具有多边形电感元件的半导体装置的制作方法

本揭露实施例是有关一种具有多边形电感元件的半导体装置。

背景技术：

半导体产业通过不断减小最小装置大小来不断提高各种电子组件(例如电感器)的集成密度，其允许更多组件集成到给定区域中。电感器具有形成为螺旋或环圈形状的一或多个导电路径或匝。导电匝通常形成为圆形或螺旋形状。电感器的性能由质量因数或“q”界定。电感器的寄生电容及寄生电阻会影响电感器的质量因数。然而，减小电感器的寄生电容及电阻面临诸多挑战。

技术实现要素：

本揭露的一实施例涉及一种半导体装置，其包含：多边形电感元件，其安置于衬底上的第一层上，所述多边形电感元件包含第一线部分；第一导线，其安置于所述衬底上的第二层上；第二导线，其安置于所述衬底上的第三层上；及第一导电通路，其经布置以将所述第二导线电耦合到所述第一导线；其中所述第一层不同于所述第二层及所述第三层，所述第一导线电连接到参考电压，且从所述半导体装置的顶部观看，所述第一导线与所述第一线部分交叉。

本揭露的一实施例涉及一种半导体装置，其包含：多个第一导线，其安置于衬底上的第一层上，其中所述多个第一导线经布置为第一方向；多个第二导线，其安置于所述第一层上，其中所述多个第二导线经布置为第二方向；多个第三导线，其安置于所述衬底的第二层上，其中所述多个第三导线经布置为第三方向；多个第一导电通路，其经布置以将所述多个第一导线分别电连接到所述多个第三导线；及多个第二导电通路，其经布置以将所述多个第二导线分别电连接到所述多个第三导线。

本揭露的一实施例涉及一种半导体装置，其包含：多边形电感元件，其安置于衬底上的第一层上，所述多边形电感元件包含第一线部分及第二线部分；及导电图案，其电连接到参考电压，其中所述导电图案包含：多个第一导线，其安置于所述衬底上的第二层上；多个第二导线，其安置于所述第二层上；多个第三导线，其安置于所述衬底上的第三层上；多个第一导电通路，其经布置以将所述多个第一导线中的特定导线分别电连接到所述多个第三导线；及多个第二导电通路，其经布置以将所述多个第二导线分别电连接到所述多个第三导线；其中从所述半导体装置的顶部观看，所述第一线部分正交于所述多个第一导线，且从所述顶部观看，所述第二线部分正交于所述多个第二导线。

附图说明

从结合附图来阅读的[具体实施方式]最优选理解本揭露的方面。应注意，根据业界标准做法，各个装置未按比例绘制。事实上，为使讨论清楚，可任意增大或减小各种装置的尺寸。

图1是绘示根据一些实施例的半导体装置的图式。

图2是绘示根据一些实施例的导电图案的图式。

图3是绘示根据一些实施例的图2的导电图案的一部分的图式。

图4是绘示根据一些实施例的图1的半导体装置的电流流动的图式。

图5是绘示根据一些实施例的图4的半导体装置的一部分中的电流流动的图式。

图6是绘示根据一些实施例的半导体装置的图式。

图7是绘示根据一些实施例的导电图案的图式。

图8是绘示根据一些实施例的图7的导电图案的一部分的图式。

图9是绘示根据一些实施例的导电图案的图式。

图10是绘示根据一些实施例的图9的导电图案的垂直金属线的图式。

图11是绘示根据一些实施例的图9的导电图案的一部分的图式。

具体实施方式

以下揭露提供用于实施所提供标的的不同特征的诸多不同实施例或实例。下文将描述组件及布置的特定实例以简化本揭露。当然，这些仅为实例且不意在限制。例如，在以下描述中，使第一装置形成于第二装置上方或形成于第二装置上可包括其中形成直接接触的所述第一装置及所述第二装置的实施例，且还可包括其中额外装置可形成于所述第一装置与所述第二装置之间使得所述第一装置及所述第二装置可不直接接触的实施例。另外，本揭露可在各种实例中重复元件符号及/或字母。此重复用于简化及清楚的目的且本身不指示所讨论的各种实施例及/或配置之间的关系。

