本发明涉及光伏技术领域，具体涉及一种光伏组件及其制备方法。
背景技术：
目前现有的光伏技术主要有硅基太阳能电池和薄膜太阳能电池，太阳能电池是吸收太阳辐射能并将太阳辐射能直接转换为电能的装置。目前太阳能电池应用的最关键问题是：如何提高太阳能电池的光电转换效率以及延长组件的使用寿命。要提高太阳能电池的光电转化效率，除了从材料、生产工艺上进行改善外，提高产品表面的光照吸收率也是提高太阳能电池转换效率的一个最重要的手段。如何提高组件的使用寿命，要从组件的结构、材料上进行改善，才能根本的解决光伏组件的寿命问题。
目前市场上的光伏组件主要是通过丁基胶密封的方法，来确保光伏组件的防潮、防水的性能。然而，上述现有的方法存在以下缺陷：第一，丁基胶材料价格较高，国产化效率低，绝大部分都需要进口。第二，各膜层之间互粘性差，而如果膜层之间粘合力较低，在合片制程和后续成品搬运的过程中，容易出现膜层错位的问题。第三，由于光伏组件都是在长时间日照条件下使用，而丁基胶是有机长键大分子材料，在长时间的日照条件下，容易使材质出现老化，失去原本固有的密封、防水特性，导致水汽、空气进入到光伏组件的内部，容易使光伏组件内部发生氧化而影响使用寿命及使用性能。第四，丁基胶材料的储存条件要求苛刻，并且材料保质期较短，这样就给生产的储存和备料提出更加严格的要求。
技术实现要素：
鉴于现有技术中的上述缺陷或不足，本发明实施例提供一种密封性能好且使用寿命长的光伏组件及其制备方法。
为了实现上述目的，本发明实施例提供一种光伏组件，包括光伏芯片和前板玻璃，所述光伏芯片包括一基板，所述基板表面包括发电区和边缘空白区，所述前板玻璃一表面包括镀膜光伏发电材料的第一区域和第二区域，所述第一区域位于所述前板玻璃一表面的四周部位，且所述第一区域包围所述第二区域，所述前板玻璃的第一区域上形成有无机阻挡层，所述光伏芯片的发电区与所述第二区域贴合，所述边缘空白区与所述无机阻挡层贴合。
其中，所述光伏芯片的边缘空白区与所述无机阻挡层之间设置有硅酮胶，所述光伏芯片的发电区与所述前板玻璃的第二区域之间设置有pvb胶膜。
其中，所述基板为玻璃基板，所述光伏组件还包括设置在所述玻璃基板另一表面的背板玻璃，所述玻璃基板与所述背板玻璃之间设置有pvb胶膜。
本发明还提供一种上述光伏组件的制备方法，包括以下步骤：
在所述前板玻璃的所述第一区域上复合无机釉料；
将所述复合有无机釉料的前板玻璃在预设温度下放置预设时间进行烧结，在所述前板玻璃的所述第一区域形成所述无机阻挡层；
将所述前板玻璃与所述光伏芯片贴合，其中，
将所述光伏芯片的所述发电区与所述前板玻璃的所述第二区域贴合；以及
将光伏芯片的边缘空白区与所述无机阻挡层贴合。
其中，还包括步骤：
在光伏芯片的基板于镀膜光伏发电材料相对的一表面上涂覆pvb胶膜；
将涂覆有pvb胶膜的基板表面贴合背板玻璃。
其中，所述在前板玻璃的第一区域上复合无机釉料包括：
将二氧化硅、硅、催化剂和/或颜填料进行混合研磨后，得到无机釉料；
所述混合研磨的时间为45～180min；
所述混合研磨后的细度小于等于10μm。
其中，所述预设烧结的温度为500～620℃；
所述预设烧结的时间为30～60min。
其中，还包括在所述烧结处理之前的烧制处理，所述烧制处理还包括三个烧制阶段，所述烧结处理还包括两个烧结阶段；其中，
第一烧制阶段的温度小于等于120℃；第一烧制阶段的时间为5～10min；
第二烧制阶段的温度为120～250℃；第二烧制阶段的时间为10～20min；
第三烧制阶段的温度为250～500℃；第三烧制阶段的时间为10～20min；
第一烧结阶段的温度为500～580℃；第一烧结阶段的时间为20～40min；
第二烧结阶段的温度为580～620℃；第二烧结阶段的时间为30～60min。
其中，所述无机釉料包括：
其中，所述催化剂选用三氧化硼和三氧化二铝中的一种或几种。
