用于叠瓦组件的电池片的制备方法与流程

本申请涉及光伏组件技术领域，特别是指一种用于叠瓦组件的电池片的制备方法。

背景技术：

叠瓦技术是将传统电池片切为多个小片后，使用导电胶进行叠加串联。目前市场上的叠瓦组件所用的电池片通常是将不良电池片、良品电池片经激光切割成小片后，进行封装而成。但是，由于不良电池片存在缺角、崩边等缺陷，因此将不良电池片作为叠瓦组件的来源，在很大程度上限制了组件效率的提升；而将良品电池片作为叠瓦组件的来源，虽然可以带来组件效率的提高，但是激光切割过程中，极易造成电池片pn结的损伤，导致产生不良硅片，这在一定程度上也限制了组件效率的提升。因此，对电池片进行切割容易造成pn结的损伤，而且同时会产生不良片，会耗费大量的电池片。

现有技术中采用的一种解决方案是在切割硅片之前对硅片进行预切割处理，一般包括以下两种方法：

1)首先对硅片进行预切割处理(切割深度为20-50μm)，然后将硅片放入花篮中进行制绒、清洗以及后工序处理，再对硅片进行掰片。但是，由于先对硅片进行了预切割，切割时切割点产生的应力损伤对后序操作所产生的连锁效应，最终导致硅片在制绒、清洗等过程中会造成碎片、隐裂等问题。

2)首先将硅片放入花篮中进行制绒、清洗以及后工序处理，然后对硅片进行预切割处理(切割深度为20-50μm)，再对硅片进行掰片。这种方法虽然可以避免碎片、隐裂等问题，但是由于预切割是在清洗工序之后、离子增强化学气相沉积之前，因此在生产过程中产生粉尘、油类脂肪类物质、金属杂质等会污染硅片，最终影响电池片的质量。

技术实现要素：

有鉴于此，本申请的目的在于提出一种用于叠瓦组件的电池片的制备方法，以解决pn结损伤，电池片质量低的技术问题。

本申请实施例提供了一种用于叠瓦组件的电池片的制备方法，包括以下步骤：

通过预设的掩膜板和丝印网版，在硅片的沉积区域制备光伏电池芯片；其中，所述掩膜板和所述丝印网版分别预留有用于在所述硅片形成待切割区域的阻隔机构；

对所述硅片的切割区域进行切割，制备得到用于叠瓦组件的电池片。

在本申请的一些实施例中，所述通过预设的掩膜板和丝印网版，在硅片的沉积区域制备光伏电池芯片，包括：

通过第一掩膜板在硅片的沉积区域沉积本征层、p型掺杂层和n型掺杂层；

通过第二掩膜板在所述p型掺杂层和n型掺杂层上的沉积区域沉积透明导电膜；

通过丝印网版在所述透明导电膜上的沉积区域制作电极，得到所述光伏电池芯片。

在本申请的一些实施例中，所述掩膜板包括框架主体和至少一根掩膜格条，所述至少一根掩膜格条为所述阻隔机构，所述掩膜格条的两端分别与所述框架主体的相对两侧连接，所述掩膜格条在所述硅片的正投影为所述待切割区域；所述掩膜格条与所述框架主体之间的空白区域和相邻的所述掩膜格条之间的空白区域在所述硅片上的正投影为所述沉积区域。

在本申请的一些实施例中，所述第一掩膜板与所述第二掩膜板为同一个掩膜板。

在本申请的一些实施例中，所述第二掩膜板的空白区域的长度小于所述第一掩膜板的空白区域的长度，所述第二掩膜板的空白区域的宽度小于所述第一掩膜板的空白区域的宽度；第二掩膜板的掩膜格条在所述硅片上的正投影落在与第一掩膜板的掩膜格条在所述硅片上的正投影内。

在本申请的一些实施例中，所述第二掩膜板的框架主体包括平面框架和斜面框架，所述平面框架位于所述斜面框架的外侧，并与所述斜面框架的边缘固定连接；所述平面框架所在平面与所述斜面框架所在平面的夹角为60°～75°。

