本实用新型涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板及显示装置。
背景技术：
在阵列基板制造过程，由于等离子体沉积、膜层刻蚀和摩擦等工艺容易产生静电，因此阵列基板上形成的信号线可能发生静电击穿和静电损伤，导致阵列基板不良。为了保证各种信号线的正常工作，阵列基板上会设置与信号线连接的静电保护器件。
相关技术中的静电保护器件一般包括多个晶体管以及至少一条静电防护线(例如公共电极线或者短路环等)，每个晶体管可以分别与一条信号线和该静电防护线连接，以将信号线上产生的静电及时释放至该静电防护线。
但是，相关技术中的静电保护器件占用的空间较大，不利于窄边框显示面板的实现。
技术实现要素：
本实用新型提供了一种阵列基板及显示装置，可以解决相关技术中的阵列基板需要设置静电保护器件，不利于窄边框显示面板的实现的问题。技术方案如下：
一方面，提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括：衬底基板，以及设置在所述衬底基板上的多条信号线；
所述多条信号线中存在至少一条目标信号线，所述目标信号线的两侧中的至少一侧设置有导电电极；
所述导电电极与所述阵列基板中的其他导电结构均绝缘，且所述导电电极在所述衬底基板上的正投影与所述目标信号线在所述衬底基板上的正投影重叠。
可选的，所述导电电极与所述目标信号线之间设置有绝缘层；
所述导电电极设置在所述目标信号线靠近或远离所述衬底基板的一侧。
可选的，所述导电电极包括多个间隔设置的电极块，每个所述电极块的宽度大于所述目标信号线的线宽。
可选的，多个所述电极块沿所述目标信号线的延伸方向等间距排列。
可选的，每两个相邻的电极块之间的间隙的宽度范围为5微米至50微米；
每个所述电极块的长度范围为10微米至50微米；
每个所述电极块的宽度范围为5微米至50微米。
可选的，所述导电电极为条状电极，所述条状电极的延伸方向与所述目标信号线的延伸方向平行，且所述导电电极的宽度大于所述目标信号线的线宽。
可选的，所述导电电极在所述衬底基板上的正投影呈蛇形，所述蛇形的外包矩形的宽度大于所述目标信号线的线宽。
可选的，所述导电电极沿第一方向延伸的轴线在所述衬底基板上的正投影，与所述目标信号线的轴线在所述衬底基板上的正投影重合；
其中，所述第一方向与所述目标信号线的延伸方向平行。
可选的，所述阵列基板还包括：设置在所述衬底基板上的薄膜晶体管；
所述目标信号线为栅线或者栅线引线，所述导电电极与所述薄膜晶体管的源漏极金属层、有源层、或者遮光金属层同层设置，且所述导电电极与同层设置的导电结构采用同种材料制成。
可选的，所述阵列基板还包括：设置在所述衬底基板上的薄膜晶体管；
所述目标信号线为数据线或者数据线引线，所述导电电极与所述薄膜晶体管的栅极金属层同层设置，且所述导电电极采用与所述栅极金属层相同的材料制成。
可选的，所述阵列基板还包括：设置在所述衬底基板上的薄膜晶体管，所述导电电极与所述薄膜晶体管的有源层同层设置；
当所述薄膜晶体管为非晶硅薄膜晶体管或氧化物薄膜晶体管时，所述导电电极的厚度范围为100纳米至500纳米；
当所述薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管时，所述导电电极的厚度范围为10纳米至100纳米。
另一方面，提供了一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括：
如上述方面所述的阵列基板。
本实用新型提供的技术方案带来的有益效果是：
本实用新型提供了一种阵列基板及显示装置，该阵列基板中，至少一条目标信号线的至少一侧设置有导电电极，当该目标信号线上产生静电时，该目标信号线与该导电电极可以构成电容，该电容具有良好的静电防护功能。并且，当该目标信号线的电压由于静电积累而较高时，该目标信号线与导电电极之间可以形成导电通路，从而可以及时释放目标信号线上的静电。本实用新型实施例提供的阵列基板上无需设置静电保护器件即可实现静电防护的功能，可以避免静电保护器件占用过多空间，有利于窄边框显示面板的实现，并且可以降低阵列基板的制造成本。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本实用新型实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
图2是本实用新型实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；
图3是本实用新型实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；
图4是本实用新型实施例提供的再一种阵列基板的结构示意图；
图5是本实用新型实施例提供的再一种阵列基板的结构示意图；
图6是本实用新型实施例提供的再一种阵列基板的结构示意图；
图7是本实用新型实施例提供的一种阵列基板的制造方法流程图。
具体实施方式
