异质结构的制备方法与流程

本发明属于半导体材料制备技术领域，特别是涉及一种异质结构的制备方法。

背景技术：

目前，使用离子束剥离技术制备异质结构，如异质集成单晶薄膜衬底，是一种很有前景的技术方案。与传统的异质外延技术相比，离子束剥离的方法制备的单晶薄膜等具有更好的晶体质量。此外，该方法对于相键合的异质结构，如支撑衬底和功能薄膜，没有外延匹配的要求，因此，几乎可以实现在任意衬底上制备所需的薄膜。

然而，离子束剥离技术中的最大问题是需要对异质键合结构加热剥离，因为异质键合材料具有热膨胀系数失配，常用的退火方法会在异质键合结构中引入巨大的热应力甚至导致键合结构碎裂，常规退火技术在离子束剥离制备异质结构中具有很大的局限。

因此，如何提供一种异质结构的制备方法，以解决现有技术中的上述问题实属必要。

技术实现要素：

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种异质结构的制备方法，用于解决现有技术的离子束剥离工艺中加热导致键合结构应力引入甚至碎裂等问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种异质结构的制备方法，包括如下步骤：

1)提供第一衬底，且所述第一衬底具有离子注入面；

2)自所述离子注入面对所述第一衬底进行离子注入，以在所述第一衬底中形成缺陷层；

3)提供第二衬底，且所述第二衬底具有键合面，并将所述键合面与所述离子注入面进行键合，以得到初始键合结构；以及

4)基于局部加热的方式对所述初始键合结构进行加热处理，以沿所述缺陷层剥离部分所述第一衬底，使得所述第一衬底的一部分转移至所述第二衬底上，以在所述第二衬底上形成一衬底薄膜，得到包括所述第二衬底及所述衬底薄膜的异质结构。

作为本发明的一种可选方案，步骤4)中，所述局部加热包括热传导加热及辐射加热中的至少一种。

作为本发明的一种可选方案，步骤4)中，进行所述局部加热的方式包括扫描式加热及步进式加热中的至少一种，其中，所述局部加热的路径包括圆形路线、折线形路线以及极坐标路线中的任意一种。

作为本发明的一种可选方案，步骤4)中，以扫描区域单元为单位进行所述局部加热，其中，在进行所述局部加热过程中，对每一所述扫描区域单元对应的所述初始键合结构进行所述加热处理的加热时间相同。

作为本发明的一种可选方案，步骤4)中，所述扫描区域单元的最大尺寸介于0.5mm-10mm之间；对应每一所述扫描区域单元的所述加热时间介于1s-20s之间。

作为本发明的一种可选方案，步骤4)中还包括步骤：进行所述局部加热时对未加热区域进行降温处理。

作为本发明的一种可选方案，进行所述降温处理的方式包括采用热沉技术及主动降温中的至少一种。

作为本发明的一种可选方案，步骤1)中，所述第一衬底选自于硅、氧化硅、蓝宝石、锗、铌酸锂、钽酸锂、碳化硅、氮化镓及氮化铝中的至少一种，步骤3)中，所述第二衬底选自于硅、氧化硅、蓝宝石、锗、铌酸锂、钽酸锂、碳化硅、氮化镓及氮化铝中的至少一种，且所述第一衬底与所述第二衬底不同。

作为本发明的一种可选方案，步骤4)中，进行所述加热处理的过程中包括在进行所述局部加热之后进行整体加热的步骤。

作为本发明的一种可选方案，所述初始键合结构包括中心区域及位于所述中心区域外围的外部区域，其中，进行所述加热处理的步骤包括：先采用所述局部加热的方式对所述外部区域进行加热，再采用所述整体加热的方式对所述中心区域进行加热。

如上所述，本发明的异质结构的制备方法，具有以下有益效果：

本发明提供一种异质结构的制备方法，本发明的制备中，基于局部加热的方式实现最终异质结构的制备，局部加热退火工艺可以降低键合结构中的热应力，提高制备过程中的异质键合结构的稳定性，从而降低异质键合结构在退火剥离过程中的整体热应力和翘曲，另外，本发明制备的单晶功能薄膜可以用于制备高性能的声学、光学和电学器件及各类传感器件等。

