技术特征：
技术总结
本发明公开了一种氮化镓材料掺杂铁元素的方法，包括：在衬底上生长GaN材料，并在生长所述GaN材料时通入铁元素；达到第一预设条件时停止通入所述铁元素，开始通入三甲基铟；达到第二预设条件时结束生长所述GaN材料，并停止通入所述三甲基铟。本发明通过在停止通入所述铁元素时通入三甲基铟，降低表面Fe元素的残留，加速残余Fe元素的解析，从而降低生长Fe掺杂GaN材料时关闭Fe源后GaN材料中的拖尾现象，减小关闭Fe源后Fe元素进入GaN沟道的风险，提高氮化镓器件的击穿电压，提高氮化镓器件的可靠性。
技术研发人员：尹甲运;房玉龙;王波;张志荣;郭艳敏;李佳;芦伟立;冯志红
受保护的技术使用者：中国电子科技集团公司第十三研究所
技术研发日：2018.12.04
技术公布日：2019.06.14