一种同轴衰减器的制作方法

本实用新型属于衰减器技术领域，具体涉及一种同轴衰减器。

背景技术：

同轴衰减器是一种能量损耗性射频/微波元件，元件内部含有电阻性材料。是为使输出端口提供的功率小于输入端口的入射功率而设计的双端口器件，被广泛地应用于射频/微波领域，如对射频信号进行衰减，以防止信号失真。但现在市面上的同轴衰减器普遍存在加工工艺复杂且性能不够优化的问题，本实用新型的目的在于通过对同轴衰减器内部零件插孔和中心导体的改进解决这些问题。

技术实现要素：

本实用新型所要解决的技术问题是，提供一种同轴衰减器，解决了现有技术信号传输不连续、易产生谐振点以及加工工艺复杂的技术问题。

为解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案：一种同轴衰减器，其特征在于：包括外壳、外壳组件、衰减单元、衰减单元部件、插孔组合件、插针组合件、基座以及第一内六角紧定螺钉和第二内六角紧定螺钉，所述衰减单元包括金属外壳以及插在金属外壳内部的衰减片，在衰减单元外设置有衰减单元部件，衰减单元的两端分别设置了插孔组合件和插针组合件，所述基座套装在插孔组合件和插针组合件的外部并与衰减单元部件接触，所述外壳包括互相匹配的两部分，套装在基座的外层并通过第二内六角紧定螺钉固定，外壳组件设置在所述外壳上有插针组合件的一端，在所述外壳的中部通过第一内六角紧定螺钉固定所述表面有多个凹槽的圆柱状的散热器，所述衰减单元的外径为6.2mm，高度为5.4mm，所述同轴衰减器的总长度为45.5mm，所述散热器的外径为38mm，长度为26mm。

其中一个实施例中，所述同轴衰减器的频率范围为0-18GHz，衰减量为1-60dB，驻波比小于或等于1.4，平均承受功率为10W，温度为25°，阻抗为50hms。

其中一个实施例中，所述衰减单元为535衰减单元，可承受功率范围为1-12W。

本实用新型的有益效果：本实用新型公开的一种同轴衰减器，频率范围为0-18GHz，衰减量为1-60dB，驻波比小于或等于1.4，平均承受功率为10W，温度为25°，阻抗为50hms。相比市面上流通的同轴衰减器，该同轴衰减器不仅加工方便而且在保证上述技术指标的同时，体积更小巧，驻波曲线和频响特性曲线也更趋于优化。

附图说明

图1为本实施例中一种同轴衰减器的截面结构示意图。

图中附图标记，1-插孔组合件；2-外壳；3-第一内六角紧定螺钉；4-基座；5-衰减单元；6-第二内六角紧定螺钉；7-衰减单元部件；8-插针组合件；9-外壳组件；10-散热器。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

一种同轴衰减器，如图1所示，包括外壳2、外壳组件9、衰减单元5、衰减单元部件7、插孔组合件1、插针组合件8、基座4以及第一内六角紧定螺钉3和第二内六角紧定螺钉6。所述衰减单元5包括金属外壳以及插在金属外壳内部的衰减片，在衰减单元5外设置有衰减单元部件7，衰减单元5的两端分别设置了插孔组合件1和插针组合件8，所述基座4套装在插孔组合件1和插针组合件8的外部并与衰减单元部件7接触，所述外壳2包括互相匹配的两部分，套装在基座4的外层并通过第二内六角紧定螺钉6固定，外壳组件9设置在所述外壳2上有插针组合件8的一端，在所述外壳2的中部通过第一内六角紧定螺钉3固定所述表面有多个凹槽的圆柱状的散热器10。所述衰减单元5的外径为6.2mm，高度为5.4mm，所述同轴衰减器的总长度为45.5mm，所述散热器10的外径为38mm，长度为26mm。

该插孔组合件1和插针组合件7统称为内导体，外壳2以及基座3统称为外导体，外导体的内径与内导体的外径之比决定该同轴衰减器的驻波比和衰减量。进一步的，所述同轴衰减器的频率范围为0-18GHz，衰减量为1-60dB，驻波比小于或等于1.4，优选的，所述衰减单元为535衰减单元，可承受功率范围为1-12W，平均承受功率为10W，温度为25°，阻抗为50hms。

本实用新型的有益效果：本实用新型公开的一种同轴衰减器，频率范围为0-18GHz，衰减量为1-60dB，驻波比小于或等于1.4，平均承受功率为10W，温度为25°，阻抗为50hms。相比市面上流通的同轴衰减器，该同轴衰减器不仅加工方便而且在保证上述技术指标的同时，体积更小巧，驻波曲线和频响特性曲线也更趋于优化。

以上所述，仅为本实用新型的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。