1.一种半导体瓷介电容器，包括电容器本体(1)，其特征在于：所述电容器本体(1)的外表面设有绝缘层，多个电容器本体(1)的正负极端口之间通过引线并联，两个引线远离的电容器本体(1)的一端分别贯穿防护壳(2)的内顶壁并连接有引脚(3)，所述引脚(3)连接在防护壳(2)的顶壁，所述防护壳(2)的内圈开设有弧形槽，防护壳(2)的下端连接有散热板(4)，所述散热板(4)上开设有多个锥形孔，散热板(4)的上端和防护壳(2)的内顶壁之间连接有隔热筒(6)，所述隔热筒(6)套接在电容器本体(1)上，且隔热筒(6)的内圈和电容器本体(1)之间灌装密封有热固性树脂(5)，隔热筒(6)的外圈铰接有第一连接板(7)的一端，所述第一连接板(7)的另一端设有条形槽，条形槽的内底壁通过弹簧(8)连接有滑动板(9)的一端，且滑动板(9)滑动插接在条形槽内，所述滑动板(9)远离弹簧(8)的一端连接有弧形板(10)的一端，弧形板(10)的另一端抵触在弧形槽的内壁，第一连接板(7)的两侧分别同轴铰接有第二连接板(11)和第三连接板(12)的一端，相邻的两个所述第二连接板(11)另一端同轴铰接有防护壳(2)的内圈，相邻的两个所述第三连接板(12)的远离第一连接板(7)的一端同轴铰接有隔热筒(6)的外圈，且第二连接板(11)和第三连接板(12)的铰接口之间铰接有弹性板(13)。
2.根据权利要求1所述的一种半导体瓷介电容器，其特征在于：所述电容器本体(1)的数目不少于四个，且多个电容器本体(1)之间呈等距分布。
3.根据权利要求1所述的一种半导体瓷介电容器，其特征在于：所述防护壳(2)为聚四氟乙烯壳。
4.根据权利要求1所述的一种半导体瓷介电容器，其特征在于：所述第一连接板(7)的数目不少于六个，且多个第一连接板(7)关于防护壳(2)的中心轴线呈环形分布。
5.根据权利要求1所述的一种半导体瓷介电容器，其特征在于：所述第二连接板(11)、第三连接板(12)与弹性板(13)之间共同形成三角形结构。