在本申请的一些实施例中，所述丝印网版包括网版主体和至少一根网版格条，所述网版格条的两端分别与所述网版主体的相对两侧连接，所述网版格条在所述硅片上的正投影与所述掩膜格条在所述硅片上的正投影相同。

在本申请的一些实施例中，通过丝印网版在所述透明导电膜上的沉积区域制作电极，得到所述光伏电池芯片，包括：

通过丝印网版和导电银浆，在所述透明导电膜上丝印主栅线和副栅线，并烘干形成电极。

在本申请的一些实施例中，通过第一掩膜板在硅片的沉积区域沉积本征层、p型掺杂层和n型掺杂层，包括：

通过第一掩膜板在硅片的两个表面的沉积区域沉积本征层；

在所述硅片的一个表面的沉积区域进行p型掺杂，形成p型掺杂层；

在所述硅片的另一个表面的沉积区域进行n型掺杂，形成n型掺杂层；

其中，所述本征层为本征非晶硅膜层；所述p型掺杂层为p型薄膜层；所述n型掺杂层为n型薄膜层。

在本申请的一些实施例中，在通过预设的掩膜板和丝印网版，在硅片的沉积区域制备光伏电池芯片之前，所述方法还包括：

对硅片进行制绒和清洗；和/或

对所述硅片进行刻蚀标记。

本申请实施例通过预设的掩膜板和丝印网版在硅片的沉积区域沉积薄膜和丝印栅线，并预留出待切割区域，可以对待切割区域进行切割，从而得到无pn结损伤的电池片，为叠瓦组件提供高质量的片源，进而提高叠瓦组件的效率。而且，所述方法采用钝化后激光切割的方式，一方面可以确保电池片无pn结损伤，有利于提高产品良率；另一方面可以避免切割时切割点产生的应力损伤对后序操作所产生的连锁效应，从而解决硅片在制绒、清洗等过程中会造成碎片、隐裂等的问题。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请实施例的用于叠瓦组件的电池片的制备方法的流程图；

图2为本申请一个实施例的第一掩膜板或第二掩膜板的主视图；

图3为本申请再一个实施例的第一掩膜板或第二掩膜板的主视图

图4为本申请一个实施例的第二掩膜板的主视图；

图5为本申请一个实施例的第二掩膜板的后视图；

图6为本申请又一个实施例的第二掩膜板的主视图；

图7为本申请又一个实施例的第二掩膜板的后视图；

图8为本申请一个实施例的丝印网版的主视图；

图9为本申请另一个实施例的丝印网版的主视图。

具体实施方式

为了使本技术领域的人员更好地理解本申请方案，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本申请保护的范围。

需要说明的是，本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本申请的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。

本申请实施例提供了一种用于叠瓦组件的电池片的制备方法，包括：通过预设的掩膜板和丝印网版，在硅片的沉积区域制备光伏电池芯片；其中，所述掩膜板和所述丝印网版分别预留有用于在所述硅片形成待切割区域的阻隔机构；对所述硅片的待切割区域进行切割，制备得到用于叠瓦组件的电池片。

其中，在硅片的沉积区域制备的光伏电池芯片可以采用多种结构，例如，带本征硅薄层的异质结(hit)结构，或hit改进结构，在此不做具体限定。

本申请实施例通过预设的掩膜板和丝印网版在硅片的沉积区域制备光伏电池芯片，由于预设掩膜板和丝印网版的作用会在硅片留出待切割区域，沿着待切割区域进行切割，可得到无pn结损伤的电池片，为叠瓦组件提供高质量的片源，进而提高叠瓦组件的效率。

