1.一种引线框架，包括相互平行的上表面和下表面，所述上表面和/或所述下表面上具有芯片安装区域，其特征在于，还包括用于安装芯片的芯片安装表面，所述芯片安装表面与所述上表面以及所述下表面相互平行设置，所述芯片安装表面位于所述上表面与所述下表面之间并位于所述芯片安装区域内，在所述芯片安装区域的周部还设置有溢胶槽。
2.根据权利要求1所述的引线框架，其特征在于，所述溢胶槽与所述芯片安装区域之间还设置有阻胶挡墙。
3.根据权利要求2所述的引线框架，其特征在于，所述阻胶挡墙具有与所述上表面以及所述下表面相互平行的溢胶面，所述溢胶面的高度不高于所述上表面或所述下表面的高度。
4.根据权利要求3所述的引线框架，其特征在于，所述阻胶挡墙具有分别位于所述溢胶面两侧的第一挡墙侧壁以及第二挡墙侧壁，所述第一挡墙侧壁与所述第二挡墙侧壁相互平行设置，所述第一挡墙侧壁与所述第二挡墙侧壁之间的距离为40-90μm。
5.根据权利要求3所述的引线框架，其特征在于，所述阻胶挡墙具有分别位于所述溢胶面两侧的第一挡墙侧壁以及第二挡墙侧壁，所述第一挡墙侧壁位于靠近所述芯片安装区域的一侧，所述第二挡墙侧壁位于远离所述芯片安装区域的一侧，所述第二挡墙侧壁相对于垂直所述芯片安装表面的竖直面倾斜设置，所述第二挡墙侧壁倾斜的方向为使所述阻胶挡墙由其根部至设置有所述溢胶面的端部逐渐变窄。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的引线框架，其特征在于，所述芯片安装面为在所述上表面和/或所述下表面加工凹槽形成。
7.根据权利要求6所述的引线框架，其特征在于，所述凹槽通过蚀刻或激光加工形成，所述溢胶槽通过蚀刻或激光加工形成。
8.根据权利要求3所述的引线框架，其特征在于，所述阻胶挡墙上设置有若干溢胶口，所述溢胶口沿所述阻胶挡墙的厚度方向贯穿所述阻胶挡墙设置。
9.根据权利要求6所述的引线框架，其特征在于，所述溢胶槽的深度大于所述凹槽的深度。
10.一种封装半导体元件，其特征在于，具有权利要求1-9中任一项所述的引线框架。