一种显示基板和显示装置的制作方法

本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板和显示装置。

背景技术：

有机电致发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示装置与液晶显示装置(Liquid Crystal Display，LCD)相比，具有薄、轻、宽视角、主动发光、发光颜色连续可调、成本低、响应速度快、能耗小、驱动电压低、工作温度范围宽、生产工艺简单、发光效率高等优点，而有望成为取代LCD的下一代新型平面显示器。

由于有源矩阵有机发光二极管(Active Matrix Organic Light Emitting Diode，AMOLED)的电极以及有机层容易受到水、氧的侵蚀导致其寿命降低，因此需要对AMOLED显示面板进行封装。其中，薄膜封装(Thin Film Encapsulation，TFE)为最常用的封装方式之一。

通常，封装薄膜设置在AMOLED显示装置的边框区中，以实现阻隔外界水、氧的作用。相关技术中，显示装置中封装薄膜的形状与矩形显示装置的形状相适应，在显示装置的拐角处，封装薄膜为直角拐角，其容易因局部应力过大而产生破裂，从而导致外界水、氧侵入显示装置内部，影响显示装置的使用寿命。

技术实现要素：

针对上述现有技术中所存在的问题，本实用新型的实施例提供一种显示基板和显示装置，以防止因封装薄膜产生破裂而导致外界水、氧侵入的问题。

为了实现上述目的，本实用新型的实施例采用如下技术方案：

第一方面，本实用新型的实施例提供一种显示基板，包括衬底基板，所述显示基板还包括覆盖于所述衬底基板一侧的封装薄膜，所述封装薄膜的边缘拐角处为圆角。

与现有技术相比，本实用新型提供的显示基板通过将封装薄膜的边缘拐角处设置为圆角，有利于降低封装薄膜边缘拐角处的应力，防止封装薄膜破裂而发生水、氧侵入的情况，具有良好的密封效果，增加了显示装置的使用寿命。

可选的，所述封装薄膜的边缘拐角处的圆角的半径RF满足：RF＝L×α1；其中，L为所述显示基板的对角线长度；α1为系数，0.001≤α1≤0.004。

可选的，所述显示基板还包括设置于所述衬底基板一侧的至少一个阻挡坝，所述至少一个阻挡坝与所述封装薄膜设置于所述衬底基板的同一侧；所述封装薄膜包括至少一个有机薄膜层，所述至少一个阻挡坝围绕所述至少一个有机薄膜层设置，用于阻挡所述有机薄膜层；所述至少一个阻挡坝的拐角处为圆角。

可选的，所述有机薄膜层的厚度为1～20μm。

可选的，所述至少一个阻挡坝的拐角处的圆角的半径Rd满足：Rd＝L×α2；其中，L为所述显示基板的对角线长度；α2为系数，0.001≤α2≤0.004。

可选的，所述封装薄膜还包括至少两层无机薄膜层；所述无机薄膜层与所述有机薄膜层间隔层叠设置，且所述封装薄膜中，与所述衬底基板距离最近和与所述衬底基板距离最远的薄膜层均为无机薄膜层；所述至少两层无机薄膜层覆盖所述至少一个阻挡坝。

可选的，所述无机薄膜层的厚度为0.1～1μm。

可选的，所述显示基板包括第一阻挡坝和第二阻挡坝，所述第二阻挡坝设置于所述第一阻挡坝的外围。

可选的，所述第一阻挡坝的拐角处的圆角半径为200～280μm，所述第二阻挡坝的拐角处的圆角半径为300～360μm，所述封装薄膜的边缘拐角处的圆角半径为360～440μm。

可选的，所述第一阻挡坝和所述第二阻挡坝的宽度为10～100μm，高度为3.5～6μm。

第二方面，基于上述显示基板的技术方案，本实用新型的实施例还提供了一种显示装置，所述显示装置包括如第一方面所述的显示基板。

本实用新型实施例所提供的显示装置所能实现的有益效果，与第一方面所提供的显示基板所能达到的有益效果相同，在此不做赘述。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。

