述第四电极115与所述源漏极层108同层设置。与图2或图1相比，三个并列连接的电容，增加了存储电容20的总电量。

请参照图5，图5为本申请显示面板制作方法的工艺步骤图，具体包括步骤：

s10、提供一基板；

在本步骤中，所述基板201的原材料可以为玻璃基板、石英基板、树脂基板等中的一种。

当所述阵列基板为柔性基板时，可以为有机聚合物。在一种实施例中，所述柔性材料可以为聚酰亚胺薄膜。

s20、在所述基板上形成薄膜晶体管单元和存储电容；

在本步骤中，主要在所述基板201上同时形成所述显示面板的薄膜晶体管单元、存储电容及开关单元。所述开关单元在本实施例中不作具体介绍。

请参照图6，图6为本申请显示面板制作方法的另一种工艺步骤图，具体包括步骤：

s201、在所述基板上形成遮光层及所述第一电极。

如图7a所示，在所述基板201上沉积第一金属层，经图案化处理，形成所述薄膜晶体管单元的遮光层202、及所述存储电容的第一电极210。

在一种实施例中，所述第一金属层的金属材料可以为钼。

s202、在所述遮光层及所述第一电极上沉积一缓冲层，并在所述缓冲层上形成有源层及所述第二电极。

如图7b所示，所述缓冲层203覆盖所述遮光层202及所述第一电极210。所述缓冲层203主要用于缓冲膜层质结构之间的压力、及阻隔水氧进入内部膜层。

在本步骤中，首先在所述缓冲层203上形成一有源层薄膜，所述有源层薄膜由多晶硅构成。其次，对所述有源层薄膜使用第一光罩制程工艺，在所述有源层薄膜上形成第一光阻层(未画出)。采用掩模板(未画出)曝光，经显影以及第一蚀刻的构图工艺处理后，使所述有源层薄膜形成图7b所示的有源层204和所述第二电极212，剥离所述第一光阻层。

所述第一电极210与所述第二电极212之间的第一绝缘层211与所述缓冲层203同层设置。

s203、在所述有源层上形成栅绝缘层、栅极层及间绝缘层。

本步骤中，在所述有源层204上依次形成栅绝缘层205、栅极层206。所述栅极层206的金属材料通常可以采用钼、铝、铝镍合金、钼钨合金、铬、或铜等金属，也可以使用上述几种金属材料的组合物。

在一种实施例中，本实施例所述栅极层的材料可以为钼。

在步骤s203和步骤s204中，所述第一绝缘层211、所述栅绝缘层205、所述栅极层206，可以在一道光罩工艺中形成，形成图7c所示的图案。

在所述栅极层206上沉积一层间绝缘层207，以阻隔所述栅极层206和源漏极层208。通过蚀刻工艺在所述第二电极212所对应的所述间绝缘层207挖孔，使得所述第二电极212裸露。

s204、在所述第二电极上形成第二绝缘层。

本步骤中，在所述有源层204及所述第二电极212上沉积一所述第二绝缘层213，图案化处理后形成图7d或图7e所示的图案。

请参阅图7d，所述第二电极212在所述基板201上的正投影面积，与所述第二绝缘层213在所述基板201上的正投影面积相等。

请参阅图7e，所述第二电极212在所述基板201上的正投影面积，小于所述第二绝缘层213在所述基板201上的正投影面积。

所述第二绝缘层213将所述第二电极212覆盖，充当蚀刻阻挡层，避免第二电极212被后续蚀刻工艺破坏。

在一种实施例中，所述第二绝缘层213可以为三氧化二铝。

由于三氧化二铝具有较高的静电力常数(k)，在两块电极板面积与间距不变的情况下，静电力常数的增加了，增加存储电容的总电量。

s205、在所述栅极层上依次形成源漏极层、第三电极、钝化层及平坦化层。

如图7f所示，所述源漏极208形成于所述间绝缘层207上。所述源漏极层208的金属材料通常可以采用钼、铝、铝镍合金、钼钨合金、铬、铜或钛铝合金等金属，也可以使用上述几种金属材料的组合物。

在一种实施例中，所述源漏极层208的金属材料可以为钛铝合金。所述源漏极层208通过过孔与所述有源层204上的掺杂区电连接。

在一种实施例中，所述第三电极214与所述源漏极层208在同一道光罩工艺中形成。

所述钝化层209及所述平坦化层形成于所述源漏极层208上，所述钝化层209及所述平坦化层用于保证所述薄膜晶体管工艺上的平整性。

在一种实施例中，所述存储电容还包括第四电极215，形成如图4所示的图案。

所述第三电极214还可以与所述栅极层206同层设置时，所述第四电极215与所述源漏极层208同层设置。与图2或图3相比，三个并列连接的电容，增加了存储电容的总电量。

s30、在薄膜晶体管单元及存储电容上形成有机发光层。

如图7g所示，本步骤中，在薄膜晶体管单元及存储电容上形成有机发光层40、及封装层(未画出)，完成显示面板的制作。

本申请提出了一种显示面板及其制作方法，所述显示面板包括基板及位于所述基板上的存储电容；所述存储电容包括位于所述基板上的第一电极、位于所述第一电极上的第一绝缘层、位于所述第一绝缘层上的第二电极、位于所述第二电极上的第二绝缘层、及位于所述第二绝缘层上的第三电极；其中，所述第二电极在所述第二绝缘层上的正投影位于所述第二绝缘层上。本申请通过在存储电容区以有源层作为第二电极，并在所述第二电极与所述第三电极之间设置一高静电力常数的绝缘层，增加了存储电容的电容量，提高了显示面板的显示效果。

综上所述，虽然本申请已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本申请，本领域的普通技术人员，在不脱离本申请的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本申请的保护范围以权利要求界定的范围为准。