技术特征：
技术总结
在碳化硅层叠基板内，提高将使通电可靠性劣化的缺陷即基底面位错(BPD)转换为无害的缺陷即贯通刃状位错(TED)的效率，由此，提高碳化硅层叠基板的可靠性。作为该方法，在具有SiC基板和依次形成于SiC基板上的外延层即缓冲层及漂移层的碳化硅层叠基板上，在SiC基板和缓冲层之间，以与SiC基板的上表面相接触的方式形成杂质浓度比SiC基板及缓冲层低且比漂移层高的半导体层。
技术研发人员：小西久美子;大内洁;小林庆亮;岛明生
受保护的技术使用者：日立金属株式会社
技术研发日：2018.01.30
技术公布日：2019.10.01