附图说明

图1显示为本发明的异质结构制备工艺的流程图。

图2显示为本发明异质结构制备中提供第一衬底的结构示意图。

图3显示为本发明异质结构制备中对第一衬底进行离子注入的结构示意图。

图4显示为本发明异质结构制备中提供第二衬底的结构示意图。

图5显示为本发明异质结构制备中将第一衬底和第二衬底键合形成初始键合结构图示。

图6显示为本发明异质结构制备中将部分第一衬底进行剥离的示意图。

图7显示为本发明异质结构制备中得到异质结构的示意图。

图8显示为本发明异质结构制备中进行局部加热的结构示意图。

图9显示为本发明异质结构制备中进行局部加热的路径的一示例。

图10显示为本发明异质结构制备中进行局部加热的路径的另一示例。

图11显示为本发明异质结构制备中进行局部加热的同时进行降温处理的示意图。

图12(a)显示为现有技术的异质结构制备中的剪切应力示意图。

图12(b)显示为现有技术的异质结构制备中的形变示意图。

图13(a)显示为基于本发明局部退火的异质结构制备中的剪切应力示意图。

图13(b)显示为基于本发明局部退火的异质结构制备中的形变示意图。

元件标号说明

100第一衬底

100a离子注入面

101缺陷层

102衬底薄膜

103剥离余料

200第二衬底

200a键合面

300初始键合结构

301异质结构

400扫描区域单元

500降温处理装置

s1～s4步骤1)至步骤4)

具体实施方式

以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。

请参阅图1至图13(b)。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，虽图示中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的形态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局形态也可能更为复杂。

实施例一：

如图1所示，本发明提供一种异质结构的制备方法，包括如下步骤：

1)提供第一衬底，且所述第一衬底具有离子注入面；

2)自所述离子注入面对所述第一衬底进行离子注入，以在所述第一衬底中形成缺陷层；

3)提供第二衬底，且所述第二衬底具有键合面，并将所述键合面与所述离子注入面进行键合，以得到初始键合结构；以及

4)基于局部加热的方式对所述初始键合结构进行加热处理，以沿所述缺陷层剥离部分所述第一衬底，使得所述第一衬底的一部分转移至所述第二衬底上，以在所述第二衬底上形成一衬底薄膜，得到包括所述第二衬底及所述衬底薄膜的异质结构。

下面将结合附图详细说明本发明的异质结构的制备方法。

首先，如图1中的s1及图2所示，进行步骤1)，提供第一衬底100，且所述第一衬底100具有离子注入面100a。

作为示例，步骤1)中，所述第一衬底100选自于硅、氧化硅、蓝宝石、锗、铌酸锂、钽酸锂、碳化硅、氮化镓及氮化铝中的至少一种。

具体的，本步骤中提供形成异质结构所需要的一种晶圆衬底，即所述第一衬底100，在一示例中，所述第一衬底100包括单晶衬底，另外，所述第一衬底100可以是压电材料，在一示例中，所述第一衬底100可以选自于硅、氧化硅、蓝宝石、锗、铌酸锂、钽酸锂、碳化硅、氮化镓及氮化铝中的一种，或者上述材料中的至少两种构成的叠层结构，当然也可以是本领域技术人员熟知的可以形成异质结构的其他衬底。

接着，如图1中的s2及图3所示，进行步骤2)，自所述离子注入面100a对所述第一衬底100进行离子注入，以在所述第一衬底100中形成缺陷层101。

具体的，在一示例中，进行所述离子注入的方式包括氢离子注入、氦离子注入及氢氦离子共注入中的任意一种。其中，进行所述离子注入，可以在所述第一衬底100的预设深度处形成一缺陷层101，以使得后续可以在所述缺陷层处实现材料剥离，所述预设深度是指离子注入后形成的所述注入缺陷层101与所述第一衬底100的离子注入面100a之间的距离，所述预设深度依据实际需要制备的薄膜异质结构而设定，在离子从所述离子注入面进行注入时，离子注入的能量足以使注入离子达到该预设深度，并在所述预设深度处形成所述缺陷层。

另外，进行所述离子注入的方式可以为单一的氢离子或者单一的氦离子的注入，还可以是两种离子的共注入的方式，当采用两种离子共注入的方式时，二者的注入顺序可以依据实际需求调整，即所述氢离子的注入可以在所述氦离子的注入之前进行，也在所述氦离子的注入之后进行，还可以与所述氦离子的注入同时进行。

