功率半导体模块的制作方法

实施例涉及功率半导体模块。

背景技术：

在能源分配领域，例如，高压直流输电(hvdc：highvoltagedirectcurrent)或柔性交流输电系统(facts：flexibleactransmissionsystem)领域，通常将高的交流电压转换为直流电压，或者进行与此相反的转换。为此，通常将多个功率半导体模块以串联方式连接。

功率半导体模块具有功率半导体元件。在如上所述以串联方式连接的功率半导体模块施加高电压，当在这种高电压的控制下产生故障时，设置于功率半导体模块的功率半导体元件爆炸。由此，存在因该功率半导体模块的功率半导体元件爆炸而损坏其它功率半导体模块的问题。

技术实现要素：

实施例的目的在于，解决上述问题和其它问题。

实施例的另一目的在于，提供一种使结构简单的功率半导体模块。

实施例的又一目的在于，提供一种功率半导体模块，为了防止周边的其它功率半导体模块损坏，极大地强化了防爆性能。

实施例的又一目的在于，提供一种减小了厚度的功率半导体模块。

实施例的又一目的在于，提供一种强化了汇流条的紧固连接性的功率半导体模块。

为了达成上述或其它目的，根据实施例的一方面，功率半导体模块可以包括：第一板；第二板，在所述第二板的内侧包括第一元件容纳部和第二元件容纳部，所述第二板结合于所述第一板的一侧；第一功率半导体元件和第二功率半导体元件，配置于所述第一元件容纳部和所述第二元件容纳部；第一输入汇流条和第二输入汇流条，结合于所述第二板的外侧；第三板，在所述第三板的内侧包括第三元件容纳部和第四元件容纳部，所述第三板结合于所述第一板的另一侧；第三功率半导体元件和第四功率半导体元件，配置于所述第三元件容纳部和所述第四元件容纳部；以及第三输入汇流条和第四输入汇流条，结合于所述第三板的外侧。

下面，对实施例的功率半导体模块的效果进行说明。

根据实施例中的至少一个，在配置于第一板的两侧上的第二板和第三板各自的内部面，形成用于容纳第一至第四功率半导体元件的第一至第四元件容纳部，使第一至第四输入汇流条以及第一输出汇流条和第二输出汇流条贯通第二板和第三板，来连接于第一至第四功率半导体元件，由此，具有尽可能使结构简单的优点。

根据实施例中的至少一个，在配置于第一板的两侧上的第二板和第三板各自的内部面形成第一至第四元件容纳部，在该第一至第四元件容纳部分别配置第一至第四功率半导体元件，由此，具有如下优点，即，即使第一至第四功率半导体元件中的一个功率半导体元件爆炸，也不会对周边的其它功率半导体元件模块造成影响。

根据实施例中的至少一个，在第二板和第三板各自的外部面形成汇流条容纳部，并且，第一至第四输入汇流条以及第一输出汇流条和第二输出汇流条容纳于所述汇流条容纳部，由此，具有能够减小厚度的优点。

根据实施例中的至少一个，配置能够分别与第一至第四输入汇流条、第一输出汇流条和第二输出汇流条以及第一至第四功率半导体进行面接触的第一至第八连接电极，由此，具有使接触电阻实现最小化来减少电力损失的优点。

根据实施例中的至少一个，第一至第四输入汇流条以及第一输出汇流条和第二输出汇流条分别利用螺栓来贯通第二板或第三板和第一至第八连接电极，从而紧固连接于第一至第四功率半导体元件，由此，具有强化紧固连接性且使紧固连接结构变得简单的优点。

实施例的附加可应用范围将通过以下的详细说明来明确。但是，本发明所属技术领域的普通技术人员能够明确地理解在实施例的思想和范围内进行的多种变更和修改，因此，应该理解的是，诸如详细说明和优选实施例的特定实施例仅用于举例说明。

