技术总结
本实用新型公开了一种半导体瓷介电容器，包括电容器本体，所述电容器本体的外表面设有绝缘层，多个电容器本体的正负极端口之间通过引线并联，两个引线远离的电容器本体的一端分别贯穿防护壳的内顶壁并连接有引脚，所述引脚连接在防护壳的顶壁，本实用新型结构简单，通过加入多组电容器本体的并联结构，提高了半导体瓷介电容器的容量，扩大了适用范围，同时加入了第二连接板、第三连接板和弹性板组合成的三角形结构，增加了半导体瓷介电容器的稳定性，使半导体瓷介电容器在受到应力作用时，具有一定的缓冲效果，防止半导体瓷介电容器破损开裂，延长使用寿命，具有很大的实用性。
技术研发人员：李正风
受保护的技术使用者：深圳市尼西科技有限公司
技术研发日：2018.02.07
技术公布日：2018.09.14