在一示例中，在所述离子注入面100a进行单类型离子注入，所注入的离子为氢(h)离子，所述氢离子可以在后续将所述第一衬底100剥离的原理为利用氢离子会对剥离深处(即所述注入缺陷层101)的晶格形成破坏作用而实现。即，在进行离子注入的过程中，离子进入其原子间隙形成微型缺陷，离子注入形成的注入缺陷层多为纳米级空洞缺陷，材料在此界面依然具有较强的机械强度，在后续的处理过程中，这些微缺陷会聚集结合，形成平台型的缺陷，又由于形成所述注入缺陷层的深度由离子注入的能量决定，而能否形成分离所需的缺陷密度由离子注入的剂量决定，因此，在离子注入的过程中要选择合适的离子注入剂量和离子注入能量。在一示例中，所述第一衬底100为钽酸锂衬底，氢离子的离子注入的能量为20kev～180kev，氢离子的离子注入的注入剂量为5×10¹⁶cm^-2～1×10¹⁷cm^-2，注入温度为室温。

在另一示例中，在所述离子注入面进行两种类型离子的共注入，注入的离子为氢离子及氦离子，其中，在一种方式中，所述氢离子如上所述用于形成缺陷，所述缺陷在所述缺陷层内呈高斯分布；而所述氦离子属于惰性元素，所述氦离子可以被所述氢离子形成的平台缺陷捕获并通过物理作用使这些平台型缺陷扩大并相互结合，最终形成可以分离所述晶圆衬底的裂痕，进而促进部分所述晶圆衬底从缺陷浓度最大处实现剥离。在所述注入面进行氢离子及氦离子共注入，所述氦离子可以被所述氢离子形成的缺陷捕获，进而进入原子间隙中并施加压强，相当于在所述氢离子已产生的缺陷内部施加了一额外的作用力，可以有效地促进部分所述晶圆衬底在离子注入剂量较低的情况下剥离，即可以有效地降低离子注入的总剂量，进而缩短了制备周期，节约了生产成本。

在一可选示例中，为了使得注入的所述氦离子容易被所述氢离子形成的缺陷所捕获，或注入的所述氢离子容易被所述氦离子形成的缺陷所捕获，所述氦离子注入的深度需与所述氢离子注入的深度相同或相近，即需要保证所述氦离子的射程(rp)在所述氢离子注入的射程附近。本示例中，所述氢离子和所述氦离子共注入的能量为10kev～100kev，所述氢离子和所述氦离子共注入的离子束流为1μa～100ma；所述氢离子和所述氦离子共注入的注入剂量为2×10¹⁶cm^-2～10×10¹⁶cm^-2，所述氢离子和所述氦离子共注入的温度为室温。

接着，如图1中的s3及图4-5所示，进行步骤3)，提供第二衬底200，且所述第二衬底200具有键合面200a，并将所述键合面200a与所述离子注入面100a进行键合，以得到初始键合结构300。

作为示例，所述第二衬底200选自于硅、氧化硅、蓝宝石、锗、铌酸锂、钽酸锂、碳化硅、氮化镓及氮化铝中的至少一种，且所述第一衬底100与所述第二衬底200不同

具体的，在该步骤中，提供一种与所述第一衬底100相键合的第二衬底，所述第二衬底200可以是上述材料层中的一者，也可以是上述两者及两者以上材料层构成的叠层结构，当然，也可以是本领域普通技术人员熟知的任意衬底，如在一可选示例中，所述第二衬底200选择为硅衬底，所述第一衬底100选择为铌酸锂衬底。

另外，选取所述第二衬底200的任意一面作为所述键合面，可以是其上表面，也可以是其下表面，本示例中选择所述第二衬底200的上表面作为所述键合面200a，另外，在一可选示例中，得到所述初始键合结构300进行所述键合的方式包括常温键合，例如，可以是超高真空键合(ultra-highvacuumbonding)，即首先将所述第一衬底及所述第二衬底表面的氧化膜在超高真空环境中被除去，再使洁净抛光后的第一键合面及第二键合面达到足够近的接触，通过相邻材料界面之间的分子间作用力(范德华力或氢键)，进一步拉近两个表面原子间的距离，从而使界面直接形成共价键，以实现所述第一衬底100和所述第二衬底200的键合。。

