一种引线框架及包含其的封装半导体元件的制作方法

本实用新型半导体领域，尤其涉及一种引线框架及包含其的封装半导体元件。

背景技术：

现有半导体元件通常通过银胶将芯片固定在引线框架上，银胶的数量对产品的质量具有很大的影响，银胶过少容易造成晶片与引线框架之间的结合强度不够容易造成断路，影响产品的可靠性，而银胶过多则会导致胶材溢出，造成打线时无法与引线架结合，造成电性失效。

技术实现要素：

本实用新型实施例的目的在于：提供一种引线框架及包含该引线框架的封装半导体元件，其能够解决现有技术中存在的上述技术问题。

为达上述目的，本实用新型采用以下技术方案：

提供一种引线框架，包括相互平行的上表面和下表面，所述上表面和/或所述下表面上具有芯片安装区域，还包括用于安装芯片的芯片安装表面，所述芯片安装表面与所述上表面以及所述下表面相互平行设置，所述芯片安装表面位于所述上表面与所述下表面之间并位于所述芯片安装区域内，在所述芯片安装区域的周部还设置有溢胶槽。

作为所述的引线框架的一种优选的技术方案，所述溢胶槽与所述芯片安装区域之间还设置有阻胶挡墙。

作为所述的引线框架的一种优选的技术方案，所述阻胶挡墙具有与所述上表面以及所述下表面相互平行的溢胶面，所述溢胶面的高度不高于所述上表面或所述下表面的高度。

作为所述的引线框架的一种优选的技术方案，所述阻胶挡墙具有分别位于所述溢胶面两侧的第一挡墙侧壁以及第二挡墙侧壁，所述第一挡墙侧壁与所述第二挡墙侧壁相互平行设置，所述第一挡墙侧壁与所述第二挡墙侧壁之间的距离为40-90μm。

作为所述的引线框架的一种优选的技术方案，所述阻胶挡墙具有分别位于所述溢胶面两侧的第一挡墙侧壁以及第二挡墙侧壁，所述第一挡墙侧壁位于靠近所述芯片安装区域的一侧，所述第二挡墙侧壁位于远离所述芯片安装区域的一侧，所述第二挡墙侧壁相对于垂直所述芯片安装表面的竖直面倾斜设置，所述第二挡墙侧壁倾斜的方向为使所述阻胶挡墙由其根部至设置有所述溢胶面的端部逐渐变窄。

作为所述的引线框架的一种优选的技术方案，所述芯片安装面为在所述上表面和/或所述下表面加工凹槽形成。

作为所述的引线框架的一种优选的技术方案，所述凹槽通过蚀刻或激光加工形成，所述溢胶槽通过蚀刻或激光加工形成。

作为所述的引线框架的一种优选的技术方案，所述阻胶挡墙上设置有若干溢胶口，所述溢胶口沿所述阻胶挡墙的厚度方向贯穿所述阻胶挡墙设置。

作为所述的引线框架的一种优选的技术方案，所述溢胶槽的深度大于所述凹槽的深度。

同时，还提供一种封装半导体元件，其具有如上所述的引线框架。

本实用新型的有益效果为：通过在引线框架上用于安装芯片的芯片安装区域设置低于上表面的芯片安装表面，在进行点胶后胶量过大时向四周扩散不会扩散至引线键合区，而避免影响引线键合操作的进行，能够提高产品的合格率。

在芯片安装区域的周部设置溢胶槽，当胶量过大由芯片安装表面溢出时，多余胶液会进入到溢胶槽中，被溢胶槽吸收，同样可以避免胶液扩散至引线键合区域。

在芯片安装区域的周部设置溢胶槽相对于设置尺寸范围更大的芯片安装表面能够增加胶液的容量。

附图说明

下面根据附图和实施例对本实用新型作进一步详细说明。

图1为本实用新型实施例一所述引线框架结构示意图。

图2为本实用新型实施例二、四所述引线框架结构示意图。

图3为本实用新型实施例三、五所述引线框架结构示意图。

图4为本实用新型实施例六所述引线框架结构示意图。

图5为本实用新型实施例七所述引线框架结构示意图。

图中：

1、上表面；2、下表面；3、芯片安装表面；4、凹槽；5、溢胶槽；6、阻胶挡墙；7、溢胶面；8、第一挡墙侧壁；9、第二挡墙侧壁。

具体实施方式

为使本实用新型解决的技术问题、采用的技术方案和达到的技术效果更加清楚，下面将结合附图对本实用新型实施例的技术方案作进一步的详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

在本实用新型的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”应作广义”、“固定”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