下文将详细讨论本揭露的实施例。然而，应了解，本揭露提供可体现于各种特定情境中的诸多适用发明概念。所讨论的特定实施例仅供绘示且不限制本揭露的范围。

此外，为便于描述，空间相对术语(例如“底下”、“下方”、“下”、“上方”、“上”、“左”、“右”及其类似者)可在本文中用于描述元件或装置与另一(些)元件或装置的关系，如图中所绘示。空间相对术语除涵盖图中所描绘的定向之外，还打算涵盖装置在使用或操作中的不同定向。可依其它方式定向设备(旋转90度或依其它定向)，且也可相应地解译本文中所使用的空间相对描述词。应了解，当元件指称“连接到”或“耦合到”另一元件时，其可直接连接到或耦合到所述另一元件，或可存在介入元件。

虽然阐述本揭露的广泛范围的数值范围及参数是近似值，但应尽可能精确地报告特定实例中所阐述的数值。然而，任何数值固有地包括由其各自测试测量中所发现的标准差必然所致的特定误差。此外，如本文中所使用，术语“约”大体上意谓在给定值或范围的10％、5％、1％或0.5％内。替代地，如一般技术者所考量，术语“约”意谓在平均数的可接受标准误差内。除在操作/运作实例中之外，或除非另有明确说明，否则全部数值范围、数量、值及百分比(例如本文中所揭露的材料量、持续时间、温度、操作条件、数量比等等的数值范围、数量、值及百分比)应被理解为在全部例子中由术语“约”修饰。相应地，除非有相反指示，否则本揭露及附随权利要求书中所阐述的数值参数是可根据期望变动的近似值。最后，应至少鉴于所报告的有效数字的数目且通过应用一般舍入技术来构建各数值参数。本文中可将范围表示为从一端点到另一端点或介于两个端点之间。除非另有说明，否则本文中所揭露的全部范围包括端点。

图1是绘示根据一些实施例的半导体装置100的图式。半导体装置100包含多边形电感元件102及导电图案104。多边形电感元件102及导电图案104安置于半导体衬底106上方。导电图案104可为安置于多边形电感元件102下方的图案化接地屏蔽(pgs)。例如，导电图案104可安置于多边形电感元件102与半导体衬底106之间。多边形电感元件102及导电图案104可在半导体衬底上方形成于互连结构中，其中互连结构可包括形成于层间介电质(ild)中的金属线及通路且例如晶体管的集成电路可形成于半导体衬底中及/或半导体衬底上。根据一些实施例，多边形电感元件102可形成于互连结构中的顶部金属层(例如m8)中，且导电图案104可形成于互连结构中的下金属层(例如第一金属层m1及第二金属层m2)中。根据一些实施例，在互连结构中，顶部金属层比最下或第一金属层厚。还可由半导体衬底106上的多晶硅层形成导电图案104。应注意，第一金属层m1及第二金属层m2是互连结构中的两个不同层，其中第一金属层m1及第二金属层m2由介电层分离。

根据一些实施例，多边形电感元件102经布置为具有至少一绕组的线圈。多边形电感元件102的形状可为正方形、矩形、八边形、圆形、椭圆形、环形或其它形状。多边形电感元件102还可为具有正方形、矩形、八边形、圆形、椭圆形或其它形状的变压器。多边形电感元件102包含第一端子1022、第二端子1024、多个水平金属线(例如1026及1030)及多个垂直金属线(例如1028及1032)。水平金属线(例如1026及1030)及垂直金属线(例如1028及1032)经配置为从第一端子1022开始到第二端子1024的多个绕组。

