半极性氮化镓单量子阱层发光器件的制作方法

技术特征：

1.一种半极性氮化镓单量子阱层发光器件，其包括：

N型氮化镓层；

P型氮化镓层；以及

单量子阱激活层，位于N型氮化镓层和P型氮化镓层之间，所述单量子阱材料为InxGayN1-x-y，其中沿着从N型氮化镓层到P型氮化镓层的厚度方向，所述单量子阱激活层单量子阱材料为InxGayN1-x-y中的x逐渐增大。

2.根据权利要求1所述的半极性氮化镓单量子阱层发光器件，其中所述x值沿着从N型氮化镓层到P型氮化镓层的厚度方向逐渐从0.1增大到0.2之间。

3.根据权利要求1或2所述的半极性氮化镓单量子阱层发光器件，其中所述单量子阱的厚度为

4.根据权利要求1所述的半极性氮化镓单量子阱层发光器件，还包括：

第一静电保护层，位于N型氮化镓层与激活层之间；以及

第二静电保护层，位于激活层与P型氮化镓层之间。

5.根据权利要求4所述的半极性氮化镓单量子阱层发光器件，其中所述第一静电保护层和第二静电保护层为无掺杂的GaN层或InGaN层。

6.根据权利要求4所述的半极性氮化镓单量子阱层发光器件，其中所述第一静电保护层和第二静电保护层为低掺杂浓度的GaN层或InGaN层。

7.根据权利要求5或6所述的半极性氮化镓单量子阱层发光器件，其中所述第一静电保护层和第二静电保护层厚度为

8.根据权利要求1所述的半极性氮化镓单量子阱层发光器件，其中所述半极性面为(2021)晶面、(3031)晶面或(3031)晶面。