其中，所述颜填料选用氯化铁或硫酸铜中的一种或几种。
其中，所述无机釉料进一步包括：
调配剂0～15重量份。
其中，所述调配剂选用酒精、乙二醇、乙酸乙酯、正丁醇、异丙醚和丙烯酸中的一种或几种。
所述无机阻挡层的厚度为6～12μm；
其中，所述复合方式包括丝印、辊印、转印、刮涂和喷涂中的一种或多种。
与现有技术相比，本发明实施例通过在前板玻璃一表面的四周部位形成所述无机阻挡层，无机阻挡层能很好地与前板玻璃的表面紧密结合，且所述光伏芯片的发电区与所述前板玻璃的第二区域贴合，所述边缘空白区与所述无机阻挡层贴合，使得无机阻挡层包围在光伏芯片的四周，能有效避免水分子、氧气等进入光伏组件的内部，对光伏芯片起到良好的密封保护作用，从而从根本上解决光伏组件容易老化的问题，保证了产品的可靠性并延长了光伏组件的使用寿命，极大提升了产品的竞争力。
附图说明
通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
图1为本发明实施例提供的前板玻璃的平面结构示意图；
图2为本发明实施例提供的前板玻璃与光伏芯片的组合结构示意图；
图3为本发明实施例提供的光伏组件的结构示意图；
图4为本发明实施例提供的光伏组件光生伏特示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本申请作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关发明，而非对该发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与发明相关的部分。
需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。
请参见图1至图3，本发明实施例提供一种光伏组件，所述光伏组件包括前板玻璃1和光伏芯片3。如图1所示，所述前板玻璃1一表面包括第一区域10和第二区域11，所述第一区域10位于所述前板玻璃1一表面的四周部位，所述第二区域11位于所述前板玻璃1一表面的中间部位，且所述第一区域10包围所述第二区域11；所述前板玻璃1的第一区域10上形成有无机阻挡层6。
如图2所示，所述光伏芯片3包括一基板30，所述基板30的一表面包括镀膜光伏发电材料的发电区31和边缘空白区32，所述边缘空白区32由所述镀膜光伏发电材料形成发电区后再经蚀刻去掉光伏发电材料形成。所述边缘空白区32包围所述发电区31。，所述光伏芯片3的发电区与所述第二区域11贴合，所述边缘空白区32与所述第一区域上形成的无机阻挡层6贴合，所述光伏芯片3的边缘空白区32与所述无机阻挡层6之间设置有硅酮胶(图中未示)，所述光伏芯片3的发电区31与所述前板玻璃1的第二区域11之间设置有pvb胶膜4。
本实施例中，所述无机阻挡层6由在前板玻璃一表面的第一区域10上复合无机釉料经高温烧结而成，所述无机釉料包括：
二氧化硅65～85重量份；
硅3～8重量份；
催化剂2～5重量份。
所述催化剂为金属氧化物催化剂，在本实施例中，所述催化剂为三氧化硼或三氧化二铝中的一种或几种。本发明实施例中，选自三氧化硼重量份2份-5份和/或三氧化二铝重量份2份-5份。
本发明实施例采用金属氧化物充当催化剂，能够降低无机釉料的熔化温度，使无机釉料的熔点低于玻璃的熔点，还可以降低融化后无机釉料的表面张力，使熔融状态下的二氧化硅与玻璃中的二氧化硅更容易形成化学键结合，降低的表面张力可以使熔融状态下无机釉料中的气体更容易挥发。
