技术特征：
技术总结
本发明公开了一种AlN模板及氮化镓基发光二极管外延片的制备方法。AlN模板的制备方法包括：提供衬底，并将所述衬底放置于物理气相沉积设备的工艺腔室中；对所述衬底进行加热，并向所述工艺腔室通入反应气体，所述反应气体包括Ar和N2；当所述工艺腔室的压力达到第一压力且所述衬底的温度达到沉积温度时，连通Al靶材和脉冲电源并保持所述衬底的温度为所述沉积温度不变，以开始在所述衬底上沉积AlN薄膜；在沉积时间内将所述工艺腔室的压力从所述第一压力逐渐调节至第二压力，在所述沉积时间后停止对所述衬底进行加热、停止通入所述反应气体、且断开所述Al靶材和所述脉冲电源，以结束所述AlN薄膜的沉积，所述第一压力大于所述第二压力。
技术研发人员：刘旺平;张武斌;王坤;乔楠;吕蒙普;胡加辉;李鹏
受保护的技术使用者：华灿光电（浙江）有限公司
技术研发日：2019.01.23
技术公布日：2019.06.14