技术总结
本实用新型涉及一种抗PID组件。包括N型双面电池、设置在N型双面电池正面的正面玻璃、设置在N型双面电池背面的背面玻璃，所述N型双面电池正面玻璃下表面贴合设置有第一封装层，所述的第一封装层和正面玻璃之间设有第一绝缘层。本实用新型是通过在N型双面双玻组件结构中间再次增加一层绝缘材料(玻璃+EVA+绝缘材料+EVA+N型双面电池+EVA+绝缘材料+EVA+玻璃)，降低电子迁移，从而达到改善N型双面组件PID失效情况。
技术研发人员：朱桂祥;林建伟;刘勇;刘志锋;唐华领;许晶晶;张育政
受保护的技术使用者：泰州中来光电科技有限公司
技术研发日：2018.05.07
技术公布日：2018.11.20