一种功率晶体管框架结构的制作方法

本实用新型涉及功率晶体管技术领域，具体地，涉及一种功率晶体管框架结构。

背景技术：

功率晶体管是一种控制电流的半导体器件，功率晶体管可以把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。目前，市面上的快速充电技术通常都是通过功率晶体管来实现，而实现快速充电就必须选择功率较大的功率晶体管，但是功率较大的功率晶体管的体积也相应较大，体积大的功率晶体管不便于安装在快速充电线路中，而且也无法满足散热要求。

技术实现要素：

针对现有技术的不足，本实用新型公开一种功率晶体管框架结构，其包括：

安装底板，其用于安装功率晶体管芯片，安装底板具有凹槽；

散热板，其连接安装底板；以及

引脚组件，其通过折弯部连接安装底板。

根据本实用新型的一实施方式，上述引脚组件包括第一引脚、第二引脚及第三引脚，第一引脚与第三引脚连接第二引脚，第二引脚连接安装底板。

根据本实用新型的一实施方式，上述底部连接板位于安装底板的一侧，并连接第一引脚、第二引脚及第三引脚。

根据本实用新型的一实施方式，上中部连接板位于安装底板与底部连接板之间，并连接第一引脚、第二引脚及第三引脚。

根据本实用新型的一实施方式，上述底部连接板具有多个通孔，多个通孔分别对应第二引脚。

本实用新型的有益效果为：本实用新型的功率晶体管框架结构解决了体积较大的功率晶体管不易封装的问题，安全可靠；另外，增加散热板解决了功率较大的功率晶体管散热效果差的问题，可广泛应用于快速充电技术领域中。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：

图1为本实用新型实施例中功率晶体管框架结构的结构示意图；

图2为本实用新型实施例中一段功率晶体管框架结构的结构示意图。

附图标记说明：

1、安装底板；11、凹槽；2、散热板；3、引脚组件；31、第一引脚；32、第二引脚；33、第三引脚；4、折弯部；5、底部连接板；51、多个通孔；6、中部连接板。

具体实施方式

以下将以图式揭露本实用新型的多个实施方式，为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应用以限制本实用新型。也就是说，在本实用新型的部分实施方式中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化图式起见，一些习知惯用的结构与组件在图式中将以简单的示意的方式绘示之。

需要说明，本实用新型实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。

另外，在本实用新型中如涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，并非特别指称次序或顺位的意思，亦非用以限定本实用新型，其仅仅是为了区别以相同技术用语描述的组件或操作而已，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本实用新型要求的保护范围之内。

为能进一步了解本实用新型的内容、特点及功效，兹例举以下实施例，并配合附图详细说明如下：

请参照图1，其为本实用新型实施例中功率晶体管框架结构的结构示意图。如图所示，功率晶体管框包括：安装底板1、散热板2及引脚组件3。安装底板1用于安装功率晶体管芯片，安装底板1具有凹槽11，凹槽11利于封料对功率晶体管芯片进行封装，且封装后不易分层。散热板2连接安装底板1，使用过程中功率晶体管产生的热量通过散热板2散失，防止其温度过高损坏功率晶体管。引脚组件3通过折弯部4连接安装底板1，引脚组件3采用与SMT贴合的方式连接功率晶体管芯片，使得封装时的接触面积变大，封装严密、安全。

进一步地，引脚组件3包括第一引脚31、第二引脚32及第三引脚33。第一引脚31与第三引脚33连接第二引脚32，第二引脚连接安装底板1。具体应用时，第一引脚31电连接功率晶体管芯片的基区，第二引脚32电连接功率晶体管芯片的集电区，第三引脚33电连接功率晶体管芯片的发射区。

优选地，功率晶体管框架结构还包括底部连接板5。底部连接板5位于安装底板1的一侧，底部连接板5连接第一引脚31、第二引脚32及第三引脚33。底部连接板5将多个第一引脚31、第二引脚32及第三引脚33连接起来，有利于功率晶体管框架结构的后续加工，方便快捷。

优选地，功率晶体管框架结构还包括中部连接板6。中部连接板6位于安装底板1与底部连接板5之间，中部连接板6连接第一引脚31、第二引脚32及第三引脚33。采用中部连接板6连接第一引脚31、第二引脚32及第三引脚33可有效提高功率晶体管框架结构的整体强度，防止其变形。

进一步地，底部连接板5具有多个通孔51，多个通孔51分别对应第二引脚32。多个通孔51可有效减少一段功率晶体管框架结构加工完成后裁切成单个功率晶体管时所需的裁切力，防止裁切过程中裁切力过大导致功率晶体管框架结构变形。

本实用新型的有益效果为：本实用新型的功率晶体管框架结构解决了体积较大的功率晶体管不易封装的问题，安全可靠；另外，增加散热板解决了功率较大的功率晶体管散热效果差的问题，可广泛应用于快速充电技术领域中。

上所述仅为本实用新型的实施方式而已，并不用于限制本实用新型。对于本领域技术人员来说，本实用新型可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的精神和原理的内所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包括在本实用新型的权利要求范围之内。