一种发光二极管及其制作方法与流程

本发明涉及发光二极管技术领域，尤其涉及一种发光二极管及其制作方法。

背景技术：

太阳光是最重要的自然光源，其可见光谱段能量分布均匀，故太阳光为白色。太阳光除了能够满足人们日常生产、工作、生活的需求之外，其可见光区中长波长红光部分具有最强的穿透力，对皮肤和粘膜有温热作用，可强烈刺激血液的流程，进而改善血液循环、增强人体细胞活力、促进人体的新陈代谢以及促进蛋白合成。

为了满足人类在夜间或室内仍然可享受到太阳光的照耀，目前已经出现类太阳光发光二极管。现有的类太阳光发光二极管普遍采用红光led芯片、蓝蓝光led芯片和荧光粉制成，其中，红光led芯片发出的红光、蓝紫光led芯片发出的蓝紫光、以及经荧光粉转换后得到光混合成白光。但是，由于红光led芯片和蓝紫光led芯片之间的热漂移性能和热态光衰差异较大，在相同的热态条件下，红光led芯片会发生较严重的热漂移，使得红光led芯片发出红光的颜色随之漂移，进而由红光、蓝紫光和荧光粉转换后得到光混合成的白光发生偏移，因此现有的类太阳光发光二极管存在红光强度不足或缺失的问题。

技术实现要素：

针对上述问题，本发明的一种发光二极管及其制作方法，能够有效增强红光的发光强度，避免类太阳光中的红光强度不足或缺失。

为解决上述技术问题，本发明的一种发光二极管，包括：

载体，用于承载发光二极体；

至少一个第一发光二极体，固定于所述载体上，用于发出第一颜色光；

至少一个第二发光二极体，固定于所述载体上，用于发出第二颜色光；

第一光转换体，包覆于所述至少一个第一发光二极体上，用于将所述第一颜色光转换为红光；

第二光转换体，包覆于所述至少一个第二发光二极体上，用于转换所述第二颜色光；

所述第一颜色光、所述红光、所述第二颜色光和所述第二光转换体转换后的光混合成类太阳光。

作为上述方案的改进，所述第一发光二极体包括蓝光led芯片，所述第二发光二极体包括紫光led芯片。

作为上述方案的改进，所述第一光转换体包括深红色荧光粉、以及所述橙色荧光粉和所述红色荧光粉中的任一种；所述第二光转换体包括蓝色荧光粉、青色荧光粉和黄绿荧光粉，以及所述橙色荧光粉和所述红色荧光粉中的另一种。

作为上述方案的改进，所述第一光转换体包括深红色荧光粉、橙色荧光粉和红色荧光粉；所述第二光转换体包括蓝色荧光粉、青色荧光粉和黄绿荧光粉。

作为上述方案的改进，所述第一光转换体中荧光粉的比例为所述第一光转换体中荧光粉及所述第二光转换体中荧光粉总量的5％-20％。

作为上述方案的改进，所述蓝光led芯片和所述紫光led芯片的半导体材料包括ⅲ-ⅵ族元素。

作为上述方案的改进，所述第一发光二极体和所述第二发光二极体间隔设置，以均匀混光。

作为上述方案的改进，所述发光二极管，还包括：反光杯，套设于所述载体的侧壁，用于反射杯腔内的光。

作为上述方案的改进，所述第一光转换体和所述第二光转换体均包括透明密封体和基质；所述第一光转换体的基质中掺入有稀土金属离子或过渡金属元素离子；所述第二光转换体的基质中掺入有ce³⁺和eu²⁺中的一种或两种组合。

作为上述方案的改进，所述基质分布于所述透明密封体内，所述基质包括y3al5o12、lu3al5o12、sr5(po4)3cl、sialon、氮化物、镓氧化物和硅酸盐中的一种或多种组合。