图2是绘示根据一些实施例的导电图案104的图式。导电图案104包含第一部分1042、第二部分1044、第三部分1046、第四部分1048、第五部分1050及第六部分1052。第五部分1050及第六部分1052经布置以电连接第一部分1042、第二部分1044、第三部分1046及第四部分1048。第一部分1042、第二部分1044、第三部分1046、第四部分1048、第五部分1050及第六部分1052经配置以形成八边形导电图案。第一部分1042包含形成于第一金属层(例如m2)中的多个垂直金属线(例如1042a)。第二部分1044包含形成于第一金属层中的多个水平金属线(例如1044a)。第三部分1046包含形成于第一金属层中的多个垂直金属线(例如1046a)。第四部分1048包含形成于第一金属层中的多个水平金属线(例如1048a)。第五部分1050包含形成于第二金属层(例如m1)中的多个第一对角金属线(例如1050a)。第六部分1052包含形成于第二金属层中的多个第二对角金属线(例如1052a)。多个第一对角金属线(例如1050a)经布置以将第一部分1042中的部分垂直线电连接到第二部分1044中的部分水平线且将第三部分1046中的部分垂直线电连接到第四部分1048中的部分水平线。多个第二对角金属线(例如1052a)经布置以将第一部分1042中的部分垂直线电连接到第四部分1048中的部分水平线且将第二部分1044中的部分水平线电连接到第三部分1046中的部分垂直线。根据一些实施例，第五部分1050进一步包含安置于多个第一对角金属线(例如1050a)上的对角金属线1050b，其形成于第一金属层中。第六部分1052进一步包含安置于多个第二对角金属线(例如1052a)上的对角金属线1052b，其形成于第一金属层中。应注意，图2中的导电图案104的垂直金属线、水平金属线及对角金属线的方向不打算限制实施例。导电图案104中的垂直金属线、水平金属线及对角金属线的方向可经设计以具有取决于装置的设计要求的其它方向。

根据一些实施例，导电图案104中的金属线彼此电连接，且导电图案104电连接到参考电压，例如接地电压。

再者，第一部分1042中的垂直金属线(例如1042a)、第二部分1044中的水平金属线(例如1044a)、第三部分1046中的垂直金属线(例如1046a)、第四部分1048中的水平金属线(例如1048a)、对角金属线1050b及对角金属线1052b形成于互连结构中的第二金属层(即，m2)中，且第一对角金属线(例如1050a)及第二对角金属线(例如1052a)形成于互连结构中的第一金属层(即，m1)中。因此，多个导电通路或接点经布置以将第一金属层(即，m1)中的金属线电连接到第二金属层(即，m2)中的金属线。为简洁起见，仅详细描述导电图案104的部分202。

图3是绘示根据一些实施例的导电图案104的部分202的图式。在第五部分1050中，第一导电通路302经布置以将第一对角金属线1050a的端子电连接到垂直金属线1042a的端子，第二导电通路304经布置以将第一对角金属线1050a的另一端子电连接到水平金属线1044a的端子，且第三导电通路306经布置以将对角金属线1050b电连接到第一对角金属线1050a。在第六部分1052中，第一导电通路308经布置以将第二对角金属线1052a的端子电连接到垂直金属线1042b的端子，第二导电通路310经布置以将第二对角金属线1052a的另一端子电连接到水平金属线1048a的端子，且第三导电通路312经布置以将对角金属线1052b电连接到第二对角金属线1052a。根据一些实施例，由围绕导电图案104的中央区域的金属线314(其形成于第一金属层(即，m1)中)将对角金属线1050b与对角金属线1050c分离。第一导电通路316经布置以将对角金属线1050b电连接到金属线314的端子，且第二导电通路318经布置以将对角金属线1050c电连接到金属线314的另一端子。

