本实用新型涉及半导体技术领域,尤其是一种高能注入埋层双通道LDMOS器件。
背景技术:
横向高压DMOS(LDMOS,Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor,横向扩散金属氧化物半导体)器件,广泛应用于AC-DC电源管理、LED驱动和马达驱动芯片中。
LDMOS器件要获得高的击穿电压,通常要增大比导通电阻(导通电阻×面积),但这两个参数之间是矛盾的。现有的LDMOS器件主要采用降低表面电场(RESURF)技术,来减小因增加击穿电压而导致的导通电阻增加幅度,其核心思想在于引入额外的P型层次来辅助耗尽N型导电区(漂移区),使得N型漂移区可以用于更高的浓度,从而获得更低的比导通电阻。
但是,由于P型层次不易实现,因此传统的RESURF技术只能实现1倍(Single)RESURF、2倍(Double)RESURF和3倍(Triple)RESURF,即N型漂移区的上限浓度被限制在3×1012/cm2。这样,在同样击穿电压下,LDMOS的比导通电阻仍然较大,限制了其应用。
技术实现要素:
本实用新型的实用新型目的在于:针对上述存在的问题,提供一种高能注入埋层双通道LDMOS器件,能够在同样击穿电压前提下,获得更低的比导通电阻。
为解决上述技术问题,本实用新型采用的一个技术方案是:提供一种高能注入埋层双通道LDMOS器件,包括P型衬底,所述P型衬底中形成有相邻的深N阱和P阱,从所述深N阱的顶部至内部依次形成有P型帽层和至少一层注入埋层,所述深N阱远离所述P阱的一侧形成有N+漏极,所述P阱上形成有N+源极和P+源极,在所述深N阱与P阱交界区域上方的所述P型衬底上形成有多晶硅栅,所述多晶硅栅与所述深N阱和P阱绝缘隔离,其中,所述注入埋层包括由上至下的N型埋层和P型埋层。
优选的,所述多晶硅栅呈阶梯形,且所述多晶硅栅较高的一端位于所述深N阱上方,所述多晶硅栅较低的一端位于所述P阱上方。
优选的,所述P型衬底上还形成有绝缘介质层,所述多晶硅栅夹设于所述绝缘介质层中。
优选的,所述P型衬底上还形成有漏极金属和源极金属,所述漏极金属穿过所述绝缘介质层与所述N+漏极电性连接,所述源极金属穿过所述绝缘介质层与所述N+源极和P+源极电性连接。
优选的,所述深N阱的N型离子的注入剂量范围为2×1012/cm2-8×1012/cm2,所述深N阱的结深为4-16μm。
优选的,所述P型帽层、N型埋层和P型埋层的注入剂量范围为1×1012/cm2-7×1012/cm2。
优选的,所述N+漏极、N+源极和P+源极的注入剂量范围为1×1015/cm2-1×1016/cm2。
综上所述,由于采用了上述技术方案,本实用新型的高能注入埋层双通道LDMOS器件在深N阱(DNW)漂移区通过高能离子注入形成P型帽层和至少一层注入埋层,注入埋层包括由上至下的N型埋层和P型埋层,与传统的LDMOS器件相比,N型区域均可被上下P型区域耗尽,在获得同样耐压前提下,可以拥有更高的漂移区浓度,从而能够在同样击穿电压前提下,获得更低的比导通电阻。
附图说明
图1是本实用新型实施例的高能注入埋层双通道LDMOS器件一个实施例的结构示意图。
图2是本实用新型实施例的高能注入埋层双通道LDMOS器件另一个实施例的结构示意图。
具体实施方式
本说明书中公开的所有特征,或公开的所有方法或过程中的步骤,除了互相排斥的特征和/或步骤以外,均可以以任何方式组合。
本说明书(包括任何附加权利要求、摘要)中公开的任一特征,除非特别叙述,均可被其他等效或具有类似目的的替代特征加以替换。即,除非特别叙述,每个特征只是一系列等效或类似特征中的一个例子而已。
如图1所示,是本实用新型实施例的高能注入埋层双通道LDMOS器件一个实施例的结构示意图。在本实施例中,高能注入埋层双通道LDMOS器件包括P型衬底10,P型衬底10中形成有相邻的深N阱20和P阱30,从深N阱20的顶部至内部依次形成有P型帽层21和注入埋层22,深N阱20远离P阱30的一侧形成有N+漏极23,P阱30上形成有N+源极31和P+源极32,在深N阱20与P阱30交界区域上方的P型衬底10上形成有多晶硅栅40,多晶硅栅40与深N阱20和P阱30绝缘隔离,其中,注入埋层22包括由上至下的N型埋层221和P型埋层222。