本申请的一个实施例中，如图1所示，用于叠瓦组件的电池片的制备方法包括以下步骤：

步骤101，对硅片进行制绒和清洗；

步骤102，通过第一掩膜板在硅片的沉积区域沉积本征层、p型掺杂层和n型掺杂层；

步骤103，通过第二掩膜板在所述p型掺杂层和n型掺杂层上的沉积区域沉积透明导电膜；

步骤104，通过丝印网版在所述透明导电膜上的沉积区域制作电极，得到光伏电池芯片；

步骤105，沿着所述硅片的待切割区域，对所述硅片进行切割，制备得到用于叠瓦组件的电池片。

在本申请的实施例中，首先通过掩膜板在硅片表面的沉积区域沉积本征层、p型掺杂层和n型掺杂层，然后在沉积区域进一步沉积透明导电膜，并在沉积区域制作电极，最后沿着硅片表面的待切割区域进行切割。可见，本申请实施例提供的方法，在制备叠瓦组件所需电池片的过程中预留出待切割区域，以避免在切割过程中损伤电池片，有利于提高产品良率和电池效率，从而有利于高效叠瓦组件效率的提升。

本申请的一个实施例中，如图2-7所示，掩膜板包括框架主体1和至少一根掩膜格条2，所述至少一根掩膜格条2为所述阻隔机构，所述掩膜格条2的两端分别与所述框架主体1的相对两侧连接，所述掩膜板的空白区域在硅片上的正投影为硅片的沉积区域。其中，所述掩膜板的空白区域包括：所述掩膜格条2与所述框架主体1之间的空白区域和相邻的所述掩膜格条2之间的空白区域。所述掩膜格条2在所述硅片上的正投影为所述待切割区域。

以下对上述步骤101-步骤105进行详细说明：

在本申请的一个实施例中，在步骤101中，首先对硅片进行制绒，然后对制绒后的硅片进行清洗。制绒有利于减少光的反射率，提高短路电流，以致提高光电转换效率。可选地，所述步骤101可以包括：将硅片放入含有氨水和双氧水的混合溶液中进行预清洗；将所述硅片放入碱液中进行抛光；将所述硅片放入含有碱液和添加剂的混合溶液中进行制绒；采用盐酸、双氧水、硝酸、氢氟酸和氨水对所述硅片进行清洗，或者在采用通入臭氧的超纯水对所述硅片进行清洗。本申请实施例通过预清洗、抛光去除硅片表面脏污和机械损伤层，然后再依次进行制绒、清洗等工序。

可选地，采用盐酸、双氧水、硝酸、氢氟酸和氨水对所述硅片进行清洗，包括：将所述硅片放入含有盐酸和双氧水的混合溶液中进行清洗；将所述硅片放入含有氢氟酸和硝酸的混合溶液中进行清洗；将所述硅片放入含有氨水和双氧水的混合溶液中进行清洗；将所述硅片放入含有氢氟酸和盐酸的混合溶液中进行清洗。可选地，在清洗的过程中，在所述含有盐酸和双氧水的混合溶液中通入臭氧，在所述含有氨水和双氧水的混合溶液中通入臭氧，以提高清洗效果。

在本申请的一个实施例中，在步骤101之前，所述方法还可以包括：对硅片进行刻蚀标记。可选地，可以采用激光对硅片进行刻蚀标记，从而在所述硅片的表面标记编号和正、反面等。其中，所述标记的深度可以为20～40μm。实际应用中，可取厚度100～250μm的硅片(其尺寸可以是125×125mm、156.75×156.75mm或者158×158mm等)，使用激光对硅片的其中一面的一个横边进行刻蚀标记，以在所述硅片的表面标记批号、号码等，以便于区分硅片的两个表面。

在本申请的一个实施例中，如图2所示，所述第一掩膜板包括框架主体1和至少一根掩膜格条2，所述掩膜格条2的两端分别与所述框架主体1的相对两侧连接，所述掩膜格条2与所述框架主体1之间的空白区域或者相邻的所述掩膜格条2之间的空白区域在所述硅片表面上的正投影为所述沉积区域，掩膜格条2在所述硅片表面上的正投影为待切割区域。