请再次参考图1到3，从半导体装置100的顶部观看，多边形电感元件102的水平金属线(例如1026)与导电图案104的第一部分1042中的垂直金属线(例如1042a)交叉(例如正交)。从顶部观看，多边形电感元件102的垂直金属线(例如1028)与导电图案104的第二部分1044中的水平金属线(例如1044a)交叉(例如正交)。从顶部观看，多边形电感元件102的水平金属线(例如1030)与导电图案104的第三部分1046中的垂直金属线(例如1046a)交叉(例如正交)。从顶部观看，多边形电感元件102的垂直金属线(例如1032)与导电图案104的第四部分1048中的水平金属线(例如1048a)交叉(例如正交)。

另外，从顶部观看，多边形电感元件102的绕组的隅角大体上与对角金属线1050b及1052b重叠。例如，连接水平金属线1026及垂直金属线1028的转折点(或直角隅角)与对角金属线1050b重叠。连接垂直金属线1028及水平金属线1030的转折点与对角金属线1052b重叠。连接水平金属线1030及垂直金属线1032的转折点与对角金属线1050c重叠。连接垂直金属线1032及水平金属线1026的转折点与对角金属线1052b重叠。

再者，根据图2中所展示的导电图案104，由对角金属线(例如1050a)及对应导电通路(例如302及304)实施垂直金属线(例如1042a)与水平线(例如1044a)之间的连接。换句话说，形成于第二金属层m2中的全部金属线是笔直金属线(即，垂直、水平或对角直线)，且形成于第一金属层m1中的全部金属线是笔直金属线(即，垂直、水平或对角直线)。因此，无金属转角或隅角形成于第一金属层m1及第二金属层m2中。当不存在形成于第一金属层m1及第二金属层m2中的金属转角或隅角时，导电图案104的金属线可具有相对优选良率。

由于导电图案104中的金属线彼此电连接，所以当导电图案104中的金属线的一者电连接到参考电压时，导电图案104电连接到参考电压。换句话说，导电图案104中的任何金属线(例如1050b或1042a)可经布置为用于连接到参考电压的特定节点。

图4是绘示根据一些实施例的半导体装置100的电流流动的图式。图5是绘示根据一些实施例的半导体装置100的部分406中的电流流动的图式。根据一些实施例，具有逆时针方向的第一电流信号402从多边形电感元件102的第二端子1024流动到第一端子1022。导电图案104及/或衬底106中诱发具有相反方向(即，顺时针方向)的第二电流信号404。第二电流信号404可为第一电流信号402诱发的涡电流。第二电流信号404可导致多边形电感元件102的能量损耗。然而，在本实施例中，多边形电感元件102的金属线正交于导电图案104的金属线。如图5中所展示，当多边形电感元件102的金属线正交于导电图案104的金属线时，可抑制导电图案104上的第二电流信号404，这是因为不存在使第二电流信号404流动的可用电流导电路径。相应地，减少多边形电感元件102的能量损耗。

图6是绘示根据一些实施例的半导体装置600的图式。半导体装置600包含多边形电感元件602及导电图案604。多边形电感元件602及导电图案604安置于半导体衬底606上方。导电图案604可为安置于多边形电感元件602下方的图案化接地屏蔽(pgs)。多边形电感元件602及导电图案604可在半导体衬底上方形成于互连结构中，其中互连结构可包括形成于层间介电质(ild)中的金属线及通路且例如晶体管的集成电路可形成于半导体衬底中及/或半导体衬底上。根据一些实施例，多边形电感元件602可为形成于互连结构中的顶部金属层(例如m8)及第二顶部金属层(例如m7)中的变压器，且导电图案604可形成于互连结构中的下金属层(例如第一金属层m1及第二金属层m2)中。应注意，多边形电感元件602可为电感器。还可由半导体衬底606上的多晶硅层形成导电图案604。

多边形电感元件602包含多个八边形绕组6022到6028。八边形绕组6022到6028分别形成于半导体装置600的(例如)第八金属层m8及第七金属层m7中。八边形绕组6022到6028包含具有三个不同方向(即，水平、垂直及对角)的金属线6030、6032、6034，如图6中所展示。为简洁起见，此处省略多边形电感元件602的详细描述。