在本发明上述实施例中，通过加入三氧化硼或/和三氧化二铝可以降低无机釉料的熔点，使无机釉料的熔点低于玻璃的熔点，这样在高温烧结的过程中，无机釉料会先于前板玻璃融化，从而融化状态下的无机釉料与前板玻璃能够充分融合，以确保膜层之间的结合牢固。本发明实施例中，所述三氧化硼或三氧化二铝的重量份含量优选约占2份-5份。如果所述三氧化硼或三氧化二铝的含量过低，则所需的熔融温度会过高，会导致对无机釉料的催化效果不明显；而如果含量过高，则会导致无机釉料的熔融温度较低，此时前板玻璃还没有开始软化，就会导致无机釉料不能和前板玻璃完全融合。
在一实施例中，所述无机釉料还进一步包括：
颜填料4～9重量份。
在本实施例中，所述颜填料为氯化铁或硫酸铜；所述氯化铁或硫酸铜的重量份为4份-9份。
本发明实施例通过加入颜填料来改变无机阻挡层的颜色，可以根据无机阻挡层的需求颜色来改变比例；同时可以降低熔融状态下无机釉料的表面张力，这样更加有利于无机釉料中的有机材料中的气体排出，提高烧结后形成的无机阻挡层的致密性。
本发明上述实施例中，所述加入的氯化铁(fecl3)或硫酸铜(cuso4)具有开放的多孔结构，吸附性强，能吸附多种物质，是一种高性能的活性吸附剂。加入所述氯化铁(fecl3)或硫酸铜(cuso4)可以与进入光伏组件内部的水汽结合，形成结晶水合物，吸附水分子，并且可循环使用，进一步确保光伏组件内部干燥，有效保护光伏芯片防止氧化而影响使用性能及使用寿命。本实施例中，所述加入的氯化铁(fecl3)或硫酸铜(cuso4)重量份含量优选约占4份-9份，重量份含量如果过多，会导致无机阻挡层很容易受潮；而重量份含量如果过低，则会导致吸水性变差。
本发明实施例所述无机釉料中还包括一定量的单质硅，因为制备原因，二氧化硅、催化剂或颜填料等有机原料中存在有机杂质，通过该单质硅可以与无机釉料中的有机原料或有机杂质燃烧时产生的碳的氧化物反应，进而转化为二氧化硅，减少无机釉料形成的无机阻挡层中的气体，进一步提高无机阻挡层与前板玻璃的结合力。同时，加入的单质硅确保光伏组件在使用的过程中，能吸附并消耗掉膜层中的氧气，使膜层更加致密，本实施例硅的重量份含量优选约占3份-8份；如果硅的重量份含量过低，会导致膜层中的氧气不能被充分消耗；而如果过高，则会使膜层变的很脆硬。
优选地，在一实施例中，所述无机釉料还包括调配剂，所述调配剂为有机溶剂，其重量份为0-15份。
在一实施例中，所述调配剂选用酒精、乙二醇、乙酸乙酯、正丁醇、异丙醚或丙烯酸中一种或几种。
本发明实施例采用上述有机小分子、燃点低、含碳量低的有机溶剂作为调配剂，不仅有利于材料的挥发，而且在高温条件下很容易燃烧，同时使无机釉料中的有机材料在燃烧时更充分，并且调配剂燃烧产生的碳的氧化物能和单质硅发生反应，减少了烧结后形成的无机阻挡层中的气体，进而提高了无机阻挡层与前板玻璃的结合力。
本发明实施例通过在前板玻璃一表面的四周部位即第一区域10上复合无机釉料，无机釉料经高温烧结后形成所述无机阻挡层6。由于无机釉料中的主要成分包含二氧化硅，在高温烧结的过程中，无机釉料中的二氧化硅的si-o键与前板玻璃中二氧化硅的si-o键相互结合，形成共价键，因此经高温融化后的无机釉料与前板玻璃之间具有强大的附着力，高温烧结后形成的无机阻挡层6与前板玻璃1的膜层之间结合牢固。
本发明实施例通过在前板玻璃一表面的四周部位形成所述无机阻挡层6，无机阻挡层6能很好地与前板玻璃1的表面紧密结合，且所述光伏芯片3的发电区31与所述前板玻璃的第二区域11贴合，所述边缘空白区32与所述无机阻挡层6贴合，使得无机阻挡层6包围在光伏芯片3的四周，所述光伏芯片3的边缘空白区32与所述无机阻挡层6之间设置有硅酮胶，能使膜层之间结合牢固，本发明实施例所述光伏组件能有效避免水分子、氧气等进入光伏组件的内部，对光伏芯片起到良好的密封保护作用，从而从根本上解决光伏组件容易老化的问题，保证了产品的可靠性并延长了光伏组件的使用寿命。
请参阅图3及图4，在一实施例中，所述光伏芯片3的基板为玻璃基板2，所述光伏芯片3包括设置在玻璃基底2于远离背板玻璃5一表面的第一电极层、位于所述第一电极层远离背板玻璃5一表面的半导体层8，和位于半导体层8于远离所述第一电极层一表面的第二电极层。