需要指出的是，由于掩膜格条2的存在，将掩膜板放置于硅片上后，硅片上可划分出沉积区域和待切割区域。

在本申请的一个实施例中，在步骤102中，将第一掩膜板放在所述硅片上，并通过等离子体增强化学气相沉积在所述硅片表面的沉积区域沉积本征层、p型掺杂层和n型掺杂层。由于在沉积本征层、p型掺杂层和n型掺杂层之前已将第一掩膜板放在了硅片上，因此可以准确地在所述硅片的沉积区域进行本征层、p型掺杂层和n型掺杂层的沉积，同时使硅片的待切割区域(即掩膜格条2在硅片上的正投影)不进行沉积操作，以便于后续步骤在所述待切割区域进行切割硅片。

在本申请的一个实施例中，第一掩膜板可以为铝制材质，厚度1～3㎜。第一掩膜板中掩膜格条2的数量可以为n，从而均匀地将硅片分割成n+1个等面积的图形。

在本申请的一个实施例中，如图2所示，所述掩膜主体1上还开设有定位孔3，所述定位孔3的直径为1～3mm，所述定位孔3的中心与所述掩膜主体1的内部边缘的距离为1～2mm。需要指出的是，定位孔3也可以位于掩膜主体1的四个角上，例如，对等的位于掩膜主体1的四个角上，定位孔3的设计可以根据载板实际情况而定。在实际使用时，考虑到生产的实效性，因此掩膜板可以为多个单一掩膜板的整合体，以便于同时制作多个电池片。

沉积前将硅片放于载板上(载板上有槽体，硅片放在槽体中)，可以在载板上设计一些凸起的销钉，然后将掩膜板轻放于硅片上，掩膜板通过其上的定位孔3落在销钉上即可进行固定。每次沉积前，均可将掩膜板掩膜于硅片上。

在本申请的一个实施例中，掩膜板的四角可以是直角，如图2所示，也可以是倒角，如图3所示。对于拉制型硅片，可以优选倒角掩膜板进行掩膜，如图3所示；对于铸锭型硅片，可以优选直角掩膜板进行掩膜，如图2所示。

在本申请的一个实施例中，本征层、p型掺杂层和n型掺杂层分别为：本征非晶硅膜层、p型薄膜层和n型薄膜层。

在本申请的一个实施例中，通过第一掩膜板在硅片的沉积区域沉积本征层、p型掺杂层和n型掺杂层，包括：通过第一掩膜板在硅片的两个表面的沉积区域沉积本征层；在所述硅片的一个表面的本征层的表面进行p型掺杂，形成p型掺杂层；在所述硅片的另一个表面的本征层的表面进行n型掺杂，形成n型掺杂层。其中，p型掺杂层可以为p型非晶硅膜层或p型微晶硅膜层；n型掺杂层可以为n型非晶硅膜层或n型微晶硅膜层。

在本申请的一个实施例中，可以在所述硅片的正面进行p型掺杂，在所述硅片的反面进行n型掺杂；也可以在所述硅片的正面进行n型掺杂，在所述硅片的反面进行p型掺杂，本申请实施例对此不作限制。可以先进行p型掺杂，再进行n型掺杂；也可以先进行n型掺杂，再进行p型掺杂，本申请实施例对此不作限制。

由于硅片表面的待切割区域没有进行沉积，因此在沿着所述硅片的待切割区域进行硅片切割时，不会损伤pn结。

其中，pn结是指：采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将p型半导体(即p型薄膜层)与n型半导体(即n型薄膜层)制作在同一块半导体(通常是硅或锗)基片上，在它们的交界面形成的空间电荷区即为pn结。

在本申请的一个实施例中，可以采用化学沉积方法来沉积本征层、p型掺杂层和n型掺杂层，例如常用的等离子增强化学气相沉积(plasmaenhancedchemicalvapordeposition，pecvd)和热丝化学气相沉积等。

在沉积本征层的步骤中，一般以氢气稀释的硅烷为前驱体，沉积温度180℃～240℃，沉积气压几十帕到几百帕，在等离子体系统中，电子与反应气体发生反应，使得反应气体分解，形成离子和活性基团，这些离子和活性基团在载体硅片表面上沉积，并不断地发生反应，最终在硅片的正反面均形成本征层。