图7是绘示根据一些实施例的导电图案604的图式。导电图案604包含多个垂直线部分6042及6050、多个水平线部分6046及6054及多个对角线部分6044、6048、6052及6056。根据一些实施例，垂直线部分6042、6050、水平线部分6046、6054及对角线部分6044、6048、6052及6056形成于第二金属层m2中。垂直线部分6042及6050电连接到导电图案604的中央区域6058中的水平线部分6046及6054。在中央区域6058中，多个对角金属线(例如6060)(其形成于第一金属层m1中)经布置以电连接垂直线部分6042及6050中的金属线及水平线部分6046及6054中的金属线。在此实施例中，导电图案604的中央区域6058类似于导电图案104的部分202，因此，为简洁起见，此处省略详细描述。

根据一些实施例，垂直线部分6042的右边界金属线6062通过多个水平金属线6078来电连接到对角线部分6044中的金属线的部分。水平线部分6046的上边界金属线6064通过多个垂直金属线6080来电连接到对角线部分6044中的金属线的另一部分。水平线部分6046的下边界金属线6066通过多个垂直金属线6082来电连接到对角线部分6048中的金属线的部分。垂直线部分6050的右边界金属线6068通过多个水平金属线6084来电连接到对角线部分6048中的金属线的另一部分。垂直线部分6050的左边界金属线6070通过多个水平金属线6086来电连接到对角线部分6052中的金属线的一部分。水平线部分6054的下边界金属线6072通过多个垂直金属线6088来电连接到对角线部分6052中的金属线的另一部分。水平线部分6054的上边界金属线6074通过多个垂直金属线6090来电连接到对角线部分6056中的金属线的一部分。垂直线部分6042的左边界金属线6076通过多个水平金属线6092来电连接到对角线部分6056中的金属线的另一部分。应注意，图7中的导电图案604的垂直金属线、水平金属线及对角金属线的方向不打算限制实施例。导电图案604中的垂直金属线、水平金属线及对角金属线的方向可经设计以具有取决于装置的设计要求的其它方向。

根据一些实施例，水平金属线6078、6084、6086、6092及垂直金属线6080、6082、6088及6090形成于第一金属层m1中。因此，多个导电通路或接点经布置以将水平金属线6078、6084、6086、6092及垂直金属线6080、6082、6088及6090的金属线电连接到垂直线部分6042、6050、水平线部分6046、6054及对角线部分6044、6048、6052及6056的金属线。为简洁起见，仅详细描述导电图案604的一部分6094。

图8是绘示根据一些实施例的导电图案604的部分6094的图式。例如，在水平金属线6078中，水平金属线802安置于垂直线部分6042的右边界金属线6062与对角线部分6044的对角金属线804之间。第一导电通路806经布置以将水平金属线802的端子电连接到右边界金属线6062。第二导电通路808经布置以将水平金属线802的另一端子电连接到对角金属线804的端子。

另外，例如，在垂直金属线6080中，垂直金属线810安置于水平线部分6046的上边界金属线6064与对角线部分6044的对角金属线812之间。第一导电通路814经布置以将垂直金属线810的端子电连接到上边界金属线6064。第二导电通路816经布置以将垂直金属线810的另一端子电连接到对角金属线812的端子。

由于导电图案604中的金属线彼此电连接，所以当导电图案604中的金属线的一者电连接到参考电压时，导电图案604电连接到参考电压。换句话说，导电图案604中的任何金属线可经布置为用于连接到参考电压的特定节点。

根据图6到8，从半导体装置600的顶部观看，多边形电感元件602中的绕组6022到6028的金属线正交于导电图案604的金属线。从半导体装置600的顶部观看，多边形电感元件602的绕组6022到6028的隅角大体上与水平金属线6078、6084、6086、6092及垂直金属线6080、6082、6088、6090重叠。如上文图5到图6中所描述，当多边形电感元件602的金属线正交于导电图案604的金属线时，可抑制导电图案604上的涡电流信号(其由多边形电感元件602的电流信号诱发)，这是因为不存在使涡电流信号流动的可用电流导电路径。相应地，减少多边形电感元件602的能量损耗。

