本公开涉及半导体技术领域，特别涉及一种GaN基LED器件。
背景技术：
GaN基LED具有节电、环保、体积小等诸多优点，目前已成为通用照明领域的主流。由于缺乏价廉的同质GaN衬底，GaN基LED通常采用蓝宝石、硅衬底等价格低廉的异质衬底，并且通常采用MOCVD技术进行GaN基LED外延结构的异质外延生产。为生长高质量的GaN基LED外延材料，需先在衬底材料上MOCVD低温生长GaN或A1N成核层，用于缓解异质衬底与GaN材料的晶格失配与热失配，然后在GaN或AlN成核层上采用MOCVD技术生长GaN基LED外延结构。近期，有相关报道证明[Improved output power of GaN-based ultraviolet light-emitting diodes with sputtered AlN nucleation layer，Journal ofCrystalGrowth，414，258-262，2015]，采用磁控溅射的A1N作为成核层，然后采用MOCVD技术制备GaN基LED可改善异质外延材料质量，提高LED发光效率，并大大提升LED的抗静电击穿(ESD)能力，因此，目前采用磁控溅射的AlN做GaN基LED的成核层获得广泛关注，并已投入批量化生产。
采用磁控溅射An成核层作为GaN基LED异质外延层面临的重要挑战是AlN成核层的晶体质量不够高，尤其是AlN成核层的X射线衍射XRD(10-12)晶面质量较差，从而降低后续MOCVD生长的GaN基外延材料质量，导致LED发光效率的降低。
技术实现要素：
鉴于上述技术问题，本公开提供了一种GaN基LED器件，具有制备时间短，成本低廉的优点，可大规模制备，提高了外延材料质量和器件性能。
本发明提供一种GaN基LED器件，包括：
一衬底；
一成核层，其制作在衬底上；
一非掺杂GaN层，其制作在成核层上；
一n型层，其制作在非掺杂GaN层上；
一发光层，其制作在n型层上；
一p型层，其制作在发光层上。
从上述技术方案可以看出，本发明具有以下有益效果：
1.本发明可以提高GaN基LED外延材料质量，进而提高GaN基LED的发光效率。
2.本发明提出具有制备时间短、成本低廉等特点，适合于大规模产业化生产。
附图说明
为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合实施例及附图详细说明如后，其中：
图1为本发明结构的剖面示意图。
具体实施方式
需要说明的是，在附图或说明书描述中，相似或相同的部分都使用相同的图号。附图中未绘示或描述的实现方式，为所属技术领域中普通技术人员所知的形式。另外，虽然本文可提供包含特定值的参数的示范，但应了解，参数无需确切等于相应的值，而是可在可接受的误差容限或设计约束内近似于相应的值。实施例中提到的方向用语，例如“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等，仅是参考附图的方向，并非用来限制本公开的保护范围。
请参阅图1所示，本发明提供一种GaN基LED器件，包括：
一衬底10，所述衬底10的材料为蓝宝石、碳化硅、氮化镓、氧化镓、氧化锌、氧化镁、硅、玻璃或金属；
一成核层20，其制作在衬底10上，所述成核层20的材料为A1N，厚度为1nm-500μm；
一非掺杂层30，其制作在成核层20上，所述非掺杂层30的材料为GaN、AlGaN或A1N，厚度为10nm-1μm；
一n型层40，其制作在非掺杂层30上，所述n型层40的材料为GaN或AlGaN，厚度为10nm-1μm；
一发光层50，其制作在n型层40上，所述发光层50为单量子阱或多量子阱，材料为InGaN/GaN或AlGaN/A1GaN或GaN/AlGaN，周期为1-20，其中，阱的厚度为2-10nm，垒的厚度2-15nm；
一p型层60，其制作在发光层50上，所述p型层60的材料为GaN或AlGaN，厚度为10nm-1μm。
以上所述的具体实施例，对本公开的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本公开的具体实施例而已，并不用于限制本公开，凡在本公开的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本公开的保护范围之内。