半极性氮化镓单量子阱层发光器件的制作方法

技术总结
本公开涉及一种半极性氮化镓单量子阱层发光器件，其包括：N型氮化镓层；P型氮化镓层；以及单量子阱激活层，位于N型氮化镓层和P型氮化镓层之间，所述单量子阱材料为InxGayN1‑x‑y，其中沿着从N型氮化镓层到P型氮化镓层的厚度方向，所述单量子阱激活层单量子阱材料为InxGayN1‑x‑y中的x逐渐增大。

技术研发人员：陈辰;宋杰;崔周源
受保护的技术使用者：西安赛富乐斯半导体科技有限公司
技术研发日：2018.12.04
技术公布日：2019.06.11