技术总结
本实用新型公开了一种高EAS的VDMOS器件，包括重掺衬底，形成于所述重掺衬底上的轻掺磷外延层，所述轻掺磷外延层为左右两侧凹陷的横截面为“凸”型的结构，所述轻掺磷外延层凹陷的部分上设有轻掺硼层，所述轻掺硼层上设有凹槽，所述轻掺硼层前后两段上凹槽内均设有源层和重掺硼层，所述轻掺硼层中间部分的前半段凹槽上设有重掺硼层，所述轻掺硼层中间部分的后半段所对的本实用新型所述的器件的部分作为击穿区域，所述轻掺磷外延层凸起部分上设有二氧化硅层，所述二氧化硅层内设有多晶层，所述二氧化硅层外设有覆盖轻掺硼层两侧凹陷的金属层。具有更高的雪崩能量(EAS)。
技术研发人员：唐红祥
受保护的技术使用者：无锡光磊电子科技有限公司
技术研发日：2018.07.20
技术公布日：2019.01.11