在掺杂步骤中，可以以硼烷或三甲基硼作为掺杂源，对所述硅片的一个表面进行p型掺杂；以磷烷作为掺杂源，对所述硅片的一个表面进行n型掺杂。具体地，采用与沉积本征层类似的等离子体系统来完成，对p型掺杂层常用掺杂源气体是硼烷或三甲基硼，而对n型掺杂则用磷烷做掺杂源，这些掺杂源气体中通常都会用大量的氢气进行稀释。

在本申请的一个实施例中，在步骤103中，通过第二掩膜板在所述p型掺杂层和n型掺杂层上的沉积区域沉积透明导电膜，以收集硅片中产生的光生载流子。进一步地，透明导电膜还作为减反膜，以减少或消除元件光学表面的反射光，从而增加元件的透光量。其中，第二掩膜板上的空白区域在p型掺杂层表面上的正投影为p型掺杂层上的沉积区域；第二掩膜板上的空白区域在n型掺杂层表面上的正投影为n型掺杂层上的沉积区域。

可选地，可以通过物理气相沉积(physicalvapordeposition，pvd)将透明导电氧化物(tco)沉积到所述硅片的沉积区域，从而在硅片表面形成透明导电膜。

可选地，所述步骤103中采用的第二掩膜板和步骤102中采用的第一掩膜板可以相同，如图2、3所示。实际应用中，第一掩膜板和第二掩膜板可以为同一个掩膜板。

可选地，为了实现更好的沉积效果，避免发生绕镀现象，所述步骤102和步骤103中可采用不同的掩膜板进行掩膜，具体的不同可体现在掩膜板的尺寸上。第一掩膜板与第二掩膜板的结构相似但尺寸不同。所述第二掩膜板的空白区域的长度可以小于所述第一掩膜板的空白区域的长度，所述第二掩膜板的空白区域的宽度可以小于所述第一掩膜板的空白区域的宽度。第二掩膜板的掩膜格条在所述硅片上的正投影落在第一掩膜板的掩膜格条在所述硅片上的正投影内。

如图2、3所示，所述第二掩膜板包括框架主体1和至少一根掩膜格条2，所述掩膜格条2的两端分别与所述框架主体1的相对两侧连接，所述掩膜格条2与所述框架主体1之间的空白区域或者相邻的所述掩膜格条2之间的空白区域在所述硅片上的正投影为所述沉积区域。

可选地，第二掩膜板可以为铝制材质，厚度1～3㎜。第二掩膜板中掩膜格条2的数量可以为n，从而均匀地将硅片分割成n+1个等面积的图形。

如图2所示，第二掩膜板的掩膜主体1上还开设有定位孔3，所述定位孔3的直径为1～3mm，所述定位孔3的中心与第二掩膜板的掩膜主体1的内部边缘的距离为2～5mm。在步骤103中所使用的第二掩膜板的空白区域的长度、宽度是小于硅片的长度、宽度的，这样，可以防止在pvd沉积透明导电膜时发生绕镀，导致硅片两个表面的p型薄膜层和n型薄膜层导通，从而导致电池片没有效率或效率偏低。

需要指出的是，定位孔3的位置也可以是对等的位于第二掩膜板的掩膜主体1的四个角上(定位孔3的设计可以根据载板实际情况而定)。在实际使用时，考虑到生产的实效性，因此掩膜板可以为多个单一掩膜板的整合体，以便于同时制作多个电池片。

可选地，所述第二掩膜板的结构也可以与第一掩膜板的结构不同。如图4-7所示，第二掩膜板的框架主体1包括平面框架12和斜面框架11，其中，所述平面框架12与斜面框架11位于两个不同的平面，即平面框架12所在平面与斜面框架11所在平面之间呈一定角度的夹角，使得与掩膜板内部边接触的硅片上沉积透明导电膜。所述平面框架12位于所述斜面框架11的外侧，并与所述斜面框架11的边缘固定连接；其中，所述平面框架12所在平面与斜面框架11所在平面的夹角为60°～75°。如果平面框架12所在平面和斜面框架11所在平面的夹角过大或者过小，会导致与掩膜板内部边接触的硅片出现没有透明导电膜的现象，最终会导致电池片效率偏低。因此，将平面框架12所在平面与斜面框架11所在平面的夹角设计为60°～75°，可以保证在硅片的沉积区域都沉积上透明导电膜，从而保证得到高效的电池片。