为解决上述技术问题，本发明还提供一种发光二极管的制作方法，包括如下步骤：

在载体上固定至少一个第一发光二极体和至少一个第二发光二极体；所述第一发光二极体用于发出第一颜色光，所述第二发光二极体用于发出第二颜色光；

采用引线键合方式将所述至少一个第一发光二极体和所述至少一个第二发光二极体与所述载体进行电连接；

在所述至少一个第一发光二极体上点涂第一光转换体；所述第一光转换体用于将所述第一颜色光转换为红光；

在所述至少一个第二发光二极体上点涂第二光转换体；

烘烤固化，得到发光二极管。

本发明的发光二极管及其制作方法具有以下有益效果：由于该发光二极管采用在第一发光二极体上包覆第一光转换体的方式来激发红光，可避免出现红光颜色漂移的问题，并增加红光的发光强度；且利用在第二发光二极体上包裹第二光转换体的方式来激发类太阳光中其他波段的光，进而使得第一颜色光、红光、第二颜色光以及第二光转换体转换得到的光混合成类太阳光，能够有效提升红光的强度，使得该发光二极管混合成的类太阳光与自然太阳光的发光光谱高度重合，显著提高发光二极管的显色性能。

附图说明

图1是现有类太阳光发光二极管发出的类太阳光的光谱图。

图2是本发明实施例1的一种发光二极管的结构示意图。

图3是本发明实施例2的一种发光二极管的结构示意图。

图4是本发明实施例3的一种发光二极管的结构示意图。

图5是本发明实施例4的一种发光二极管的结构示意图。

图6是本发明实施例5的一种发光二极管的结构示意图。

图7是本发明发光二极管发出的类太阳光光谱图与现有类太阳光光谱图的对比图。

具体实施方式

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于此描述的其他方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。

如图1所示，在现有的类太阳光发光二极管中，由于红光led芯片和蓝紫光led芯片之间的热漂移性能和热态光衰差异较大，则在相同的热态条件下，红光led芯片会发生较严重的热漂移，使得红光led芯片发出红光的颜色随之漂移，进而导致现有的类太阳光中的红光的发光强度不足。而本发明通过在第一发光体上包覆第一光转换体，由第一光转换体激发出红光来增强红光的发光强度，可有效解决现有的类太阳光中的红光的发光强度不足或缺失的问题。

下面结合具体实施例和附图对本发明的技术方案进行清楚、完整的描述。

实施例1

请参见图2，是本发明实施例1的一种发光二极管的结构示意图。

如图2所示，该发光二极管，包括：载体1，用于承载发光二极体；至少一个第一发光二极体11，固定于所述载体1上，用于发出第一颜色光；至少一个第二发光二极体12，固定于所述载体1上，用于发出第二颜色光；第一光转换体13，包覆于所述至少一个第一发光二极体11上，用于将所述第一颜色光转换为红光；第二光转换体14，包覆于所述至少一个第二发光二极体12和所述第一光转换体13上，用于转换所述第二颜色光；所述第一颜色光、所述红光、所述第二颜色光和所述第二光转换体14转换后的光混合成类太阳光。

其中，第一发光二极体11和第二发光二极体12采用引线键合方式与载体1连接，实现与载体1的电连接。

在该发光二极管中，第一发光二极体11发出第一颜色光，其中，部分第一颜色光透射出第一光转换体13，其余第一颜色光经第一光转换体13转换为红光；第二发光二极体12发出第二颜色光，其中，部分第二颜色光透射出第二光转换体14，其余第二颜色光经第二光转换体14进行转换，进而该发光二极管中的第一颜色光、红光、第二颜色光以及第二光转换体14转换得到的光混合成类太阳光。其中，如图2所示，该发光二极管中通过设置第一发光二极体11及包覆于其上的第一光转换体13，可有效增强红光的发光强度，使得该发光二极管发出白光的光谱与太阳光的光谱重合度更高，其发出的白光更接近太阳光。

与现有技术相比，由于该发光二极管采用在第一发光二极体11上包覆第一光转换体13的方式来激发红光，可避免出现红光颜色漂移的问题，并增加红光的发光强度；且利用在第二发光二极体12上包裹第二光转换体14的方式来激发类太阳光中其他波段的光，进而使得第一颜色光、红光、第二颜色光以及第二光转换体14转换得到的光混合成类太阳光，能够有效提升红光的强度，使得该发光二极管混合成的类太阳光与自然太阳光的发光光谱高度重合，显著提高发光二极管的显色性能。

