技术特征：
技术总结
在所描述的示例中，集成电路(100)包括互连(124)，互连(124)包括金属层(130)、在金属层(130)的顶部表面或者金属层(130)的底部表面中的至少一个上的石墨烯层(132)以及在石墨烯层(132)上与金属层(130)相对的六方氮化硼(hBN)层(134)。集成电路的介电材料(116)接触hBN层(134)。石墨烯层(132)具有一个或更多个石墨烯原子层。hBN层(134)的厚度为一至三个原子层。互连(124)可以在金属层(130)的底部表面上具有下石墨烯层(128)以及下hBN层(126)，并且在金属层(130)的顶部表面上具有上石墨烯层(132)以及上hBN层(134)。
技术研发人员：A·维诺戈帕;B·S·库克;L·哥伦布;R·R·多林
受保护的技术使用者：德克萨斯仪器股份有限公司
技术研发日：2018.02.21
技术公布日：2019.10.15