附图说明

图1是示出实施例的功率半导体模块的立体图。

图2是示出实施例的功率半导体模块的分解立体图。

图3是沿着图1的i-i’线剖开的剖视图。

图4是沿着图1的i-i’线剖开的分解剖视图。

附图标记的说明

100：功率半导体模块

110、200、300：板

111、112、113：过滤器

121、123、125、127：功率半导体元件

131、132、133、134、135、136、137、138：连接电极

131a、132a、133a、134a、135a、136a、137a、138a：主体电极

131b、132b、133b、234b、135b、236b、137b、138b：凸出电极

210、310：分隔壁

211、213、311、313：凸出部

215、217、315、317：开口

220、222、320：汇流条容纳部

231、233、331、333：电极容纳部

241、341：主体

243、343：侧壁

251、253、351、353：元件容纳部

410、420、430、440：输入汇流条

412、422、432、442：第一电极区域

414、424、434、444：第二电极区域

450、460：输出汇流条

500：滑动引导部

501：支撑部

503、505：导轨容纳部

507：延伸部

601、603、605、607：螺栓

611、621、631、641：卡合部

613、623、633、643：卡合凸起

631、633、635、637：凹槽

651、653、655、657：孔

具体实施方式

以下，参照附图，详细说明在本说明书公开的实施例，无论附图标记如何，对相同或相似的结构构件标注相同的附图标记，且省略重复说明。就以下说明使用的结构构件的后缀“模块”和“部”而言，仅仅是为了容易撰写说明书而赋予或混用，其本身并不具有彼此区分的意义或作用。并且，在对本说明书公开的实施例进行说明时，若判断对相关公知技术的具体说明会混淆本说明书公开的实施例的宗旨，则省略相关公知技术的详细说明。并且，应该理解的是，附图仅用于使本说明书公开的实施例容易理解，本说明书公开的技术思想并不限于附图，而包括在本发明的思想和技术范围的全部变更、等同物以及替代物。

实施例的功率半导体模块可以作为开关元件使用。例如，实施例的功率半导体模块可以作为转换器(converter)所包括的开关元件使用。转换器可以在多种技术领域中选用，例如，可以在诸如静止同步补偿器(statcom，staticsynchronouscompensator)的功率补偿装置选用。

图1是示出实施例的功率半导体模块的立体图，图2是示出实施例的功率半导体模块的分解立体图。并且，图3是沿着图1的i-i’线剖开的剖视图，图4是沿着图1的i-i’线剖开的分解剖视图。

参照图1至图4，实施例的功率半导体模块100可以包括多个板110、200、300和多个功率半导体元件121、123、125、127。实施例的功率半导体模块100可以还包括多个输入汇流条(inputbusbar，输入母线)410、420、430、440以及第一输出汇流条(firstoutputbusbar，第一输出母线)450和第二输出汇流条(secondoutputbusbar，第二输出母线)460。实施例的功率半导体模块100可以还包括滑动引导部500。

滑动引导部500可以是用于使实施例的功率半导体模块100能够容易进行移动的构件。滑动引导部500可以包括支撑部501、第一导轨容纳部503和第二导轨容纳部505以及延伸部507。延伸部507可以从支撑部501的第一面垂直地延伸形成。第一导轨容纳部503和第二导轨容纳部505可以在支撑部501的第二面上配置。第一导轨容纳部503和第二导轨容纳部505可以结合于第一滑动导轨和第二滑动导轨。在第一导轨容纳部503和第二导轨容纳部505的内侧设置有无供油轴承，能够沿着第一滑动导轨和第二滑动导轨进行滑动移动。第二面可以是第一面的相反面。例如，延伸部507可以配置于第二板200和第三板300之间。支撑部501和/或延伸部507可以紧固连接于第二板200和第三板300。

根据实施例，利用滑动引导部500，可以容易地将重量大的功率半导体模块100移动到所需的位置。

例如，板可以包括第一板110、第二板200以及第三板300。例如，功率半导体元件可以包括第一功率半导体元件121、第二功率半导体元件123、第三功率半导体元件125以及第四功率半导体元件127。例如，输入汇流条可以包括第一输入汇流条410、第二输入汇流条420、第三输入汇流条430以及第四输入汇流条440。虽然未图示，第一输入汇流条410和第三输入汇流条430可以共同连接，第二输入汇流条420和第四输入汇流条440可以共同连接。例如，第一输入信号(电压或功率)可以共同施加于第一输入汇流条410和第三输入汇流条430。例如，第二输入信号(电压或功率)可以共同施加于第二输入汇流条420和第四输入汇流条440。

第二板200和第三板300可以具有以第一板110为基准彼此对称的形状或结构。第一板110可以由散热性能优异的材料形成。第二板200和第三板300分别可以由绝缘性优异的材料形成。第一输入汇流条410至第四输入汇流条440以及第一输出汇流条450和第二输出汇流条460可以由导电性优异的材料形成。

