技术总结
本实用新型涉及半导体制造领域，公开了一种抗辐射功率场效应晶体管。本实用新型中，该抗辐射功率场效应晶体管包括：具有沟道的基底以及设置在沟道上的栅极结构，栅极结构包括依次叠设在沟道上的氧化层、介质层、多晶硅栅极层、隔离层和电极层，隔离层包覆多晶硅栅极层、并将多晶硅栅极层与电极层隔离开，氧化层包括正对并覆盖沟道的中央区域以及自中央区域延伸至基底上的非沟道区域的边缘区域，中央区域的厚度大于边缘区域的厚度。本实用新型实施方式提供的抗辐射功率场效应晶体管，其抗辐射能力得以提高。
技术研发人员：贾国;刘广海;苏晓山;张熠鑫
受保护的技术使用者：深圳吉华微特电子有限公司
技术研发日：2018.03.31
技术公布日：2018.10.12