可以理解的是，与步骤102类似，步骤103中使用的第二掩膜板的四角可以是直角，如4、5所示，也可以是倒角，如图6、7所示。对于拉制型硅片，可以优选倒角掩膜板进行掩膜，如图6、7所示；对于铸锭型硅片，可以优选直角掩膜板进行掩膜，如图4、5所示。

在步骤104中，先将步骤103中使用的第二掩膜板从所述硅片上取下来，然后将丝印网版放在沉积了透明导电膜的硅片上，再采用导电银浆在透明导电膜上的沉积区域制作电极。由于不对硅片的待切割区域制作电极，因此可以节省银浆的使用成本。其中，丝印网版的空白区域在透明导电膜上的正投影为透明导电膜上的沉积区域。

如图8所示，所述丝印网版包括网版主体4和至少一根网版格条5，所述网版格条5的两端分别与所述网版主体4的相对两侧连接，所述网版格条5在所述硅片上的正投影与所述掩膜格条2在所述硅片上的正投影相同，以避免在所述硅片的待切割区域丝印栅线。

具体地，可以通过丝印网版和导电银浆，在透明导电膜上丝印主栅线和副栅线，并烘干形成电极。所述主栅线和副栅线均用于收集电流，同时主栅线还收集副栅线的电流。

针对丝印网版的设计，可以根据掩膜板以及硅片大小尺寸，设计出合理的网版主体4，如图8、图9所示，所述网版主体4包括网版主栅41和网版副栅42，其中网版主栅41可以设计为无主栅、六主栅、五主栅、四主栅等。其中，图8所示的丝印网版适用于铸锭型硅片，图9所示的丝印网版适用于拉制型硅片。

在步骤105中，先将步骤104中使用的丝印网版从所述硅片上取下来，然后沿着所述硅片的待切割区域，对所述硅片进行切割，从而制备得到用于叠瓦组件的电池片。

可选地，调整好硅片的放置位置，使激光对准待切割区域(即无膜层)，并沿着所述硅片的待切割区域，对所述硅片进行激光切割，从而得到无pn结损伤的电池片，为叠瓦组件提供高质量的片源，进而提高叠瓦组件的效率。

可见，本申请实施例特制了沉积工序所需的掩膜板和丝网印刷工序所需的丝印网版，通过特制的掩膜板和丝印网版在硅片的沉积区域沉积薄膜和制作电极，并预留出待切割区域，可以沿着待切割区域进行切割，从而得到无pn结损伤的电池片，为叠瓦组件提供高质量的片源，进而提高叠瓦组件的效率。

而且，所述方法采用钝化后激光切割的方式，一方面可以确保电池片无pn结损伤，有利于提高产品良率；另一方面，由于硅片因为硅片本身比较薄，韧性很低，多次接触易造成碎片，本申请实施例不对硅片进行预切割，在工序的最后直接进行切割，可以避免切割时切割点产生的应力损伤对后序操作所产生的连锁效应，从而解决硅片在制绒、清洗等过程中会造成碎片、隐裂等的问题。

需要说明的是，上述实施例中的尺寸仅仅是示意性的，在实际生产过程中，尺寸大小根据实际工艺确定，本申请实施例对此不作限制。

以下以一个具体的实施方式为例，对本申请的实施例进行详细说明：

步骤1)、在该步骤中，取厚度100～250μm的硅片(其尺寸可以是125×125mm、156.75×156.75mm或者158×158mm等)，使用激光对硅片的一个横边进行刻蚀标记，以在所述硅片的表面标记批号、号码等，以及硅片的正面、反面，以便于区分硅片的两个表面。其中，所述标记的深度为20～40μm。