可以通过结合第一板110、第二板200以及第三板300，来形成用于容纳第一功率半导体元件121、第二功率半导体元件123、第三功率半导体元件125以及第四功率半导体元件127的多个单元空间。单元空间可以是体积大于功率半导体元件的体积的空间。例如，可以通过结合第一板110和第二板200来形成第一单元空间和第二单元空间。例如，可以通过结合第一板110和第三板300来形成第三单元空间和第四单元空间。第一单元空间至第四单元空间可以是后述的第一元件容纳部251、第二元件容纳部253、第三元件容纳部351以及第四元件容纳部353。例如，第一元件容纳部251和第二元件容纳部253可以形成于第二板200的内部面(以下，称为第一面)。第三元件容纳部351和第四元件容纳部353可以形成于第三板300的内部面(以下，称为第一面)。其中，第二板200的第一面可以是面向第一板110的第一面的面，第三板300的第一面可以是面向第一板110的第二面的面。

第一功率半导体元件121和第二功率半导体元件123可以位于通过结合第一板110和第二板200来形成的第一单元空间和第二单元空间。第三功率半导体元件125和第四功率半导体元件127可以位于通过结合第一板110和第三板300来形成的第三单元空间和第四单元空间。

例如，首先在第一板110的第一面上紧固连接第一功率半导体元件121和第二功率半导体元件123之后，可以将第二板200紧固连接于第一板110的第一面上。第一功率半导体元件121和第二功率半导体元件123可以位于第二板200的第一元件容纳部251和第二元件容纳部253。可以利用第二板200来覆盖第一功率半导体元件121和第二功率半导体元件123。第一板110和第二板200可以被密闭，从而从外部屏蔽第一元件容纳部251和第二元件容纳部253。由此，即使第一功率半导体元件121或第二功率半导体元件123爆炸，由于该爆炸引起的影响也不会传递到附近的其它功率半导体模块，从而能够防止其它功率半导体模块的损坏。同样，在第一板110的第二面上紧固连接第三功率半导体元件125和第四功率半导体元件127之后，可以将第三板300紧固连接于第一板110的第二面上。第二面可以是第一面的相反面。第三功率半导体元件125和第四功率半导体元件127可以位于第三板300的第三元件容纳部351和第四元件容纳部353。可以利用第三板300来覆盖第三功率半导体元件125和第四功率半导体元件127。第一板110和第三板300可以被密闭，从而从外部屏蔽第三元件容纳部351和第四元件容纳部353。由此，即使第三功率半导体元件125或第四功率半导体元件127爆炸，由于该爆炸引起的影响也不会传递到附近的其它功率半导体模块，从而能够防止其它功率半导体模块的损坏。

第一输入汇流条410至第四输入汇流条440以及第一输出汇流条450和第二输出汇流条460可以紧固连接于第二板200和第三板300。具体而言，第一输入汇流条410至第四输入汇流条440以及第一输出汇流条450和第二输出汇流条460可以紧固连接于第二板200和第三板300的外部面(以下，称为第二面)。第二面可以是第二板200和第三板300中的设置有第一元件容纳部251、第二元件容纳部253、第三元件容纳部351、第四元件容纳部353的第一面的相反面。例如，第一输入汇流条410和第二输入汇流条420以及第一输出汇流条450可以紧固连接于第二板200的第二面。第一输入汇流条410和第二输入汇流条420以及第一输出汇流条450可以以相互隔开的方式配置。例如，第三输入汇流条430和第四输入汇流条440以及第二输出汇流条460可以紧固连接于第三板300的第二面。第三输入汇流条430和第四输入汇流条440以及第二输出汇流条460可以以相互隔开的方式配置。

例如，第一输入汇流条410和第二输入汇流条420以及第一输出汇流条450可以分别贯通第二板200，来与第一功率半导体元件121和第二功率半导体元件123电连接。具体而言，第一输入汇流条410可以贯通第二板200的第一区域，来与第一功率半导体元件121电连接。第二输入汇流条420可以贯通第二板200的第二区域，来与第二功率半导体元件123电连接。第一输出汇流条450可以分别贯通第二板200的第三区域和第四区域，来与第一功率半导体元件121和第二功率半导体元件123电连接。第一输出汇流条450可以与第一功率半导体元件121和第二功率半导体元件123共同连接。具体而言，第三输入汇流条430可以贯通第三板300的第五区域，来与第三功率半导体元件125电连接。第四输入汇流条440可以贯通第三板300的第六区域，来与第四功率半导体元件127电连接。第二输出汇流条460可以分别贯通第三板300的第七区域和第八区域，来与第三功率半导体元件125和第四功率半导体元件127电连接。第二输出汇流条460可以与第三功率半导体元件125和第四功率半导体元件127共同连接。

