技术特征：
技术总结
本公开是关于一种阵列基板、薄膜晶体管及薄膜晶体管的制造方法。该薄膜晶体管包括：第一有源层设于衬底一侧；绝缘层设于所述第一有源层远离所述衬底的表面，所述绝缘层完全或部分覆盖所述第一有源层；源极和漏极，若所述绝缘层完全覆盖所述第一有源层，所述源极和所述漏极设于所述绝缘层远离所述第一有源层的表面；若所述绝缘层部分覆盖所述第一有源层，所述源极和所述漏极设于所述绝缘层远离所述衬底的表面，或者，所述源极和所述漏极设于所述第一有源层远离所述衬底的表面；第二有源层设于所述绝缘层远离所述衬底的一侧，且延伸与所述源极和漏极相接触，所述第二有源层在所述衬底上的正投影与所述第一有源层在所述衬底上的正投影具有重叠区。
技术研发人员：丁录科;方金钢;王庆贺
受保护的技术使用者：京东方科技集团股份有限公司
技术研发日：2019.01.04
技术公布日：2019.05.10