优选地，第一发光二极体11包括蓝光led芯片，第二发光二极体12包括紫光led芯片。由于蓝光led芯片和紫光led芯片的热漂移性能和热态光衰差异较小，则可有效避免相同热态条件下蓝光led芯片和紫光led芯片产生热漂移，进而避免紫光颜色漂移和蓝光颜色漂移，提升发光效率。其中，蓝光led芯片发射出蓝光的波长范围为440nm～460nm，紫光led芯片发射出紫光的波长范围为365nm～425nm。

更进一步地，该发光二极管中的蓝光led芯片和紫光led芯片的半导体材料包括ⅲ-ⅵ族元素。因蓝光led芯片和紫光led芯片采用相同材料体系的半导体材料制成，使得蓝光led芯片和紫光led芯片具有相同的耐热性能，可进一步减小二者之间的热漂移性能差异和热态光衰差异，提升发光效率。

可选地，在该实施例中，第一光转换体13包括深红色荧光粉，第二光转换体14包括蓝色荧光粉、青色荧光粉、黄绿荧光粉、橙色荧光粉和红色荧光粉。蓝光led芯片发出的蓝光经第一光转换体13时激发深红色荧光粉产生深红光；紫光led芯片发出的紫光经第二光转换体14时激发蓝色荧光粉、青色荧光粉、黄绿荧光粉、橙色荧光粉和红色荧光粉分别产生蓝光、青光、黄绿光、橙光、红光；进而蓝光、深红光、紫光、青光、黄绿光、橙光和红光混合成类白光。由于第一光转换体13中将类白光的全光谱混合荧光粉中深红色荧光粉分离出来，使得蓝光led芯片经第一光转换体13单独激发出深红光，可有效提升红光的发光强度。

可选地，在该实施例中，第一光转换体13包括深红色荧光粉和橙色荧光粉，第二光转换体14包括蓝色荧光粉、青色荧光粉、黄绿荧光粉和红色荧光粉。蓝光led芯片发出的蓝光经第一光转换体13时激发深红色荧光粉和橙色荧光粉产生深红光和橙光；紫光led芯片发出的紫光经第二光转换体14时激发蓝色荧光粉、青色荧光粉、黄绿荧光粉和红色荧光粉分别产生蓝光、青光、黄绿光、红光；进而蓝光、深红光、橙光、紫光、青光、黄绿光和红光混合成类白光。由于第一光转换体13中将类白光的全光谱混合荧光粉中深红色荧光粉和橙色荧光粉分离出来，使得蓝光led芯片经第一光转换体13单独激发出深红光和橙光，可有效提升红光的发光强度。

可选地，在该实施例中，第一光转换体13包括深红色荧光粉和红色荧光粉，第二光转换体14包括蓝色荧光粉、青色荧光粉、黄绿荧光粉和橙色荧光粉。蓝光led芯片发出的蓝光经第一光转换体13时激发深红色荧光粉和红色荧光粉产生深红光和红光；紫光led芯片发出的紫光经第二光转换体14时激发蓝色荧光粉、青色荧光粉、黄绿荧光粉和橙色荧光粉分别产生蓝光、青光、黄绿光、橙光；进而蓝光、深红光、红光、紫光、青光、黄绿光和橙光混合成类白光。由于第一光转换体13中将类白光的全光谱混合荧光粉中深红色荧光粉和红色荧光粉分离出来，使得蓝光led芯片经第一光转换体13单独激发出深红光和红光，可有效提升红光的发光强度，尤其是深红光的发光强度。