图1为本实用新型实施例中显示基板的剖面图；

图2为本实用新型实施例中显示基板的示意图；

图3为本实用新型实施例中显示基板的边缘拐角处局部放大图。

附图标记：

1-衬底基板， 2-缓冲层，

31-有源层， 32-源极，

33-漏极， 34-栅极，

35-栅级绝缘层， 36-层间绝缘层，

4-钝化层， 5-平坦化层，

6-像素界定层， 7-封装薄膜，

711-第一无机薄膜层， 712-第二无机薄膜层，

72-有机薄膜层， 8-阻挡坝，

81-第一阻挡坝， 82-第二阻挡坝，

9-显示基板。

具体实施方式

下面将结合本实用新型申请实施例中的附图，对本实用新型申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型申请保护的范围。

请参阅图1，本实用新型实施例提供的显示基板9，包括衬底基板1，以及覆盖于衬底基板1一侧的封装薄膜7，如图2所示，封装薄膜7的边缘拐角处为圆角。

与现有技术相比，本实用新型提供的显示基板9通过将封装薄膜7的边缘拐角处设置为圆角，与直角或者尖角相比，有利于降低封装薄膜7边缘拐角处的应力，防止封装薄膜7破裂而发生水、氧侵入的情况，具有良好的密封效果，增加了显示装置的使用寿命。

如图1所示，上述显示基板9可以包括衬底基板1、形成于衬底基板1上的缓冲层2，以及制作于该缓冲层2上呈阵列排布的像素电路。该像素电路中包括多个薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)和电容。本申请对薄膜晶体管的类型可以不做限定。例如，上述薄膜晶体管可以为顶栅型薄膜晶体管、底栅型薄膜晶体管或者双栅型薄膜晶体管，以图1所示薄膜晶体管为例，该薄膜晶体管包括有源层31、栅极34、分别与有源层31连接的源极32和漏极33，以及隔离栅极34与有源层31的栅极绝缘层35、隔离栅极34与源极32和漏极33的层间绝缘层36(Inter Level Dielectric，ILD)。

此外，上述衬底基板1上还形成有依次覆盖像素电路的钝化层4、平坦化层5(PIN)和像素界定层6(Pixel Definition Layer，PDL)。

在此基础上，上述像素界定层6上形成有开孔，每个开孔内形成有OLED器件的有机功能层(或者有机发光二极管，EL)。该有机功能层包括空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层、电子注入层等。其中，上述有机发光层可以为红色(R)有机发光层、绿色(G)有机发光层或者蓝色(B)有机发光层。又或者，当上述显示基板9中设置有彩色滤光层时，上述有机发光层还可以为白色有机发光层。封装薄膜7覆盖在OLED器件之上，且封装薄膜7的宽度越宽，越有利于防止水氧侵入发光器件。

如图3所示，在一些实施例中，封装薄膜7的边缘拐角处的圆角的半径RF满足：

RF＝L×α1；

其中，L为显示基板9的对角线长度；α1为系数，0.001≤α1≤0.004。

示例性的，显示基板9的对角线长度L为200mm，α1取值0.001，封装薄膜7的边缘拐角处的圆角的半径RF可以为200μm；或者，显示基板9的对角线长度L为150mm，α1取值0.002，封装薄膜7的边缘拐角处的圆角的半径RF可以为300μm；或者，显示基板9的对角线长度L为100mm，α1取值0.004，封装薄膜7的边缘拐角处的圆角的半径RF可以为400μm。

在一些实施例中，显示基板9还包括设置于衬底基板1一侧的至少一个阻挡坝8，至少一个阻挡坝8与封装薄膜7设置于衬底基板1的同一侧；封装薄膜7包括至少一个有机薄膜层72，至少一个阻挡坝8围绕至少一个有机薄膜层72设置，用于阻挡有机薄膜层72；如图2所示，至少一个阻挡坝8的拐角处为圆角。

如图3所示，在一些实施例中，至少一个阻挡坝8的拐角处的圆角的半径Rd满足：

Rd＝L×α2；

其中，L为显示基板9的对角线长度；α2为系数，0.001≤α2≤0.004。

示例性的，显示基板9的对角线长度L为150mm，α2取值0.001，至少一个阻挡坝8的拐角处的圆角的半径Rd可以为150μm；或者，显示基板9的对角线长度L为100mm，α2取值0.003，至少一个阻挡坝8的拐角处的圆角的半径Rd可以为300μm；或者，显示基板9的对角线长度L为100mm，α2取值0.004，至少一个阻挡坝8的拐角处的圆角的半径Rd可以为400μm。