最后，如图1中的s4及图6-11所示，进行步骤4)，基于局部加热的方式对所述初始键合结构300进行加热处理，以沿所述缺陷层101剥离部分所述第一衬底100，使得所述第一衬底100的一部分转移至所述第二衬底200上，以在所述第二衬底200上形成一衬底薄膜102，得到包括所述第二衬底200及所述衬底薄膜102的异质结构300。

具体的，该步骤中实现所述第一衬底100沿所述缺陷层101的剥离，其中，本发明基于局部加热的方式实现上述衬底的剥离，所谓局部加热，也就是在剥离过程中对初始键合结构的加热方式不是完全采用传统的整体统一加热的方式，而是基于部分初始键合结构逐渐加热的方式，例如，以自所述第一衬底100的与所述离子注入面100a相对的一侧的表面对所述初始键合结构300进行加热为例，所述局部加热区别于同时对整个表面进行加热，而是在这个表面的一部分区域进行加热，再逐渐移动热源，实现所述第一衬底的剥离，其中，热应力的大小和分布与加热结构的几何尺寸相关，尺寸越小则热应力越小，因此，与常规的晶圆级退火相比，局部加热可以将加热结构缩小，从而降低热应力，本发明是利用局部加热限制热应力，并将材料在注入的缺陷层处进行剥离。另外，将衬底薄膜102转移到所述第二衬底200后，剩余的所述第一衬底，即剥离余料103，经过处理后可以循环利用，如作为图2中的第一衬底100继续使用。

作为示例，步骤4)中，所述局部加热的包括热传导加热及辐射加热中的至少一种。

具体的，在一示例中，进行所述局部加热的方式可以是以热传导的方式进行，优选为接触式热传导的方式，如采用导热金属棒进行导热，如金属铜棒，将金属棒与所述初始键合衬底300进行接触，以将热量传递给所述初始键合结构，此时，所述金属棒作为局部加热的加热头；还可以采用热辐射的方式进行所述局部加热，如采用红外辐射的方式进行辐射加热。

作为示例，步骤4)中，进行所述局部加热的方式包括扫描式加热及步进式加热中的至少一种。

作为示例，所述局部加热的路径包括圆形路线、折线形路线及极坐标路线中的任意一种。

具体的，进行所述局部加热时可以是连续的扫描进行加热，也可以是以间断的步进式的方式进行加热，从而可以保持整体结构加热的均匀性。在进行上述方式的局部加热时，可以通过加热头实现所述初始键合结构的加热，其中，所述加热头进行局部加热的路径可以是沿着圆形线路进行扫描，如图9所示，也可以是沿着折线形路线进行移动，另外，如图10所示，所述加热头还可以是进行蛇形路线式扫描，当然，在一示例中，还可以是极坐标路线扫移动

作为示例，步骤4)中，以扫描区域单元400为单位进行所述局部加热，其中，在进行所述局部加热过程中，对每一所述扫描区域单元400对应的所述初始键合结构进行所述加热处理的加热时间相同。

作为示例，步骤4)中，所述扫描区域单元400的的最大尺寸介于0.5mm-10mm之间。

作为示例，对应每一所述扫描区域单元400的所述加热时间介于1s-20s之间。

具体的，在一示例中，以扫描区域单元400为单位进行所述局部加热，所述扫描区域单元400是指所述初始键合结构对应的区域，在一示例中，以自所述第一衬底100的与所述离子注入面100a相对的一侧的表面对所述初始键合结构300进行加热为例，所述扫描区域单元是指该表面上的一个区域单元，如图8所示，其中，在一示例中，所述扫描区域单元400也一致于加热头与所述初始键合结构接触的部分，所述加热头移动即所述扫描区域单元移动，从而实现所需要加热区域的加热，在一示例中，所述扫描区域单元移动的过程中，可以通过热场分布叠加进行计算，即模拟计算各个扫描区域单元的热场，进行各个热场叠加的计算，获取各个位置的热场，从而控制所述扫描区域单元的移动，进一步有利于保持大面积的较好的加热均匀性，相邻的所述扫描区域单元的中心之间的距离小于所述扫描区域单元的最大尺寸的1/2，其中，所述扫描区域单元的最大尺寸是指所述扫描区域单元的边缘任意两点之间的连线的最大值。在一示例中，所述扫描区域单元400的最大尺寸介于0.5mm-10mm之间，优选介于1mm-5mm之间。