可选地，在该实施例中，第一光转换体13包括深红色荧光粉、红色荧光粉和橙色荧光粉，第二光转换体14包括蓝色荧光粉、青色荧光粉和黄绿荧光粉。蓝光led芯片发出的蓝光经第一光转换体13时激发深红色荧光粉、红色荧光粉和橙色荧光粉分别产生深红光、红光和橙光；紫光led芯片发出的紫光经第二光转换体14时激发蓝色荧光粉、青色荧光粉和黄绿荧光粉分别产生蓝光、青光和黄绿光；进而蓝光、深红光、红光、橙光、紫光、青光和黄绿光混合成类白光。由于第一光转换体13中将类白光的全光谱混合荧光粉中深红色荧光粉、红色荧光粉和橙色荧光粉分离出来，使得蓝光led芯片经第一光转换体13单独激发出深红光、红光和橙光，可有效提升红光的发光强度，尤其是深红光的发光强度；同时，还能避免蓝色荧光粉、青色荧光粉激发出的蓝光和青光被深红色荧光粉、红色荧光粉或橙色荧光粉吸收，提升蓝光和青光的发光强度。

优选地，所述第一光转换体13中荧光粉的比例为所述第一光转换体13中荧光粉及所述第二光转换体14中荧光粉总量的5％-20％，以通过调节第一光转换体13荧光粉的所占比例来调节红光的亮度。在上述实施方式中，由于第一光转换体13中包含深红色荧光粉，因而上述发光二极管，可有效增加深红光(波长>700nm)的发光强度。如图7所示，本发明的发光二极管发出的类太阳光的发光强度随波长变化的分布为：发光强度从400nm波长的光线开始逐渐增强，并在410nm-425nm波长的光线区间逐渐稳定，然后从425nm波长开始缓慢增强，直至500nm-650nm波长的光线区间到达最大发光强度，发光强度从650nm波长开始逐渐减弱，并于710nm波长开始平缓减弱直至800nm波长时发光强度趋于0，该发光二极管发出的类太阳光光谱的整个可见光区的光谱连续，且其红光区的发光强度大于现有的类太阳光；该发光二极管发出的光线中波长位于410nm-710nm区间的发光强度不低于最大发光强度的60％，其更接近自然太阳光的光谱。另外，本发明的发光二极管发出的类太阳光的显色指数中ra值不小于95，rf值不小于96，cqs值不小于85，能够有效提升显色性能。

在本发明的发光二极管中第一光转换体和第二光转换体中的荧光粉还可以通过荧光粉层的形态设置于第一发光二极体和第二发光二极体上，接下来结合实施例2～实施例4对其进行详细说明。

实施例2

请参见图3，是本发明实施例2的一种发光二极管的结构示意图。

如图3所示，该发光二极管除了包含实施例1中的全部组成部件之外，其不同之处在于：第一光转换体13包括深红色荧光粉层131，第二光转换体14包括红色荧光粉层141、橙色荧光粉层142、黄绿荧光粉层143、青色荧光粉层144和蓝色荧光粉层145。蓝光led芯片发出的蓝光经第一光转换体13时激发深红色荧光粉层产生深红光，紫光led芯片发出的紫光经第二光转换体14时激发红色荧光粉层141、橙色荧光粉层142、黄绿荧光粉层143、青色荧光粉层144和蓝色荧光粉层145分别产生红光、橙光、黄绿光、青光、蓝光，进而蓝光、深红光、紫光、红光、橙光、黄绿光和青光混合成类白光。由于第一光转换体13中将类白光的全光谱混合荧光粉中深红色荧光粉通过深红色荧光粉层131分离出来，使得蓝光led芯片经第一光转换体13单独激发出深红光，可有效提升红光的发光强度。

