技术特征：
技术总结
描述了一种用于提供半导体器件的方法和如此形成的器件。掺杂的半导体层沉积在半导体底层上。半导体底层的至少一部分被暴露。用于掺杂的半导体层的掺杂剂选自p型掺杂剂和n型掺杂剂。掺杂的半导体层的紫外辅助低温(UVLT)退火在一气氛中进行。该气氛选自氧化气氛和氮化气氛。氧化气氛用于n型掺杂剂。氮化气氛用于p型掺杂剂。在UVLT退火期间，牺牲层通过掺杂的半导体层形成。掺杂剂通过UVLT退火从掺杂的半导体层驱入半导体底层的所述部分中，从而形成掺杂的半导体底层。然后去除牺牲层。
技术研发人员：王维一;M.S.罗德;B.J.奥布拉多维奇;洪俊顾
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：2018.10.22
技术公布日：2019.05.03