再者，形成于第二金属层m2中的全部金属线是笔直金属线(即，垂直、水平或对角直线)，且形成于第一金属层m1中的全部金属线也是笔直金属线(即，垂直、水平或对角直线)。因此，无金属转角或隅角形成于第一金属层m1及第二金属层m2中。当不存在形成于第一金属层m1及第二金属层m2中的金属转角或隅角时，导电图案104的金属线可具有相对优选良率。

图9是绘示根据一些实施例的导电图案900的图式。导电图案900是导电图案604的修改。为简洁起见，图9中使用类似元件符号(即，604)。与导电图案604相比，导电图案900进一步包含包围导电图案604的多个金属线902、904、906、908、910、912、914及916。金属线902、904、906、908、910、912、914及916通过多个导电通路来电连接到导电图案604。根据一些实施例，金属线902、906、910及914形成于第二金属层m2中，且金属线904、908、912及916形成于第一金属层m1中。

根据一些实施例，多个垂直金属线918经布置以将垂直线部分6042中的金属线电连接到金属线902。多个水平金属线920经布置以将水平线部分6046中的金属线电连接到金属线906。多个垂直金属线922经布置以将垂直线部分6050中的金属线电连接到金属线910。多个水平金属线924经布置以将水平线部分6054中的金属线电连接到金属线914。垂直金属线918、922及水平金属线920、924形成于第一金属层m1中。因此，多个导电通路经布置以将第一金属层m1中的金属线(例如918)电连接到第二金属层m2中的金属线(例如902及6042)。

图10是绘示根据一些实施例的导电图案900的垂直金属线918的图式。在垂直线部分6042中，例如，垂直线1002安置于垂直金属线1004与金属线902之间。第一导电通路1006经布置以将垂直线1002的端子电连接到金属线902。第二导电通路1008经布置以将垂直线1002的另一端子电连接到垂直金属线1004的端子。金属线920、922及924的配置类似于金属线918的配置，因此，为简洁起见，此处省略详细描述。

另外，针对对角线部分6044、6048、6052及6056，多个导电通路经布置以将第一金属线m1中的金属线904、908、912及916分别电连接到第二金属线m2中的对角线部分6044、6048、6052及6056中的金属线。

图11是绘示根据一些实施例的导电图案900的部分926的图式。在对角线部分6044中，例如，导电通路1102经布置以将对角线1104的端子电连接到金属线904。部分928、930及932的金属线配置类似于926的配置，因此，为简洁起见，此处省略详细描述。

简单地说，在本实施例中，多边形电感元件中的绕组的金属线正交于图案化接地屏蔽的金属线，且减少图案化接地屏蔽上的涡电流信号。相应地，减少多边形电感元件的能量损耗。图案化接地屏蔽可改进质量因数及与衬底的隔离。再者，形成于图案化接地屏蔽中的全部金属线是笔直金属线，且无金属转角或隅角形成于单一金属层中。当无金属转角或隅角形成于单一金属层中时，图案化接地屏蔽的金属线可具有相对优选良率。

根据一些实施例，提供一种半导体装置。所述半导体装置包含多边形电感元件、第一导线、第二导线及第一导电通路。所述多边形电感元件安置于衬底上的第一层上，且所述多边形电感元件包含第一线部分。所述第一导线安置于所述衬底上的第二层上。所述第二导线安置于所述衬底上的第三层上。所述第一导电通路经布置以将所述第二导线电耦合到所述第一导线。所述第一层不同于所述第二层及所述第三层。所述第一导线电连接到参考电压，且从所述半导体装置的顶部观看，所述第一导线与所述第一线部分交叉。