其中，第一光转换体13和第二光转换体14中的不同颜色的荧光粉层可分别按照不同排列方式进行层叠。

实施例3

请参见图4，是本发明实施例3的一种发光二极管的结构示意图。

如图4所示，该发光二极管除了包含实施例1中的全部组成部件之外，其不同之处在于：第一光转换体13包括深红色荧光粉层131和红色荧光粉层141，第二光转换体14包括橙色荧光粉层142、黄绿荧光粉层143、青色荧光粉层144和蓝色荧光粉层145。蓝光led芯片发出的蓝光经第一光转换体13时激发深红色荧光粉层131和红色荧光粉层141分别产生深红光和红光；紫光led芯片发出的紫光经第二光转换体14时激发橙色荧光粉层142、黄绿荧光粉层143、青色荧光粉层144和蓝色荧光粉层145分别产生橙光、黄绿光、青光和蓝光，进而蓝光、深红光、红光、紫光、橙光、黄绿光和青光混合成类白光。由于第一光转换体13中将类白光的全光谱混合荧光粉中深红色荧光粉和红色荧光粉通过深红色荧光粉层131和红色荧光粉层141分离出来，使得蓝光led芯片经第一光转换体13单独激发出深红光和红光，可有效提升红光的发光强度。

可以理解的，第一光转换体13还可以是深红色荧光粉层131和橙色荧光粉层142，第二光转换体14还可以是红色荧光粉层141、黄绿荧光粉层143、青色荧光粉层144和蓝色荧光粉层145，且第一光转换体13和第二光转换体14中的荧光粉层可分别按照不同排列方式进行层叠。

实施例4

请参见图5，是本发明实施例4的一种发光二极管的结构示意图。

如图5所示，该发光二极管除了包含实施例1中的全部组成部件之外，其不同之处在于：第一光转换体13包括深红色荧光粉层131、红色荧光粉层141和橙色荧光粉层142，第二光转换体14包括黄绿荧光粉层143、青色荧光粉层144和蓝色荧光粉层145。蓝光led芯片发出的蓝光经第一光转换体13时激发深红色荧光粉层131、红色荧光粉层141和橙色荧光粉层142分别产生深红光、红光和橙光；紫光led芯片发出的紫光经第二光转换体14时激发黄绿荧光粉层143、青色荧光粉层144和蓝色荧光粉层145分别产生黄绿光、青光和蓝光，进而蓝光、深红光、红光、橙光、紫光、黄绿光和青光混合成类白光。由于第一光转换体13中将类白光的全光谱混合荧光粉中深红色荧光粉、红色荧光粉和橙色荧光粉通过红色荧光粉层131、红色荧光粉层142和橙色荧光粉层143分离出来，使得蓝光led芯片经第一光转换体13单独激发出深红光、红光和橙光，可有效提升红光的发光强度，尤其是深红光的发光强度；同时，还能避免蓝色荧光粉层、青色荧光粉层激发出的蓝光和青光被深红色荧光粉层、红色荧光粉层或橙色荧光粉层吸收，提升蓝光和青光的发光强度。

在上述实施例2～4中，由于第一光转换体13中包含深红色荧光粉层131，因而上述发光二极管，可有效增加深红光(波长>700nm)的发光强度。如图7所示，本发明的发光二极管发出的类太阳光的发光强度随波长变化的分布为：发光强度从400nm波长的光线开始逐渐增强，并在410nm-425nm波长的光线区间逐渐稳定，然后从425nm波长开始缓慢增强，直至500nm-650nm波长的光线区间到达最大发光强度，发光强度从650nm波长开始逐渐减弱，并于710nm波长开始平缓减弱直至800nm波长时发光强度趋于0，该发光二极管发出的类太阳光光谱的整个可见光区的光谱连续，且其红光区的发光强度大于现有的类太阳光；该发光二极管发出的光线中波长位于410nm-710nm区间的发光强度不低于最大发光强度的60％，其更接近自然太阳光的光谱。另外，本发明的发光二极管发出的类太阳光的显色指数中ra值不小于95，rf值不小于96，cqs值不小于85，能够有效提升显色性能。

在上述实施例2～4中，当蓝光led芯片上的荧光粉层由下至上的层叠顺序为荧光粉层发射波长从短到长的顺序时，由于发射波长较长的荧光粉层会吸收发射波长较短的荧光粉层所激发的光，会降低该发光二极管的发光效率。因而，上述实施例的优选方案为蓝光led芯片和紫光led芯片上的荧光粉层由下至上的层叠顺序为荧光粉层发射波长从长到短的顺序，以避免荧光粉层吸收光而降低发光效率。

