技术特征：
技术总结
本发明的实施例提供了半导体器件及其制造方法。根据一些实施例，在半导体器件上方形成通孔，其中，半导体器件密封在密封剂内。金属化层和第二通孔形成在第一通孔上方并且与第一通孔电连接，以及使用相同的晶种层形成金属化层和第二通孔。实施例包括完全接合的通孔、与晶种层接触的部分接合的通孔以及不与晶种层接触的部分接合的通孔。
技术研发人员：余振华;蔡惠榕;郭宏瑞;刘重希;普翰屏;柯亭竹
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2018.09.26
技术公布日：2019.04.12