如图1所示，在一些实施例中，封装薄膜7还包括至少两层无机薄膜层；无机薄膜层与有机薄膜层72间隔层叠设置，且所述封装薄膜7中，与衬底基板1距离最近和与衬底基板1距离最远的薄膜层均为无机薄膜层；至少两层无机薄膜层覆盖至少一个阻挡坝8。

有机薄膜层72可以通过喷墨打印的方式形成，阻挡坝8围绕有机薄膜层72设置，可以有效阻挡有机薄膜层72喷墨打印的墨水溢流。另外封装薄膜7的无机薄膜层覆盖阻挡坝8，也就是说，阻挡坝8位于封装薄膜7的覆盖范围内，封装薄膜7的边界在阻挡坝8边界的外围。

基于此，本实用新型实施例中的封装薄膜7可以为无机薄膜层-有机薄膜层72-无机薄膜层的结构。如图1所示，封装薄膜7可以包括第一无机薄膜层711、有机薄膜层72以及第二无机薄膜层712。其中，第一无机薄膜层711最靠近衬底基板1，第二无机薄膜层712最远离衬底基板1，而有机薄膜层72位于第一无机薄膜层711和第二无机薄膜层712之间。

构成第一无机薄膜层711和第二无机薄膜层712中的任意一种薄膜层的材料可以包括氮化硅SiNx、二氧化硅SiO2、氮氧化硅SiON、氧化铝AlOx等。此外，可以采用化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)、物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD)、原子力沉积(Atom Layer Deposition，ALD)等方式形成上述无机薄膜层，形成的无机薄膜层的厚度为0.1～1μm，例如可以为0.1μm、0.3μm、0.5μm、1μm等。

构成有机薄膜层72的材料，可以包括丙烯酸基聚合物、硅基聚合物或环氧基聚合物等，可以采用Vitex高分子单体沉积法、喷墨打印((Ink Jet Printing IJD))、旋涂、喷涂等方式将上述材料制作在第一无机薄膜层711上，并进行光固化或热固化，以形成该有机薄膜层72。有机薄膜层72的厚度可以为1～20μm。

需要说明的是，图1是以封装薄膜7为三层结构为例进行的说明，该封装薄膜7还可以为五层或七层或其他结构，对于任意一种封装薄膜7而言，该封装薄膜7中的最底层和最外层的薄膜层为无机薄膜层，且一层无机薄膜层与一层有机薄膜层72交叠设置。其中，无机薄膜层用于起到阻隔水汽和氧气的作用，而有机薄膜层72在封装薄膜7中作为柔性部件，在上述衬底基板1为柔性材料构成时，由该封装薄膜7构成的显示器件可以为柔性显示器件。

此外，在形成第一无机薄膜层711之后，形成有机薄膜层72之前，还可以形成一层缓冲有机层(Buffer layer)。该缓冲有机层的厚度可以为0.1μm～0.3μm。该缓冲有机层厚度较薄，与常规较厚的缓冲有机层相比，沉积时间更短，从而有利于缩小有机薄膜层72与无机薄膜层界面的差异性；另一方面，在无机薄膜层的表面沉积薄的缓冲有机层，相较于直接沉积较厚的有机薄膜层72，更利于掩模清理。

上述有机缓冲层的沉积同样可以采用化学气相沉积的方式形成，制作时，有机缓冲层与无机薄膜层的沉积可以同处一个工艺腔室，采用一个工艺流程，这样能够减少基板传输对位时间，工艺连续，中间界面无不良缺陷，能够得到更优薄膜。

形成有机缓冲层的材料可以为等离子体聚合pp-六甲基二甲硅醚(HMDSO)。沉积时，可以在工艺腔室内通入等离子体(例如，含氧等离子体、含氟等离子体)进行缓冲层2的固化，以实现薄膜表面特性的精确及时控制。该处理工艺可置于化学气相沉积腔室中进行，也可置于喷墨打印工艺前处理腔室进行。考虑到有机薄膜层72与有机缓冲层工艺时间间隔，且接触角特性会随时间而变化，若时间间隔短，有机缓冲层的固化可置于化学气相沉积腔室中进行；若时间间隔长，有机缓冲层的固化可置于喷墨打印工艺前处理腔室中，以确保薄膜具有良好的接触角特性。