所述第一电极层为mo层12，半导体层8包括p型半导体层和n型半导体层，所述第二电极层为透明金属氧化层zno层13。
本实施例中，cigs膜层10用于形成光伏芯片的p型半导体区，p型半导体在一定强度的光照后产生电子-空穴对，形成半导体层的正极，cds膜层11形成所述光伏芯片的n型半导体区，n型半导体区在一定强度的光照后产生电子，形成光伏半导体的负极。
请参见图4，其为光伏组件光生伏特示意图；当太阳光线7入射到光伏组件表面时，一部分光线射到光伏组件的边缘，如果边缘材料采用现有的丁基胶，经过长时间的照射，且在紫外线、红外高温、氧气的作用下，丁基胶会逐渐老化、材质变性，防水性变差，从而不能够很好的保护整个光伏芯片。本发明实施例通过在前板玻璃1一表面的四周部位复合无机釉料，无机釉料经高温烧结后形成所述无机阻挡层6，无机阻挡层6能很好地与前板玻璃1的表面紧密结合，且所述光伏芯片3的发电区31与所述前板玻璃1的第二区域11贴合，所述边缘空白区32与所述无机阻挡层6贴合，从而使得无机阻挡层6包围在光伏芯片3的四周，能有效避免水分子、氧气等进入光伏组件的内部，对光伏芯片起到良好的密封保护作用，从而从根本上解决光伏组件容易老化的问题，保证了产品的可靠性并延长了光伏组件的使用寿命，极大提升了产品的竞争力。
当光线照射在光伏组件表面时，光子将在离光伏组件表面一定深度的范围内被吸收，若此深度大于光伏组件的半导体层8厚度时，cigs膜层10形成光伏芯片的p型半导体区在一定强度的光照后产生电子-空穴对9，形成半导体层的正极。cds膜层11形成的光伏芯片的n型半导体区在一定强度的光照后产生电子，形成半导体层的负极。在光的照射下，n型半导体区的空穴往p型半导体区移动，而p型半导体区中的电子往n型半导体区移动，从而形成从n型半导体区到p型半导体区的电流，然后在半导体层8中形成电势差，激发产生电子-空穴对9在半导体层8两侧形成了正负电荷的积累，形成与内建电场方向相反的光生电场。若连接上负载，就有电流通过，这样就将光能转化为电能。
下面通过具体的实施例对本发明采用的无机釉料所含组分作进一步的说明：
实施例1
按照以下重量份称取原料(kg)混合形成所述无机釉料；
硅6、二氧化硅75、三氧化硼4和三氧化二铝3，氯化铁7。
将上述各原料混合均匀并进行研磨后形成一混合物，该混合物即为无机釉料。所述混合研磨的时间为45～180min；混合研磨后的细度小于等于10μm。在实际使用中，还可以加入调配剂将所述混合物均匀调制，调配剂可以选用酒精、乙二醇、乙酸乙酯、正丁醇、异丙醚和丙烯酸中的一种或几种，本实施例中，所述调配剂采用乙二醇，该乙二醇的重量份为8。
本发明实施例通过将上述组分混合研磨形成无机釉料，然后将无机釉料复合在所述前板玻璃1的第一区域10，在高温条件下充分烧结，复合在前板玻璃1的第一区域10上的无机釉料形成无机阻挡层6，无机阻挡层6能很好地与前板玻璃1的表面紧密结合，所述光伏芯片的发电区31与所述前板玻璃1的第二区域11贴合，所述光伏芯片3的边缘空白区32与所述无机阻挡层6贴合，使得无机阻挡层6包围在光伏芯片的四周，所述光伏芯片的边缘空白区32与所述无机阻挡层6之间设置有硅酮胶，使得膜层之间结合牢固，能有效避免水分子、氧气等进入光伏组件的内部，对光伏芯片起到良好的密封保护作用。
实施例2
按照以下重量份称取原料(kg)混合形成所述无机釉料；
硅3、二氧化硅85、三氧化硼2、三氧化二铝5，硫酸铜4，酒精15。
将上述组分进行混合研磨形成无机釉料，所述混合研磨的时间为45～180min；混合研磨后的细度小于等于10μm。