为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本实用新型实施方式作进一步地详细描述。
图1是本实用新型实施例提供的一种阵列基板的结构示意图，参考图1，该阵列基板可以包括：衬底基板00，以及设置在该衬底基板00上的多条信号线(图1中仅示出了一条信号线01)。
该多条信号线中可以存在至少一条目标信号线01，该目标信号线01的两侧中的至少一侧设置有导电电极11。该导电电极11与该阵列基板中的其他导电结构(包括该目标信号线01)均绝缘，且该导电电极11在该衬底基板00上的正投影与该目标信号线01在该衬底基板00上的正投影重叠。
其中，目标信号线01的两侧可以是指目标信号线01的上下两侧，即该目标信号线01靠近衬底基板00的一侧，以及该目标信号线01远离衬底基板00的一侧。该导电电极11可以为阵列基板中的悬空电极，即该导电电极11独立于阵列基板中的其他导电结构设置在衬底基板00上，且该导电电极11也不与外部电极、外部电路或结合片(bonding pad)连接。
综上所述，本实用新型实施例提供的阵列基板中，至少一条目标信号线的至少一侧设置有导电电极，当该目标信号线上产生静电时，该目标信号线与该导电电极可以构成电容，该电容具有良好的静电防护功能。并且，当该目标信号线的电压由于静电积累而较高时，该目标信号线与导电电极之间可以形成导电通路，从而可以及时将目标信号线上的静电释放至导电电极。由于本实用新型实施例提供的阵列基板上无需设置静电保护器件即可实现静电防护的功能，可以避免静电保护器件占用过多空间，有利于窄边框显示面板的实现，并且可以降低阵列基板的制造成本。
可选的，在本实用新型实施例中，该导电电极11可以设置在阵列基板的非显示区域。
图2是本实用新型实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图，参考图2，该导电电极11与目标信号线01之间可以设置有绝缘层001，以保证两者的有效绝缘。
该导电电极11可以设置在目标信号线01靠近该衬底基板00的一侧；或者，如图2所示，该导电电极11也可以设置在该目标信号线01远离该衬底基板00的一侧。仅在目标信号线01的一侧设置导电电极11，可以在保证静电防护功能的基础上，避免增加阵列基板的制造工艺的复杂度。
作为本实用新型实施例一种可选的实现方式，参考图1和图2，该导电电极11可以包括多个间隔设置的电极块11a，每个电极块11a的宽度w1可以大于该目标信号线01的线宽w2。从图1可以看出，每个电极块11a的宽度方向与目标信号线01的宽度方向平行，即与目标信号线01的延伸方向垂直。
将每个电极块11a的宽度设置的较宽，可以尽量增大每个电极块与目标信号线之间的重叠区域的面积，从而增大两者形成的电容的容量，进而增大该电容的静电防护能力。
可选的，如图1和图2所示，该多个电极块11a可以沿该目标信号线01的延伸方向等间距排列。并且，每两个相邻的电极块11a之间的间隙的宽度w3的范围可以为5微米至50微米；每个电极块11a的长度w4的范围可以为10微米至50微米；每个电极块11a的宽度w1的范围可以为5微米至50微米。
作为本实用新型实施例另一种可选的实现方式，参考图3，该导电电极11也可以为条状电极，即该导电电极11可以为长条状的一体结构。该条状电极11的延伸方向X与该目标信号线01的延伸方向平行，且该导电电极11的宽度w1可以大于该目标信号线01的线宽w2，以尽量增大该导电电极与目标信号线之间的重叠区域的面积，从而可以增大两者形成的电容的静电防护能力。示例的，该条状电极11的宽度w1的范围可以为5微米至50微米。
作为本实用新型实施例又一种可选的实现方式，参考图4，该导电电极11在该衬底基板00上的正投影还可以呈弯折的蛇形。且该蛇形的外包矩形(图中未示出)的宽度w1可以大于该目标信号线01的线宽w2，同理可以增大该导电电极与目标信号线之间的重叠区域的面积，从而增大两者形成的电容的静电防护能力。示例的，该蛇形的外包矩形的宽度范围可以为10微米至50微米
其中，导电电极11在衬底基板00上的蛇形的正投影的边缘线可以为弯折的直线(即图4所示)，或者也可以为弧线，本实用新型实施例对此不做限定。
进一步的，参考图3，该导电电极11沿第一方向X延伸的轴线在该衬底基板00上的正投影，与该目标信号线01的轴线在该衬底基板00上的正投影重合。其中，该第一方向X与该目标信号线的延伸方向平行。
例如，在图3所示的结构中，该导电电极11的轴线，以及目标信号线01的轴线在衬底基板00上的正投影均为轴线m。
通过将导电电极11与目标信号线01共轴线设置，可以保证导电电极11的正投影能够较大限度的与目标信号线01的正投影重叠。
可选的，该阵列基板还可以包括：设置在衬底基板00上的薄膜晶体管。
在一种可选的实现方式中，该目标信号线01可以为栅线或者栅线引线，该导电电极01可以与该薄膜晶体管的源漏极金属层、有源层、或者遮光金属层同层设置。且该导电电极01可以与同层设置的导电结构采用同种材料制成。
例如，当该导电电极01与源漏极金属层或者遮光金属层同层设置时，该导电电极01可以采用金属材料制成；当该导电电极01与有源层同层设置时，该导电电极01可以采用半导体材料制成。