进一步地，为了提升该发光二极管的发光效率，如图2～图6所示，该发光二极管还包括：反光杯15，套设于载体1的侧壁，用于反射杯腔内的光。

进一步地，该载板包括第一载板和第二载板，第一载板与第二载板之间设置有绝缘隔离部件16；第一发光二极体11的第一电极与第一载板连接，第二电极与第二发光二极体12的第一电极连接；第二发光二极体12的第二电极与第二载板连接。

实施例5

如图6所示，该发光二极管除了包含实施例1中的全部组成部件之外，其不同之处在于，该发光二极管中包括多个第一发光二极体11和多个第二发光二极体12，以增加发光二极管的发光强度；且第一发光二极体11和第二发光二极体12间隔设置，以均匀混光。

例如，在该实施例中，第一发光二极体11和第二发光二极体12的设置方式可以是在两个第二发光二极体12之间设置一个第一发光二极体11，以均匀混光；还可以是根据第一发光二极体11和第二发光二极体12的数量比例设置，例如，如图3所示，第一发光二极体11和第二发光二极体12按照2:4的比例设置，且由于发光杯具有发射作用，可将第一发光二极体11设置于杯腔的外侧，以均匀混光。

实施例6

本发明还公开一种发光二极管的制作方法，包括如下步骤：

在载体上固定至少一个第一发光二极体和至少一个第二发光二极体；所述第一发光二极体用于发出第一颜色光，所述第二发光二极体用于发出第二颜色光；

采用引线键合方式将所述至少一个第一发光二极体和所述至少一个第二发光二极体与所述载体进行电连接；

在所述至少一个第一发光二极体上点涂第一光转换体；所述第一光转换体用于将所述第一颜色光转换为红光；

在所述至少一个第二发光二极体上点涂第二光转换体；

烘烤固化，得到发光二极管。

与现有技术相比，本发明的发光二极管的制作方法由于采用在第一发光二极体上包覆第一光转换体的方式来激发红光，可避免出现红光颜色漂移的问题，并增加红光的发光强度；且利用在第二发光二极体上包裹第二光转换体的方式来激发类太阳光中其他波段的光，进而使得第一颜色光、红光、第二颜色光以及第二光转换体转换得到的光混合成类太阳光，能够有效提升红光的强度，使得该发光二极管混合成的类太阳光与自然太阳光的发光光谱高度重合，显著提高发光二极管的显色性能。

其中，优选地，在该实施例中，第一发光二极体包括蓝光led芯片，第二发光二极体包括紫光led芯片。由于蓝光led芯片和紫光led芯片的热漂移性能和热态光衰差异较小，则可有效避免相同热态条件下蓝光led芯片和紫光led芯片产生热漂移，进而避免紫光颜色漂移和蓝光颜色漂移，提升发光效率。其中，蓝光led芯片发射出蓝光的波长范围为440nm～460nm，紫光led芯片发射出紫光的波长范围为365nm～425nm。

更进一步地，该发光二极管中的蓝光led芯片和紫光led芯片的半导体材料包括ⅲ-ⅵ族元素。因蓝光led芯片和紫光led芯片采用相同材料体系的半导体材料制成，使得蓝光led芯片和紫光led芯片具有相同的耐热性能，可进一步减小二者之间的热漂移性能差异和热态光衰差异，提升发光效率。

可选地，在该实施例中，第一光转换体包括深红色荧光粉，第二光转换体包括蓝色荧光粉、青色荧光粉、黄绿荧光粉、橙色荧光粉和红色荧光粉。蓝光led芯片发出的蓝光经第一光转换体时激发深红色荧光粉产生深红光；紫光led芯片发出的紫光经第二光转换体时激发蓝色荧光粉、青色荧光粉、黄绿荧光粉、橙色荧光粉和红色荧光粉分别产生蓝光、青光、黄绿光、橙光、红光；进而蓝光、深红光、紫光、青光、黄绿光、橙光和红光混合成类白光。由于第一光转换体中将类白光的全光谱混合荧光粉中深红色荧光粉分离出来，使得蓝光led芯片经第一光转换体单独激发出深红光，可有效提升红光的发光强度。