作为示例，步骤4)中还包括步骤：进行所述局部加热时对未加热区域进行降温处理，以降低所述局部加热对所述未加热区域的热传导。

作为示例，进行所述降温处理的方式包括采用热沉技术及主动降温中的至少一种。

具体的，由于材料本身具有热传导性，局部加热也会导致未加热部分的温度升高，从而增加热应力，不利于局部加热降低热应力的有效实现，在一可选示例中，在进行所述局部加热的过程中，还包括对此时未进行所述局部加热的键合结构的区域进行降温的过程，以降低所述局部加热对所述未加热区域的热传导，从而可以使未加热区域的温度保持稳定，从而提高该技术方法的工艺可靠性和稳定性。其中，可以采用热沉技术进行上述降温，如可以采用散热片或散热块等，可以是导热好的金属块，如铜块，相当于被动降温，当然，也可以采用主动降温的方式将热量导走，这里主动降温是指本领域普通技术人员可以理解的通过对待降温结构提供一定的能量从而将热量导走的方式，例如，采用持续冷源或电制冷等方式。如可以通过对未加热区域进行吹风的方式或者通过降温装置主动对未加热区域进行降温。本示例中，由于具有热沉等温度保持模块，可以局限升温的范围，保持整体结构的温度稳定，不需要像激光加热一样使用超快脉冲的方法避免温度过冲，因此，可以增加局部加热时间从而增大生产效率，并降低脉冲控制的成本。

另外，在一示例中，进行所述降温处理包括热沉技术的装置或主动降温的装置，上述降温处理装饰可以设置在所述初始键合结构300的任何一面，也可以设置在所述初始键合结构的两面，上述装置可以与局部加热的加热头设置在所述初始键合结构的同侧或者异侧，其中，上述装置与所述加热头之间的间距可以介于0.5cm-1.5cm之间，保证进行局部加热过程中的稳定性，另外，在一示例中，上述降温处理装置还可以包围局部加热的加热头的方式设置，例如，当降温处理的装置选择为散热块时，散热块呈环形位于局部加热的加热头的外围，进一步有利于热量的均匀传导。

其中，功能材料的离子束剥离过程是一个能量积累的过程，如果退火温度低，则需要延长退火时间达到剥离的效果；如果退火温度较高，则可以在较短的时间内便实现功能材料的剥离。一般认为，功能材料的表面剥离时间t与退火温度t存在这样的关系：t*ln(t)＝const，这个关系式说明，升高退火温度可以指数级地缩减所需要的退火时间，从而降低薄膜制备的工艺时间并提高工艺效率。在本发明的方法中，因为局部加热可以降低热应力，所以可以将初始键合结构加热到更高的温度而保持结构的完整性，从而进一步降低局部加热脉冲积累的时间，降低退火时间，也即当以扫描区域单元为单位进行局部加热时，可以降低对各个扫描区域单元进行加热的累积时间。

具体的，在一示例中，对应每一所述扫描区域单元400的所述加热时间介于1s-20s之间，进一步可以选择介于5s-15s之间，可以是8s、10s或12s。

作为示例，步骤4)中，进行所述加热处理的过程中还包括在进行所述局部加热之后进行整体加热的步骤。

作为示例，所述初始键合结构包括中心区域及位于所述中心区域外围的外部区域，其中，进行所述加热处理的步骤包括：先采用所述局部加热的方式对所述外部区域进行加热，再采用所述整体加热的方式对所述中心区域进行加热。