本发明实施例通过将上述组分混合研磨形成无机釉料，然后将无机釉料复合在所述前板玻璃1的第一区域10，在高温条件下充分烧结，复合在前板玻璃1的第一区域10上的无机釉料形成无机阻挡层6，无机阻挡层6能很好地与前板玻璃1的表面紧密结合，所述光伏芯片的发电区31与所述前板玻璃1的第二区域11贴合，所述光伏芯片3的边缘空白区32与所述无机阻挡层6贴合，使得无机阻挡层6包围在光伏芯片的四周，所述光伏芯片的边缘空白区32与所述无机阻挡层6之间设置有硅酮胶，使得膜层之间结合牢固，能有效避免水分子、氧气等进入光伏组件的内部，对光伏芯片起到良好的密封保护作用。
实施例3
按照以下重量份称取原料(kg)混合形成所述无机釉料；
硅8、二氧化硅65、三氧化硼5、三氧化二铝2，氯化铁9，丙烯酸1kg。
将上述组分进行混合研磨形成无机釉料，所述混合研磨的时间为45～180min；混合研磨后的细度小于等于10μm。
本发明实施例通过将上述组分混合研磨形成无机釉料，然后将无机釉料复合在所述前板玻璃1的第一区域10，在高温条件下充分烧结，复合在前板玻璃1的第一区域10上的无机釉料形成无机阻挡层6，无机阻挡层6能很好地与前板玻璃1的表面紧密结合，所述光伏芯片的发电区31与所述前板玻璃1的第二区域11贴合，所述光伏芯片3的边缘空白区32与所述无机阻挡层6贴合，使得无机阻挡层6包围在光伏芯片的四周，所述光伏芯片的边缘空白区32与所述无机阻挡层6之间设置有硅酮胶，使得膜层之间结合牢固，能有效避免水分子、氧气等进入光伏组件的内部，对光伏芯片起到良好的密封保护作用。
实施例4
按照以下重量份称取原料(kg)混合形成所述无机釉料；
硅5、二氧化硅80、三氧化硼4，三氧化二铝5，硫酸铜8。
将上述组分进行混合研磨形成无机釉料，所述混合研磨的时间为45～180min；混合研磨后的细度小于等于10μm。
本发明实施例通过将上述组分混合研磨形成无机釉料，然后将无机釉料复合在所述前板玻璃1的第一区域10，在高温条件下充分烧结，复合在前板玻璃1的第一区域10上的无机釉料形成无机阻挡层6，无机阻挡层6能很好地与前板玻璃1的表面紧密结合，所述光伏芯片的发电区31与所述前板玻璃1的第二区域11贴合，所述光伏芯片3的边缘空白区32与所述无机阻挡层6贴合，使得无机阻挡层6包围在光伏芯片的四周，所述光伏芯片的边缘空白区32与所述无机阻挡层6之间设置有硅酮胶，使得膜层之间结合牢固，能有效避免水分子、氧气等进入光伏组件的内部，对光伏芯片起到良好的密封保护作用。
本发明所述无机釉料经高温烧结融化后，其中含有的二氧化硅的si-o键与前板玻璃中二氧化硅的si-o键相互结合，形成共价键，从而确保融化后的无机釉料与前板玻璃之间形成强大附着力；此外在前板玻璃上复合无机釉料后，在高温下融化后的无机釉料与软化的前板玻璃之间分子运动加剧，分子间相互嵌合，也能极大提高了融化后的无机釉料与前板玻璃之间的附着力，从而使得膜层之间更加牢固。
此外，所述无机釉料中含有的二氧化硅是一种高活性材料，能作为干燥剂使用，其微孔对水分子、氧分子具有良好的亲和力，可以避免水分子、氧气进入光伏组件的内部，从而可以有效避免光伏芯片的半导体层发生氧化而影响其性能及使用寿命。本实施例中，优选所述二氧化硅重量份含量约占65份-85份，如果重量份含量过低，会导致融化后的无机釉料与前板玻璃附着力差；而如果重量份含量过高，在总体占比一定的情况下，则会使其他的辅料占比下降，如此将会导致光伏组件整体的质量出现问题。
本发明实施例中，所述无机釉料使用的材料都是较为常见的材料，因此材料获取容易，生产成本较低。
综上所述，本发明实施例采用在前板玻璃1一表面的四周部位复合无机釉料，在高温烧结的过程中，所述无机釉料中的二氧化硅与玻璃材质中的二氧化硅能很好的融为一体，形成了无机阻挡层6，膜层之间具有强大的附着力，膜层之间结合牢固，能有效避免水分子、氧气等进入光伏组件的内部，避免光伏芯片中半导体层发生氧化而影响使用性能及使用寿命，对光伏芯片3能起到良好的密封保护作用，从根本上解决光伏组件容易老化的问题，提高产品的可靠性并能有效延长光伏组件的使用寿命，极大提升了产品的竞争力。