在本实施例中,多晶硅栅40呈阶梯形,且多晶硅栅40较高的一端位于深N阱20上方,多晶硅栅40较低的一端位于P阱30上方。
P型衬底10上还形成有绝缘介质层50,多晶硅栅40夹设于绝缘介质层50中。进一步的,P型衬底10上还形成有漏极金属60和源极金属70,漏极金属60穿过绝缘介质层50与N+漏极23电性连接,源极金属70穿过绝缘介质层50与N+源极31和P+源极32电性连接。
深N阱20通过在P型衬底10上注入N型离子形成,深N阱20的N型离子的注入剂量范围为2×1012/cm2-8×1012/cm2,深N阱的结深为4-16μm。P型帽层21、N型埋层221和P型埋层222通过高能离子注入工艺分别注入P型杂质、N型杂质和P型杂质形成,注入剂量与深N阱20的注入剂量相匹配,具体而言,P型帽层21、N型埋层221和P型埋层222的注入剂量范围为1×1012/cm2-7×1012/cm2,N+漏极23、N+源极31和P+源极32的注入剂量范围为1×1015/cm2-1×1016/cm2。
本实用新型的高能注入埋层双通道LDMOS器件主要适用于200V-900V的应用,通过改变漂移区长度Ldrift可以实现不同的耐压需求,Ldrift的长度范围为10-100μm,其在高压关态下,N型埋层221被上下方的P型帽层21和P型埋层222耗尽,可以拥有较高的掺杂浓度;深N阱20被P型帽层21、P型埋层222和P型衬底10耗尽,同样可以拥有较高的掺杂浓度。较之传统的Double RESURF和Triple RESURF的LDMOS器件结构,整个N型区域可以拥有更高的掺杂浓度,理论上总剂量可达到4×1012/cm2,这意味着更低的比导通电阻,一方面,在相同面积下,可提供更低的导通电阻,使其在应用中拥有更低的导通损耗,有利于节能减排。另一方面,在相同导通电阻下,可以拥有更小的面积,具有更低的制造成本,有利于提升产品竞争力。
如图2所示,是本实用新型实施例的高能注入埋层双通道LDMOS器件另一个实施例的结构示意图。本实施例的高能注入埋层双通道LDMOS器件与前述实施例的高能注入埋层双通道LDMOS器件不同之处在于,注入埋层22为多层,而其他技术特征则一致。本实施例的高能注入埋层双通道LDMOS器件通过在y方向高能注入离子形成n层注入埋层22,总剂量可达到(n+3)×1012/cm2。
本实用新型还保护一种高能注入埋层双通道LDMOS器件的制造方法,制造方法包括以下步骤:
S1:在P型衬底上注入N型离子,并通过高温推结形成深N阱;
S2:在相邻与深N阱的P型衬底上注入P型离子形成P阱;
S3:在深N阱中通过高能离子注入分别注入P型杂质、N型杂质和P型杂质,分别形成P型帽层和至少一层注入埋层,其中,注入埋层包括由上至下的N型埋层和P型埋层;
S4:在深N阱上方的P型衬底上通过氧化形成厚氧化层,在P阱上方的所述P型衬底上通过氧化形成薄氧化层,其中,厚氧化层与薄氧化层相连;
S5:在厚氧化层与薄氧化层上通过淀积多晶硅形成多晶硅栅;
S6:在深N阱远离所述P阱的一侧注入N型离子形成有N+漏极,在P阱上注入N型离子和P型离子形成有N+源极和P+源极。
在本实施例中,深N阱的N型离子的注入剂量范围为2×1012/cm2-8×1012/cm2,深N阱的结深为4-16μm。P型帽层、N型埋层和P型埋层的注入剂量范围为1×1012/cm2-7×1012/cm2;N+漏极、N+源极和P+源极的注入剂量范围为1×1015/cm2-1×1016/cm2。
本实用新型并不局限于前述的具体实施方式。本实用新型扩展到任何在本说明书中披露的新特征或任何新的组合,以及披露的任一新的方法或过程的步骤或任何新的组合。