可选地，在该实施例中，第一光转换体包括深红色荧光粉和橙色荧光粉，第二光转换体包括蓝色荧光粉、青色荧光粉、黄绿荧光粉和红色荧光粉。蓝光led芯片发出的蓝光经第一光转换体时激发深红色荧光粉和橙色荧光粉产生深红光和橙光；紫光led芯片发出的紫光经第二光转换体时激发蓝色荧光粉、青色荧光粉、黄绿荧光粉和红色荧光粉分别产生蓝光、青光、黄绿光、红光；进而蓝光、深红光、橙光、紫光、青光、黄绿光和红光混合成类白光。由于第一光转换体中将类白光的全光谱混合荧光粉中深红色荧光粉和橙色荧光粉分离出来，使得蓝光led芯片经第一光转换体单独激发出深红光和橙光，可有效提升红光的发光强度。

可选地，在该实施例中，第一光转换体包括深红色荧光粉和红色荧光粉，第二光转换体包括蓝色荧光粉、青色荧光粉、黄绿荧光粉和橙色荧光粉。蓝光led芯片发出的蓝光经第一光转换体时激发深红色荧光粉和红色荧光粉产生深红光和红光；紫光led芯片发出的紫光经第二光转换体时激发蓝色荧光粉、青色荧光粉、黄绿荧光粉和橙色荧光粉分别产生蓝光、青光、黄绿光、橙光；进而蓝光、深红光、红光、紫光、青光、黄绿光和橙光混合成类白光。由于第一光转换体中将类白光的全光谱混合荧光粉中深红色荧光粉和红色荧光粉分离出来，使得蓝光led芯片经第一光转换体单独激发出深红光和红光，可有效提升红光的发光强度，尤其是深红光的发光强度。

可选地，在该实施例中，第一光转换体包括深红色荧光粉、红色荧光粉和橙色荧光粉，第二光转换体包括蓝色荧光粉、青色荧光粉和黄绿荧光粉。蓝光led芯片发出的蓝光经第一光转换体时激发深红色荧光粉、红色荧光粉和橙色荧光粉分别产生深红光、红光和橙光；紫光led芯片发出的紫光经第二光转换体时激发蓝色荧光粉、青色荧光粉和黄绿荧光粉分别产生蓝光、青光和黄绿光；进而蓝光、深红光、红光、橙光、紫光、青光和黄绿光混合成类白光。由于第一光转换体中将类白光的全光谱混合荧光粉中深红色荧光粉、红色荧光粉和橙色荧光粉分离出来，使得蓝光led芯片经第一光转换体单独激发出深红光、红光和橙光，可有效提升红光的发光强度，尤其是深红光的发光强度；同时，还能避免蓝色荧光粉、青色荧光粉激发出的蓝光和青光被深红色荧光粉、红色荧光粉或橙色荧光粉吸收，提升蓝光和青光的发光强度。

优选地，所述第一光转换体中荧光粉的比例为所述第一光转换体中荧光粉及所述第二光转换体中荧光粉总量的5％-20％，以通过调节第一光转换体荧光粉的所占比例来调节红光的亮度。

优选地，上述实施例中所述第一光转换体和所述第二光转换体均包括透明密封体和基质；所述第一光转换体的基质中掺入有稀土金属离子或过渡金属元素离子，以作为发光中心激活离子；所述第二光转换体的基质中掺入有ce³⁺和eu2+中的一种或两种组合，以作为发光中心激活离子。其中，稀土金属离子包括pr，tb，eu，dy，nd，sm中的一种或多种组合；过渡金属元素离子包括cr，ti，v，ni，cu中的一种或多种组合。

更进一步地，所述基质分布于所述透明密封体内，所述基质包括y3al5o12、lu3al5o12、sr5(po4)3cl、sialon、氮化物、镓氧化物和硅酸盐中的一种或多种组合。

以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明做任何形式上的限制，故凡未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。