为了更好地控制喷墨打印墨水边缘不齐整、流淌等现象，可以在有机缓冲层固化时分区进行浓度不等的等离子固化。例如，所述有机缓冲层的边缘区域通入的等离子体的浓度低于中心区域通入的等离子体的浓度；也可以在有机缓冲层固化时分区通入不同的等离子体，例如，无机缓冲层2固化时，在中心区域通入含氧等离子体，在边缘区域通入含氟等离子体。

此外，在形成最后一层无机薄膜层之后，还可以在该无机薄膜层外形成一层阻挡层(Barrier film)，该阻挡层可以采用聚对苯二甲酸乙二酸酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酸酯(PEN)等柔性材料进行制作，以对整个封装结构进行保护。

对于显示基板9中阻挡坝8的设置，在一些实施例中，显示基板9可以包括如图2和图3所示的第一阻挡坝81和第二阻挡坝82，第二阻挡坝82设置于第一阻挡坝81的外围。设置阻挡坝8的层数越多，越有利于阻挡有机薄膜层72喷墨打印的墨水溢流，但是，阻挡坝8的层数太多，也会影响显示基板9边框区的宽度，因此，可以设置两层阻挡坝8，既能有效地对有机薄膜层72形成阻挡作用，又不会对显示基板9的边框区宽度产生影响。

由上述可知，第二阻挡坝82设置于第一阻挡坝81的外围，封装薄膜7的边界在第二阻挡坝82的外围。因此，第一阻挡坝81的拐角处的圆角半径为三者中最小的，第二阻挡坝82的拐角处的圆角半径大于第一阻挡坝81的拐角处的圆角半径，封装薄膜7的边缘拐角处的圆角半径大于第二阻挡坝82的拐角处的圆角半径。在一些实施例中，第一阻挡坝81的拐角处的圆角半径为200～280μm，第二阻挡坝82的拐角处的圆角半径为300～360μm，封装薄膜7的边缘拐角处的圆角半径为360～440μm。示例性的，第一阻挡坝81的拐角处的圆角半径为240μm，第二阻挡坝82的拐角处的圆角半径为330μm，封装薄膜7的边缘拐角处的圆角半径为400μm；或者，第一阻挡坝81的拐角处的圆角半径为200μm，第二阻挡坝82的拐角处的圆角半径为300μm，封装薄膜7的边缘拐角处的圆角半径为360μm；或者，第一阻挡坝81的拐角处的圆角半径为280μm，第二阻挡坝82的拐角处的圆角半径为360μm，封装薄膜7的边缘拐角处的圆角半径为440μm。

在一些实施例中，在形成显示基板9的平坦化层5、间隔柱(Photo Spacer，图中未示出)和像素界定层6的同时，可以通过刻蚀等工艺形成上述阻挡坝8。也就是说，第一阻挡坝81、第二阻挡坝82可以包括平坦化层5、间隔柱和像素界定层6，其中，形成平坦化层5的材料可以为亚克力材料(PMMA，聚甲基丙烯酸甲酯)，平坦化层5的厚度可以为1.5μm～2.5；形成间隔柱的材料可以为聚酰亚胺，间隔柱的厚度可以为1～1.5μm；形成像素界定层6的材料可以为聚酰亚胺，像素界定层6的厚度可以为1～2μm。形成的第一阻挡坝81和第二阻挡坝82的宽度可以为10～100μm，高度(或厚度)可以为3.5～6μm。

基于上述显示基板9的技术方案，本实用新型的实施例还提供了一种显示装置，显示装置包括如上所述的显示基板。上述显示装置可以为OLED显示装置、AMOLED显示装置或者Micro-LED显示装置等。

本实用新型实施例所提供的显示装置所能实现的有益效果，与上述所提供的显示基板9所能达到的有益效果相同，在此不做赘述。

以上所述，仅为本实用新型的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。