实施例一：

如图1所示，本实施例提供一种引线框架，包括相互平行的上表面1和下表面2，所述上表面1上具有芯片安装区域，还包括用于安装芯片的芯片安装表面3，所述芯片安装表面3与所述上表面1以及所述下表面2相互平行设置，所述芯片安装表面3位于所述上表面1与所述下表面2之间并位于所述芯片安装区域内，在所述芯片安装区域的周部还设置有溢胶槽5。

通过在引线框架上用于安装芯片的芯片安装区域设置低于上表面1的芯片安装表面3，在进行点胶后胶量过大时向四周扩散不会扩散至引线键合区，而避免影响引线键合操作的进行，能够提高产品的合格率。

在芯片安装区域的周部设置溢胶槽5，当胶量过大由芯片安装表面3溢出时，多余胶液会进入到溢胶槽5中，被溢胶槽5吸收，同样可以避免胶液扩散至引线键合区域。

在芯片安装区域的周部设置溢胶槽5相对于设置尺寸范围更大的芯片安装表面3能够增加胶液的容量。

具体的，在本实施例中所述芯片安装面为在所述上表面1加工凹槽4形成。所述凹槽4的加工方式可以为蚀刻或激光加工，本实施例中采用蚀刻加工形成所述凹槽4。所述溢胶槽5同样可以采用蚀刻或激光加工的方式加工形成，本实施例中采用与凹槽4相同的蚀刻工艺加工。

本实施例中以上表面1作为参照，所述溢胶槽5的深度大于所述凹槽4的深度，在具体加工过程中，蚀刻先加工深度较浅的凹槽4，在凹槽4加工完成后再蚀刻深度较大的溢胶槽5。

本实施例中所述的引线框架整体厚度为200μm，所述凹槽4的深度为70μm，所述沟槽的深度为130微米，所述沟槽的宽度为100μm。

同时，本实施例中还提供一种封装半导体元件，其具有如上所述的引线框架。采用上述引线框架的封装半导体元件在加工过程中对胶量的控制无需十分精确，点胶的位置精度要求也可相对降低，能够大幅度降低生产成本，提高生产效率。

需要指出的是，本方案中所述的上表面1以及下表面2仅仅是基于视图方向而进行的说明。同时，本实施例中仅以在上表面1设置芯片为例进行具体说明本方案，并不作为对芯片安装表面3所在位置的制，在其他实施例中所述芯片安装表面3还可以设置在下表面2或同时设置在上表面1和下表面2。

实施例二：

如图2所示，本实施例提供一种引线框架，包括相互平行的上表面1和下表面2，所述上表面1和/或所述下表面2上具有芯片安装区域，还包括用于安装芯片的芯片安装表面3，所述芯片安装表面3与所述上表面1以及所述下表面2相互平行设置，所述芯片安装表面3位于所述上表面1与所述下表面2之间并位于所述芯片安装区域内，在所述芯片安装区域的周部还设置有溢胶槽5。

具体的，本实施例与实施例一的区别在于本实施例中所述溢胶槽5与所述芯片安装区域之间还设置有阻胶挡墙6。

通过设置阻胶挡墙6能够使得溢胶时胶液在芯片安装区域内填充满后在向外部扩散，能够充分利用容胶空间。

所述阻胶挡墙6具有与所述上表面1以及所述下表面2相互平行的溢胶面7，所述溢胶面7的高度不高于所述上表面1或所述下表面2的高度。本实施例中所述溢胶面7与所述上表面1相齐平。此方案能够最大限度的利用芯片安装表面3及其与阻胶挡墙6之间的容胶空间。只有当胶液达到阻胶挡墙6的高度时才会溢出至溢胶槽5方向。

具体的，在本实施例中所述芯片安装面为在所述上表面1加工凹槽4形成。所述凹槽4的加工方式可以为蚀刻或激光加工，本实施例中采用蚀刻加工形成所述凹槽4。所述溢胶槽5同样可以采用蚀刻或激光加工的方式加工形成，本实施例中采用与凹槽4相同的蚀刻工艺加工。

本实施例中以上表面1作为参照，所述溢胶槽5的深度大于所述凹槽4的深度，在具体加工过程中，蚀刻先加工深度较浅的凹槽4，在凹槽4加工完成后再蚀刻深度较大的溢胶槽5。

同时，本实施例中还提供一种封装半导体元件，其具有如上所述的引线框架。采用上述引线框架的封装半导体元件在加工过程中对胶量的控制无需十分精确，点胶的位置精度要求也可相对降低，能够大幅度降低生产成本，提高生产效率。

