1.一种高EAS的VDMOS器件，包括重掺衬底，形成于所述重掺衬底上的轻掺磷外延层，所述轻掺磷外延层为左右两侧凹陷的横截面为“凸”型的结构，所述轻掺磷外延层凹陷的部分上设有轻掺硼层，所述轻掺硼层上设有凹槽，其特征在于，所述轻掺硼层前后两段上凹槽内均设有源层和重掺硼层，所述轻掺硼层中间部分的前半段凹槽上设有重掺硼层，所述轻掺磷外延层凸起部分上设有二氧化硅层，所述二氧化硅层内设有多晶层，所述二氧化硅层外设有覆盖轻掺硼层两侧凹陷的金属层。
2.根据权利要求1所述的高EAS的VDMOS器件，其特征在于所述金属层采用铝或铝硅或铝硅铜。
3.根据权利要求1所述的高EAS的VDMOS器件，其特征在于所述源层和重掺硼层均为环形结构。