技术特征：
技术总结
本发明公开了一种发光二极管的外延片及其制作方法，属于光电子制造技术领域。该外延片包括衬底和依次形成在衬底上的缓冲层、u型GaN层、布拉格反射层、n型GaN层、n型AlGaN层、应力释放层、发光层和p型层，布拉格反射层包括交替层叠的多层AlN层和多层AlGaN层。由于AlN层的折射率小于AlGaN层的折射率，且AlN层和AlGaN层的折射率均小于n型GaN层的折射率，发光层发出的光在通过n型GaN层和布拉格反射层的界面时会发生全反射，且在通过AlN层和AlGaN层的界面时也会发生全反射，使向衬底一侧发出的光被反射向p型层一侧，从而提高出光效率，使LED的亮度得到提高。
技术研发人员：刘春杨;吕蒙普;胡加辉;李鹏
受保护的技术使用者：华灿光电（浙江）有限公司
技术研发日：2018.12.17
技术公布日：2019.04.19