本发明另一方面还提供一种上述光伏组件的制备方法，具体包括以下步骤：
在前板玻璃的第一区域上复合无机釉料；
将所述复合有无机釉料的前板玻璃在预设温度下放置预设时间进行烧结，在所述前板玻璃的所述第一区域形成无机阻挡层；
将所述前板玻璃与所述光伏芯片贴合，其中，
将光伏芯片的发电区与所述前板玻璃的第二区域贴合固定；
将光伏芯片的边缘空白区与所述无机阻挡层贴合固定。
具体地，将二氧化硅、硅、催化剂和/或颜填料进行混合研磨后，得到无机釉料；所述混合研磨的时间为45～180min；混合研磨后的细度小于等于10μm。
所述预设烧结的温度为500～620℃；
所述预设烧结的时间为30～60min。
在一实施例中，还包括在所述烧结处理之前的烧制处理，所述烧制处理还包括三个烧制阶段，所述烧结处理还包括两个烧结阶段；
其中：
第一烧制阶段的温度小于等于120℃；第一烧制阶段的时间为5～10min；
第二烧制阶段的温度为120～250℃；第二烧制阶段的时间为10～20min；
第三烧制阶段的温度为250～500℃；第三烧制阶段的时间为10～20min；
第一烧结阶段的温度为500～580℃；第一烧结阶段的时间为20～40min；
第二烧结阶段的温度为580～620℃；第二烧结阶段的时间为30～60min。
在一实施例中，所述在前板玻璃的第一区域复合无机釉料具体方式包括：通过丝印、辊印、转印、刮涂和喷涂中的一种或多种方式在前板玻璃的第一区域复合所述无机釉料。
在一实施例中，所述光伏组件的制备方法还包括步骤：
在光伏芯片的基板于镀膜光伏发电材料相对的一表面上涂覆pvb胶膜；
将涂覆有pvb胶膜的基板表面贴合背板玻璃。
所述无机釉料包括：
在一实施例中，所述无机釉料进一步包括调配剂，其重量份为0-15份。
所述无机釉料中包括的各成分及功能在上述实施例中均已经说明，在此不再赘述。
本发明中使用的都是无机材料，在经过高温烧结制程中，材质性能不会受到紫外线、红外高温的影响。
本发明实施例中，所述pvb胶膜在高温下融化后，会与玻璃表面的游离态的si-o键、h-o键结合，形成永久链接的共价键连接，结合强度高，可以极大的提高光伏组件膜层之间的结合强度，但是因为pvb胶膜的气密性和水密性较差，为了防止外界的水汽、氧气进入光伏组件的内部，而导致光伏芯片发生氧化以致影响光伏组件的使用性能及使用寿命的问题，本发明实施例通过在前板玻璃一表面的四周部位即第一区域形成所述无机阻挡层，使得无机阻挡层6包围光伏芯片3的四周，能有效防止水汽、氧化等进入光伏组件内部，起来良好的密封保护作用。
采用本发明实施例所述制备方法能使所述光伏芯片的发电区与所述前板玻璃的第二区域紧密贴合，所述边缘空白区与所述无机阻挡层紧密贴合，使得无机阻挡层包围在光伏芯片的四周，所述光伏芯片的边缘空白区与所述无机阻挡层之间设置有硅酮胶，膜层之间结合牢固，能有效避免水分子、氧气等进入光伏组件的内部，从而对光伏芯片起到良好的密封保护作用，从根本上解决光伏组件容易老化的问题，保证了产品的可靠性并延长了光伏组件的使用寿命，极大提升了产品的竞争力。
以上描述仅为本申请的较佳实施例以及对所运用技术原理的说明。本领域技术人员应当理解，本申请中所涉及的发明范围，并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案，同时也应涵盖在不脱离所述发明构思的情况下，由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案。例如上述特征与本申请中公开的(但不限于)具有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案。