实施例二：

另外，本发明还提供一实施例二，本实施例二与实施例一的不同在于，步骤4)中，进行所述加热处理的过程中包括在进行所述局部加热之后进行整体加热的步骤，即还包括同时采用整体式加热的方式实现部分所述第一衬底剥离的步骤，即采用局部加热退火和整体加热退火相结合的优化方法，沿所述缺陷层剥离部分所述第一衬底，使得所述第一衬底的一部分转移至所述第二衬底上，以在所述第二衬底上形成一衬底薄膜，得到包括所述第二衬底及所述衬底薄膜的异质结构，从而可以兼顾生产效率和成本等问题，其他步骤可以参考实施例一，在一示例中，首先通过局部加热的工艺缩小未进行加热区域的尺寸，即缩小需要加热的初始键合结构区域的尺寸，根据双层结构的热应力理论，双层结构的热应力主要分布于结构的边缘处，且应力值随着尺寸的增大而增大，因此，通过局部加热缩小尺寸，缩小键合结构的尺寸可以降低整体键合结构的热应力，在一可选示例中，可以先使用局部退火的方法对键合结构的边缘进行退火剥离并逐步向晶圆内环退火，逐渐减小键合尺寸来，即对所述外部区域进行局部加热；随后，当键合结构的尺寸减小到可以经历整体退火工艺时，将剩余未剥离的面积利用整体退火技术剥离转移。在一示例中，可以以所述初始键合结构的与所述第一衬底的所述离子注入面相对的表面为基准，分为中心区域和外部区域，在一示例中，中心区域呈圆形，外部区域呈圆环形，采用本示例的局部加热和整体加热的方式进行所述加热处理，从而实现所述第一衬底的剥离。

为了进一步说明本发明的有益效果，如图12-13所示，使用有限元仿真的方法可以分析传统整体退火与局部加热退火的区别，其中，使用的键合结构模型为4英寸铌酸锂和硅的常温键合结构，图12(a)和图12(b)分别显示为采用传统的加热退火的剪切力分布和形变图示，图13(a)和图13(b)分别显示为采用本发明的加热退火的剪切力分布和形变的图示，具体的，一般情况下，铌酸锂的表面剥离需要的退火温度大约为230℃，而4英寸的键合结构在140℃左右因为剪切力过大就发生碎裂，通过分析假设键合结构在200℃时未发生碎裂，并利用其形变和剪切力的大小定性对比两种退火结构，其中，图12中，使用温度为230℃的热源进行接触式加热，采用传统的整体加热退火中，可以看出，剪切应力主要分布于键合结构的边缘，提取出来的剪切应力最大值高达0.85gpa，因为热应力导致键合结构出现很大的形变，提取出来的中心点的最大形变量为5.03mm；图13中，采用1mm大小的230℃热源进行局部退火而周围区域使用热沉等技术保持常温，则剪切应力主要分布于加热区域周围，提取出来的剪切应力最大值只有0.12gpa，而此时的提取出来的最大形变量仅有0.06mm。

另外，在一示例中，通过仿真计算的方式，评估一下多大的退火温度使局部加热退火中的剪切应力或形变达到与传统整体加热技术相同的水平，从而可以得到进行所述局部加热的最大温度临界值，在上述示例中，步骤4)中进行所述局部加热的加热温度小于630℃，当退火温度高达630℃时，剪切应力最大值为0.81gpa，形变极值为0.45mm。选择进行所述局部加热的加热温度小于630℃，如选择500℃或者230℃，从而有利于进一步保证局部加热退火中的剪切应力或形变小于传统整体加热的情况。

综上所述，本发明提供一种异质结构的制备方法，包括如下步骤：1)提供第一衬底，且所述第一衬底具有离子注入面；2)自所述离子注入面对所述第一衬底进行离子注入，以在所述第一衬底中形成缺陷层；3)提供第二衬底，且所述第二衬底具有键合面，并将所述键合面与所述离子注入面进行键合，以得到初始键合结构；以及4)基于局部加热的方式对所述初始键合结构进行加热处理，以沿所述缺陷层剥离部分所述第一衬底，使得所述第一衬底的一部分转移至所述第二衬底上，以在所述第二衬底上形成一衬底薄膜，得到包括所述第二衬底及所述衬底薄膜的异质结构。通过上述方案，本发明的制备方法中，基于局部加热的方式实现最终异质结构的制备，局部加热退火工艺可以降低键合结构中的热应力，提高制备过程中的异质键合结构的稳定性，从而降低异质键合结构在退火剥离过程中的整体热应力和翘曲，另外，本发明制备的单晶功能薄膜可以用于制备高性能的声学、光学和电学器件及各类传感器件等。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。

上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。