第一输入汇流条410至第四输入汇流条440以及第一输出汇流条450和第二输出汇流条460可以具有板形状。需要使第一功率半导体元件121、第二功率半导体元件123、第三功率半导体元件125、第四功率半导体元件127与第一输入汇流条410至第四输入汇流条440、第一输出汇流条450、第二输出汇流条460之间的电接触电阻实现最小化。为此，作为用于使第一功率半导体元件121、第二功率半导体元件123、第三功率半导体元件125、第四功率半导体元件127与第一输入汇流条410至第四输入汇流条440、第一输出汇流条450、第二输出汇流条460之间进行面接触的中间体，可以设置第一连接电极131至第八连接电极138。因此，第一连接电极131至第八连接电极138各自的一面与第一功率半导体元件121、第二功率半导体元件123、第三功率半导体元件125、第四功率半导体元件127各自的外部面(或上部面)进行面接触，第一连接电极131至第八连接电极138各自的另一面与第一输入汇流条410至第四输入汇流条440、第一输出汇流条450、第二输出汇流条460各自的内部面进行面接触，由此，能够使接触电阻实现最小化来减少功率损失。

第一连接电极131至第八连接电极138分别可以具有第一面和第二面，所述第一面和第二面具有平坦的面。第二面可以是第一面的相反面。例如，第一连接电极131至第八连接电极138各自的第一面可以是面向第一功率半导体元件121、第二功率半导体元件123、第三功率半导体元件125、第四功率半导体元件127的面。例如，第一连接电极131至第八连接电极138各自的第二面可以是面向第一输入汇流条410至第四输入汇流条440、第一输出汇流条450、第二输出汇流条460各自的内部面的面。

例如，第一连接电极131的第一面可以与第一功率半导体元件121的上部面的第一区域进行面接触，第一连接电极131的第二面可以与第一输入汇流条410的内部面进行面接触。例如，第二连接电极132的第一面可以与第二功率半导体元件123的上部面的第一区域进行面接触，第二连接电极132的第二面可以与第二输入汇流条420的内部面进行面接触。

例如，第三连接电极133的第一面可以与第一功率半导体元件121的上部面的第二区域进行面接触，第三连接电极133的第二面可以与第一输出汇流条450的内部面的第一区域进行面接触。例如，第四连接电极134的第一面可以与第二功率半导体元件123的上部面的第二区域进行面接触，第四连接电极134的第二面可以与第一输出汇流条450的内部面的第二区域进行面接触。

例如，第五连接电极135的第一面可以与第三功率半导体元件125的上部面的第一区域进行面接触，第五连接电极135的第二面可以与第三输入汇流条430的内部面进行面接触。例如，第六连接电极136的第一面可以与第四功率半导体元件127的上部面的第一区域进行面接触，第六连接电极136的第二面可以与第四输入汇流条440的内部面进行面接触。

例如，第七连接电极137的第一面可以与第三功率半导体元件125的上部面的第二区域进行面接触，第七连接电极137的第二面可以与第二输出汇流条460的内部面的第一区域进行面接触。例如，第八连接电极138的第一面可以与第四功率半导体元件127的上部面的第二区域进行面接触，第八连接电极138的第二面可以与第二输出汇流条460的内部面的第二区域进行面接触。

在实施例的功率半导体模块100中，以第一板110为基准，当在第一板110的第一面上配置的元件与在第一板110的第二面上配置的元件具有相同的功能、结构以及形状时，可以具有相互对称的结构。例如，在第一板110的第一面上可以配置第一功率半导体元件和第二功率半导体元件、第一连接电极131至第四连接电极134、第二板200、第一输入汇流条410和第二输入汇流条420以及第一输出汇流条450。例如，在第一板110的第二面上可以配置第三功率半导体元件125和第四功率半导体元件127、第五连接电极135至第八连接电极138、第三板300、第三输入汇流条430和第四输入汇流条440以及第二输出汇流条460。第三功率半导体元件125和第四功率半导体元件127可以以第一板110为基准，与第一功率半导体元件121和第二功率半导体元件123相对称。第五连接电极135至第八连接电极138可以以第一板110为基准，与第一连接电极131至第四连接电极134相对称。第三输入汇流条430和第四输入汇流条440可以以第一板110为基准，与第一输入汇流条410和第二输入汇流条420相对称。第二输出汇流条460可以以第一板110为基准，与第一输出汇流条450相对称。

以下，对实施例的功率半导体模块100所包括的结构构件分别进行详细说明。

第一板110

实施例的功率半导体模块100可以具有第一板110。

第一板110可以由散热性能优异的不锈钢(stainlesssteel)材料形成，但是也可以由其它材料形成。第一板110可以由冷却板形成。冷却板可以在其内部配置能够使制冷剂(coolant)或冷却水(coolingwater)流动的通路。例如，通路可以在第一板110的整体区域配置为z字形，但并不限于此。