根据一些实施例，提供一种半导体装置。所述半导体装置包含多个第一导线、多个第二导线、多个第三导线、多个第一导电通路及多个第二导电通路。所述多个第一导线安置于衬底上的第一层上，其中所述多个第一导线经布置为第一方向。所述多个第二导线安置于所述第一层上，其中所述多个第二导线经布置为第二方向。所述多个第三导线安置于所述衬底上的第二层上，其中所述多个第三导线经布置为第三方向。所述多个第一导电通路经布置以将所述多个第一导线分别电连接到所述多个第三导线。所述多个第二导电通路经布置以将所述多个第二导线分别电连接到所述多个第三导线。

根据一些实施例，提供一种半导体装置。所述半导体装置包含多边形电感元件及导电图案。所述多边形电感元件安置于衬底上的第一层上，且所述多边形电感元件包含第一线部分及第二线部分。所述导电图案电连接到参考电压。所述导电图案包含多个第一导线、多个第二导线、多个第三导线、多个第一导电通路及多个第二导电通路。所述多个第一导线安置于所述衬底上的第二层上。所述多个第二导线安置于所述第二层上。所述多个第三导线安置于所述衬底上的第三层上。所述多个第一导电通路经布置以将所述多个第一导线中的特定导线分别电连接到所述多个第三导线。所述多个第二导电通路经布置以将所述多个第二导线分别电连接到所述多个第三导线。从所述半导体装置的顶部观看，所述第一线部分正交于所述多个第一导线，且从所述顶部观看，所述第二线部分正交于所述多个第二导线。

上文已概述若干实施例的特征，使得所属领域的技术人员可优选理解本揭露的方面。所属领域的技术人员应了解，其可易于将本揭露用作用于设计或修改用于实施相同目的及/或达成本文中所引入的实施例的相同优点的其它程序及结构的基础。所属领域的技术人员还应认知，这些等效构建不应背离本揭露的精神及范围，且其可在不背离本揭露的精神及范围的情况下对本文作出各种改变、替换及更改。

符号说明

100半导体装置

102多边形电感元件

104导电图案

106半导体衬底

202部分

302第一导电通路

304第二导电通路

306第三导电通路

308第一导电通路

310第二导电通路

312第三导电通路

314金属线

316第一导电通路

318第二导电通路

402第一电流信号

404第二电流信号

406部分

600半导体装置

602多边形电感元件

604导电图案

606半导体衬底

802水平金属线

804对角金属线

806第一导电通路

808第二导电通路

810垂直金属线

812对角金属线

814第一导电通路

816第二导电通路

900导电图案

902金属线

904金属线

906金属线

908金属线

910金属线

912金属线

914金属线

916金属线

918垂直金属线

920水平金属线

922垂直金属线

924水平金属线

926部分

928部分

930部分

932部分

1002垂直线

1004垂直金属线

1006第一导电通路

1008第二导电通路

1022第一端子

1024第二端子

1026水平金属线

1028垂直金属线

1030水平金属线

1032垂直金属线

1042第一部分

1042a垂直金属线

1042b垂直金属线

1044第二部分

1044a水平金属线

1046第三部分

1046a垂直金属线

1048第四部分

1048a水平金属线

1050第五部分

1050a第一对角金属线

1050b对角金属线

1050c对角金属线

1052第六部分

1052a第二对角金属线

1052b对角金属线

1102导电通路

1104对角线

6022八边形绕组

6024八边形绕组

6026八边形绕组

6028八边形绕组

6030金属线

6032金属线

6034金属线

6042垂直线部分

6044对角线部分

6046水平线部分

6048对角线部分

6050垂直线部分

6052对角线部分

6054水平线部分

6056对角线部分

6058中央区域

6060对角金属线

6062右边界金属线

6064上边界金属线

6066下边界金属线

6068右边界金属线

6070左边界金属线

6072下边界金属线

6074上边界金属线

6076左边界金属线

6078水平金属线

6080垂直金属线

6082垂直金属线

6084水平金属线

6086水平金属线

6088垂直金属线

6090垂直金属线

6092水平金属线

6094部分