抗氧化导电结构以及抗氧化导电组件的制作方法
【技术领域】
[0001 ] 本实用新型涉及一种抗氧化导电结构以及抗氧化导电组件。
【背景技术】
[0002]目前市场上的涂料种类较多，黑色涂料的需求尤其大。原因是黑色对于抗氧化的能力非常好。而目前市场上的常规的黑色涂料是以普通碳浆制成，电阻不理想。而导通性很好金属材料又具有氧化性，在短期内即可发生氧化现象。不管是在生产还是在使用的过程中，导电性好且又需长期抗氧化的需求已十分迫切，因为氧化而造成材料的浪费及性能的影响非常严重:1、氧化后的色泽不均匀，严重会产生腐蚀。2、电阻会相应升高而变得不稳定，在需求导通接地的地方就会产生风险。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型解决的技术问题是提供一种导电且抗氧化性能较好的抗氧化导电结构。
[0004]本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:抗氧化导电结构，包括导电基体，导电基体表面设置有抗氧化导电层，抗氧化导电层的表面电阻0.001-1 Ω/inch2,抗氧化导电层的垂直电阻0.001-1 Ω/inch2，抗氧化导电层的厚度大于等于3 μ m，表面热幅射率0.9_0.99 ο
[0005]进一步的是:所述导电基体为铜箔。
[0006]进一步的是:所述导电基体为铝箔。
[0007]进一步的是:所述导电基体为导电布。
[0008]进一步的是:所述导电基体为不镑钢基体。
[0009]本实用新型还提供了抗氧化导电组件，包括第一电路组件和第二电路组件，还包括所述的抗氧化导电结构，所述第一电路组件通过抗氧化导电结构与第二电路组件相连。
[0010]本实用新型的有益效果是:使用时，可导电且抗氧化性能良好。
【附图说明】
[0011]图1为本实用新型的抗氧化导电结构的示意图；
[0012]图中标记为:导电基体1，抗氧化导电结构2。
【具体实施方式】
[0013]下面结合附图和【具体实施方式】对本实用新型进一步说明。
[0014]如图1所示，本实用新型的抗氧化导电结构包括导电基体，导电基体1表面设置有抗氧化导电层2，抗氧化导电层2的表面电阻0.001-1 Ω /inch2，抗氧化导电层2的垂直电阻0.001-1 Ω/inch2，抗氧化导电层2的厚度大于等于3 μ m，表面热幅射率0.9-0.99。上述结构能同时实现导电、屏蔽、接地、抗氧化，导热等功能。
[0015]上述抗氧化导电层可为现有的抗氧化涂料中加入导电颗粒，例如在碳浆中加入导电颗粒银、镍、铜等。加入后，其导电性能可得到显著提升，XYZ三向电阻一般可小于0.2ohms/inch2ο上述导电基体可为铜箔，招箔，导电布，不锈钢基体等。此外，还可在上述基础上，成品可与各胶粘剂复合使用。
[0016]以下介绍一种上述抗氧化导电结构的制作方法:
[0017]通过涂布工艺将抗氧化导电涂料涂在铜箔表面，过刮刀及烘箱固化后成卷收料为成品。
[0018]以上所述的具体实施例，对本实用新型的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本实用新型的具体实施例而已，并不用于限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.抗氧化导电结构，其特征在于:包括导电基体，导电基体表面设置有抗氧化导电层，抗氧化导电层的表面电阻0.001-1 Ω/inch2，抗氧化导电层的垂直电阻0.001-1 Ω/inch2，抗氧化导电层的厚度大于等于3 μ m，表面热幅射率0.9-0.99。2.如权利要求1所述的抗氧化导电结构，其特征在于:所述导电基体为铜箔。3.如权利要求1所述的抗氧化导电结构，其特征在于:所述导电基体为铝箔。4.如权利要求1所述的抗氧化导电结构，其特征在于:所述导电基体为导电布。5.如权利要求1所述的抗氧化导电结构，其特征在于:所述导电基体为不锈钢基体。6.抗氧化导电组件，包括第一电路组件和第二电路组件，其特征在于:还包括权利要求1至5中任意一项所述的抗氧化导电结构，所述第一电路组件通过抗氧化导电结构与第二电路组件相连。
【专利摘要】本实用新型公开了抗氧化导电结构以及抗氧化导电组件，可导电且抗氧化性能良好。其包括导电基体，导电基体表面设置有抗氧化导电层，抗氧化导电层的表面电阻0.001-1Ω/inch2，抗氧化导电层的垂直电阻0.001-1Ω/inch2，抗氧化导电层的厚度大于等于3μm，表面热幅射率0.9-0.99。上述结构能同时实现导电、屏蔽、接地、抗氧化，导热等功能。该导电组件包括第一电路组件和第二电路组件，还包括所述的抗氧化导电结构，所述第一电路组件通过抗氧化导电结构与第二电路组件相连。
【IPC分类】H01B5/00
【公开号】CN204991171
【申请号】CN201520687842
【发明人】邓联文, 徐丽梅, 吴娜娜, 刘张颖
【申请人】昆山汉品电子有限公司
【公开日】2016年1月20日
【申请日】2015年9月8日