其中，该金属材料可以为包括钼(Mo)、钼铌合金(MoNb)、Al、铝钕合金(AlNd)、钛(Ti)和铜(Cu)中的任一种；该半导体材料可以包括非晶硅(amorphous silicon，a-Si)、多晶硅或者铟镓锌氧化物(indium gallium zinc oxide，IGZO)等。
示例的，假设该目标信号线01为栅线，该导电电极11可以与薄膜晶体管的有源层同层设置，则相应的，该导电电极11与目标信号线01之间设置的绝缘层001可以为栅绝缘层。并且，如图2所示，该导电电极11远离衬底基板00的一侧还可以设置有钝化层002。
当该薄膜晶体管为底栅结构的薄膜晶体管时，如图2所示，该导电电极11可以设置在目标信号线01远离衬底基板00的一侧；当该薄膜晶体管为顶栅结构的薄膜晶体管时，如图5所示，该导电电极11可以设置在目标信号线01靠近衬底基板00的一侧。相应的，该导电电极11与衬底基板00之间可以设置有缓冲层003。
需要说明的是，当该导电电极11与薄膜晶体管的有源层同层设置时，若薄膜晶体管为非晶硅薄膜晶体管或氧化物薄膜晶体管，则该导电电极11的厚度范围可以为100纳米至500纳米；当该薄膜晶体管为低温多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon，LTPS)薄膜晶体管时，该导电电极11的厚度范围可以为10纳米至100纳米。其中，导电电极11的厚度方向与衬底基板00设置有信号线的表面垂直。
在另一种可选的实现方式中，该目标信号线01还可以为数据线或者数据线引线，该导电电极11可以与该薄膜晶体管的栅极金属层同层设置，且可以采用与该栅极金属层相同的材料制成。
并且，根据阵列基板中薄膜晶体管的类型的不同，该导电电极11与目标信号线01之间设置的绝缘层可以为栅绝缘层、钝化层或者层间介电层等。形成该绝缘层的绝缘材料可以包括氧化硅、氮化硅、氧化铝、氧化铪或氧化钼等。
需要说明的是，如图6所示，当该目标信号线01是由多个信号线段组成的折线时，该导电电极11的延伸方向(或导电电极所包括的电极块的排列方向)也会随着该目标信号线01延伸方向的变化而变化。
综上所述，本实用新型实施例提供的阵列基板中，至少一条目标信号线的至少一侧设置有导电电极，当该目标信号线上产生静电时，该目标信号线与该导电电极可以构成电容，该电容具有良好的静电防护功能。并且，当该目标信号线的电压由于静电积累而较高时，该目标信号线与导电电极之间可以形成导电通路，从而可以及时释放目标信号线上的静电。本实用新型实施例提供的阵列基板上无需设置静电保护器件即可实现静电防护的功能，可以避免静电保护器件占用过多空间，有利于窄边框显示面板的实现，并且可以降低阵列基板的制造成本。
本实用新型实施例还提供了一种阵列基板的制造方法，参考图7，该方法可以包括：
步骤101、在衬底基板形成多条信号线。
示例的，可以采用磁控溅射的方式在衬底基板的表面沉积一层金属薄膜；之后可以采用一次光刻工艺对该金属薄膜进行图形化处理，从而得到该多条信号线。该金属薄膜可以是由Mo、MoNb、Al、AlNd、Ti和Cu中的任一种材料形成的膜层，或者可以是由上述材料中的多种材料形成的单层或多层复合叠层。
步骤102、在该多条信号线中的至少一条目标信号线中，每条目标信号线的两侧中的至少一侧形成导电电极。
该导电电极与该阵列基板中的其他导电结构均绝缘，且该导电电极在该衬底基板上的正投影与该目标信号线在该衬底基板上的正投影重叠。
在本实用新型实施例中，该导电电极可以由金属材料形成，也可以由半导体材料形成。
当该导电电极由金属材料形成时，可以采用磁控溅射的方式在衬底基板的表面沉积一层金属薄膜；之后可以采用一次光刻工艺对该金属薄膜进行图形化处理，从而得到该导电电极。
当该导电电极由半导体材料形成时，可以采用等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)工艺在衬底基板的表面沉积一层半导体材料薄膜；之后可以采用一次光刻工艺对该半导体材料薄膜进行图形化处理，从而得到该导电电极。
需要说明的是，上述步骤101和步骤102的执行顺序可以根据实际情况进行调整，即步骤102也可以在步骤101之前执行，本实用新型实施例对此不做限定。
在本实用新型实施例中，该衬底基板上还可以形成有多个薄膜晶体管。
在一种可选的实现方式中，该目标信号线可以为栅线或者栅线引线，则该导电电极可以与薄膜晶体管的源漏极金属层、有源层或者遮光金属层通过一次构图工艺同层形成，且该导电电极01可以与同层形成的导电结构采用同种材料形成。
在另一种可选的实现方式中，该目标信号线可以为数据线或者数据线引线，该导电电极可以与该薄膜晶体管的栅极金属层通过一次构图工艺同层形成，且可以采用与该栅极金属层相同的材料形成。
本实用新型实施例提供了一种显示装置，该显示装置可以包括：如图1至图6任一所示的阵列基板。该显示装置可以为：液晶面板、电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。