实施例三：

如图3所示，本实施例提供一种引线框架，其与实施例二的区别在于阻胶挡墙6的高度不同，本实施例中所述阻胶挡墙6的所述溢胶面7低于所述上表面1的高度。

将溢胶面7的高度设置为低于上表面1的高度的目的在于避免溢胶时胶液在溢胶面7残留，导致胶液最高点高度高于上表面1的高度。具体为，阻胶挡墙6的高度为所述凹槽4深度的30％-70％。

优选的，本实施例中所述阻胶挡墙6的高度为所述凹槽4深度的50％。

同时，本实施例中还提供一种封装半导体元件，其具有如上所述的引线框架。采用上述引线框架的封装半导体元件在加工过程中对胶量的控制无需十分精确，点胶的位置精度要求也可相对降低，能够大幅度降低生产成本，提高生产效率。

实施例四：

如图2所示，本实施例提供一种引线框架，其方案与实施例二中技术方案基本相同，其在实施例二的基础上曾加了对阻胶挡墙6具体结构的改进，本实施例中所述阻胶挡墙6具有分别位于所述溢胶面7两侧的第一挡墙侧壁8以及第二挡墙侧壁9，所述第一挡墙侧壁8与所述第二挡墙侧壁9相互平行设置，所述第一挡墙侧壁8与所述第二挡墙侧壁9之间的距离为40-90μm。

优选的，本实施例中所述第一挡墙侧壁8与所述第二挡墙侧壁9之间的距离为50μm。

实施例五：

如图3所示，本实施例提供一种引线框架，其方案与实施例三中技术方案基本相同，其在实施例三的基础上曾加了对阻胶挡墙6具体结构的改进，本实施例中所述阻胶挡墙6具有分别位于所述溢胶面7两侧的第一挡墙侧壁8以及第二挡墙侧壁9，所述第一挡墙侧壁8与所述第二挡墙侧壁9相互平行设置，所述第一挡墙侧壁8与所述第二挡墙侧壁9之间的距离为40-90μm。

优选的，本实施例中所述第一挡墙侧壁8与所述第二挡墙侧壁9之间的距离为50μm。

实施例六：

如图4所示，本实施例提供一种引线框架，其方案与实施例二中技术方案基本相同，其在实施例二的基础上曾加了对阻胶挡墙6具体结构的改进，本实施例中所述阻胶挡墙6具有分别位于所述溢胶面7两侧的第一挡墙侧壁8以及第二挡墙侧壁9，所述第一挡墙侧壁8位于靠近所述芯片安装区域的一侧，所述第二挡墙侧壁9位于远离所述芯片安装区域的一侧，所述第二挡墙侧壁9相对于垂直所述芯片安装表面3的竖直面倾斜设置，所述第二挡墙侧壁9倾斜的方向为使所述阻胶挡墙6由其根部至设置有所述溢胶面7的端部逐渐变窄。

本实施例中所述阻胶挡墙6的根部的宽度为90μm，溢胶面7出的宽度为40μm。

实施例七：

如图5所示，本实施例提供一种引线框架，其方案与实施例三中技术方案基本相同，其在实施例三的基础上曾加了对阻胶挡墙6具体结构的改进，本实施例中所述阻胶挡墙6具有分别位于所述溢胶面7两侧的第一挡墙侧壁8以及第二挡墙侧壁9，所述第一挡墙侧壁8位于靠近所述芯片安装区域的一侧，所述第二挡墙侧壁9位于远离所述芯片安装区域的一侧，所述第二挡墙侧壁9相对于垂直所述芯片安装表面3的竖直面倾斜设置，所述第二挡墙侧壁9倾斜的方向为使所述阻胶挡墙6由其根部至设置有所述溢胶面7的端部逐渐变窄。

本实施例中所述阻胶挡墙6的根部的宽度为90μm，溢胶面7出的宽度为40μm。

实施例八：

本实施例为分别在上述实施例二至实施例七的基础上进行进一步的改进，具体为在所述阻胶挡墙上设置有若干溢胶口(未图示)，所述溢胶口沿所述阻胶挡墙的厚度方向贯穿所述阻胶挡墙设置。

通过设置溢胶口能够进行胶液疏导，同样可以避免胶液溢出到与上表面高度齐平的溢胶面上。

于本文的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“右”、等方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述和简化操作，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，术语“第一”、“第二”，仅仅用于在描述上加以区分，并没有特殊的含义。

在本说明书的描述中，参考术语“一实施例”、“示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本实用新型的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。

此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。

以上结合具体实施例描述了本实用新型的技术原理。这些描述只是为了解释本实用新型的原理，而不能以任何方式解释为对本实用新型保护范围的限制。基于此处的解释，本领域的技术人员不需要付出创造性的劳动即可联想到本实用新型的其它具体实施方式，这些方式都将落入本实用新型的保护范围之内。