步骤2)、对硅片进行制绒和清洗，具体包括：

a)、插片：将激光刻蚀后的硅片插入花篮中；

b)、预清洗：将硅片放入50～90℃的含有氨水和双氧水的混合溶液中5～10min；

c)、水洗：将所述硅片放入常温水槽进行清洗；

d)、抛光：将所述硅片放入60～90℃的碱液中1～5min；

e)、制绒：将所述硅片放入60～90℃的含有碱液和添加剂的混合溶液中5～20min；其中，所述添加剂可以是tk81；

f)、水洗：将所述硅片放入常温水槽进行清洗；

g)、将所述硅片放入含有盐酸和双氧水的混合溶液中进行清洗；将所述硅片放入含有氢氟酸和硝酸的混合溶液中进行清洗；将所述硅片放入含有氨水和双氧水的混合溶液中进行清洗；将所述硅片放入含有氢氟酸和盐酸的混合溶液中进行清洗。

步骤3)、pecvd工序：将掩膜板放在所述硅片上，并通过等离子体增强化学气相沉积在所述硅片的两个表面沉积本征层，从而在所述硅片的表面形成沉积区域和待切割区域；在所述硅片的一个表面的沉积区域进行p型掺杂，从而在该表面的沉积区域形成p型非晶硅膜层或p型微晶硅膜层；在所述硅片的另一个表面的沉积区域进行n型掺杂，从而在该表面的沉积区域形成n型非晶硅膜层或n型微晶硅膜层。在沉积本征层的步骤中，一般以氢气稀释的硅烷为前驱体，沉积温度180℃～240℃，沉积气压几十帕到几百帕，在等离子体系统中，电子与反应气体发生反应，使得反应气体分解，形成离子和活性基团，这些离子和活性基团在载体硅片表面上沉积，并不断地发生反应，最终在硅片的正反面均形成本征层。

在掺杂步骤中，可以以硼烷或三甲基硼作为掺杂源，对所述硅片的一个表面进行p型掺杂；以磷烷作为掺杂源，对所述硅片的一个表面进行n型掺杂。具体地，采用与沉积本征层类似的等离子体系统来完成，对p型掺杂层常用掺杂源气体是硼烷或三甲基硼，而对n型掺杂则用磷烷做掺杂源，这些掺杂源气体中通常都会用大量的氢气进行稀释。

步骤4)、pvd工序：将掩膜板放在所述硅片上，并通过pvd将tco沉积到所述硅片的两个表面的沉积区域，从而在硅片表面形成透明导电膜。

步骤5)、将丝印网版放在所述硅片上，再采用导电银浆在所述硅片的透明导电膜上丝印主栅线和副栅线。

步骤6)、iv测试(伏安特性曲线测试)：测试经过上述步骤后的电池片的电学性能；

步骤7)、激光切片：如果电学性能符合要求，则对准待切割区域，并沿着所述硅片的待切割区域，对所述硅片进行激光切割。

步骤8)、分选包装：将切割后的电池片整理并包装，以作为叠瓦组件备用。

由此可见，本申请实施例通过掩膜板和丝印网版在硅片的沉积区域沉积薄膜和制作电极，并预留出待切割区域，可以沿着待切割区域进行切割，从而得到无pn结损伤的电池片，为叠瓦组件提供高质量的片源，进而提高叠瓦组件的效率。而且，所述方法采用钝化后激光切割的方式，一方面可以确保电池片无pn结损伤，有利于提高产品良率；另一方面可以避免切割时切割点产生的应力损伤对后序操作所产生的连锁效应，从而解决硅片在制绒、清洗等过程中会造成碎片、隐裂等的问题。

所属领域的普通技术人员应当理解：以上任何实施例的讨论仅为示例性的，并非旨在暗示本公开的范围(包括权利要求)被限于这些例子；在本申请的思路下，以上实施例或者不同实施例中的技术特征之间也可以进行组合，并存在如上所述的本申请的不同方面的许多其它变化，为了简明它们没有在细节中提供。因此，凡在本申请的精神和原则之内，所做的任何省略、修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。