1.一种薄膜晶体管结构，其特征在于，包括并联的至少两个薄膜晶体管，每个薄膜晶体管均包括栅极、有源区、源极和漏极，且相邻两个薄膜晶体管的有源区分隔设置。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管结构，其特征在于，所述相邻两个薄膜晶体管的栅极连接，所述相邻两个薄膜晶体管的源极连接，所述相邻两个薄膜晶体管的漏极也连接。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管结构，其特征在于，所述薄膜晶体管结构还包括源极信号线和漏极信号线；
所述源极信号线与所述至少两个薄膜晶体管的源极连接，所述漏极信号线与所述至少两个薄膜晶体管的漏极连接。
4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管结构，其特征在于，所述源极信号线和所述漏极信号线沿垂直于所述源极的方向排布。
5.根据权利要求3所述的薄膜晶体管结构，其特征在于，所述源极信号线和所述漏极信号线沿平行于所述源极的方向排布。
6.根据权利要求3所述的薄膜晶体管结构，其特征在于，所述薄膜晶体管结构还包括栅极信号线；
所述栅极信号线与所述至少两个薄膜晶体管的栅极连接，且所述栅极信号线与所述源极信号线相互垂直。
7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管结构，其特征在于，所述每个薄膜晶体管的沟道宽长比均大于1。
8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管结构，其特征在于，所述有源区的材料为非晶硅、多晶硅、氧化物半导体中的任意一种。
9.根据权利要求1所述的薄膜晶体管结构，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括栅绝缘层、刻蚀阻挡层和钝化层；
所述栅绝缘层覆盖所述栅极，所述有源区位于所述栅绝缘层远离所述栅极的一侧，所述刻蚀阻挡层覆盖所述有源区和所述栅绝缘层，所述源极和所述漏极通过所述刻蚀阻挡层上的过孔与所述有源区连接，所述钝化层覆盖所述源极、所述漏极和所述刻蚀阻挡层。
10.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底以及如权利要求1-9任一项所述的薄膜晶体管结构，所述薄膜晶体管结构设置在所述衬底上。
11.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求10所述的阵列基板。
12.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求11所述的显示面板。