例如，作为冷却水，可以使用处理冷却水(pcw，processcoolingwater)，但并不限于此。

制冷剂是指在广义上起到冷却作用的全部物质，主要可以是指，在冷冻装置、热泵、空气调节装置以及小温差热能利用机构等循环内部循环的过程中，在低温部(蒸发器)蒸发来从周围吸收热量，在高温部(冷凝器)放出热的工作流体。例如，在实施例，作为制冷剂，可以选用氨、氟利昂(氯氟碳化合物(clfc，chloro-fluorocarbon))、氢氯氟碳化合物(hcfc，hydro-chloro-fluoro-carbon)、氢氟碳化合物(hfc，hydro-fluoro-carbon)、氢氟烯烃(hfo，hydro-fluoroolefin)、氯甲烷等，为了降低到超低温，可以使用液态氦、液态氢。

第一板110可以通过利用在通路流动的制冷剂或冷却水进行的热交换，来将从第一功率半导体元件121、第二功率半导体元件123、第三功率半导体元件125、第四功率半导体元件127产生的热量向外部放出。

第一板110的第一面和第二面可以具有平坦的面。可以在第一板110的第一面和第二面分别形成有能够与螺丝紧固连接的多个螺纹槽(未图示)。第二面可以是第一面的相反面。第一板110可以具有四边形，但并不限于此。第一功率半导体元件121、第二功率半导体元件123、第三功率半导体元件125、第四功率半导体元件127可以利用螺丝来紧固连接于在第一板110的第一面和第二面形成的槽。

第二板200和第三板300

实施例的功率半导体模块100可以具有第二板200。

例如，第二板200可以配置在第一板110的第一面上。第二板200可以由绝缘性优异的树脂材料形成。例如，第二板200可以包括环氧树脂，但并不限于此。第二板200可以具有多个螺纹孔(未图示)。第二板200可以利用多个螺丝来紧固连接于第一板110的第一面。

例如，第二板200可以包括主体241、侧壁243以及分隔壁210。主体241、侧壁243以及分隔壁210可以形成为一体。

主体241可以具有四边形。侧壁243可以从主体241的边缘区域垂直地延伸形成。侧壁243可以沿着主体241的外周形成。分隔壁210可以从主体241的中心区域垂直地延伸形成。分隔壁210可以从主体241的中心向一个方向较长地形成。

第二板200的一个以上的区域，例如，第二板200的侧壁243的底面和分隔壁210的底面可以与第一板110的第一进行面接触。

第二板200可以包括第一元件容纳部251和第二元件容纳部253。第一元件容纳部251和第二元件容纳部253分别可以由主体241、侧壁243以及分隔壁210形成。即，第一元件容纳部251可以由主体241、分隔壁210以及侧壁243的一侧区域形成，第二元件容纳部可以由主体241、分隔壁210以及侧壁243的另一侧区域形成。

第一功率半导体以及第一连接电极131和第三连接电极133可以容纳于第一元件容纳部251。第一元件容纳部251可以覆盖第一功率半导体以及第一连接电极131和第三连接电极133。例如，第一功率半导体元件121可以在第一板110的第一面的第一区域上紧固连接，第一连接电极131和第三连接电极133可以配置在第一功率半导体元件121上。第二板200在第一板110的第一面上紧固连接，由此可以利用第二板200的第一元件容纳部251覆盖第一功率半导体元件121以及第一连接电极131和第三连接电极133。例如，第一连接电极131可以连接于第一功率半导体元件121的输入电极垫，第三连接电极133可以连接于第一功率半导体元件121的输出电极垫。例如，可以利用第一板110和第二板200的第一元件容纳部251来包围第一功率半导体以及第一连接电极131和第三连接电极133。因此，第一功率半导体以及第一连接电极131和第三连接电极133可以由第一板110和第二板200的第一元件容纳部251保护。由此，可以通过第一板110和第二板200的第一元件容纳部251来保护第一功率半导体元件121。并且，在第一板110和第二板200的第一元件容纳部251的作用下，即使第一功率半导体元件121爆炸，也能够不使与爆炸的功率半导体模块100相邻的其它功率半导体模块损坏。

第二功率半导体以及第二连接电极132和第四连接电极134可以容纳于第二元件容纳部253。第二元件容纳部253可以覆盖第二功率半导体以及第二连接电极132和第四连接电极134。例如，第二功率半导体元件123可以在第一板110的第一面的第二区域上紧固连接，第二连接电极132和第四连接电极134可以配置在第二功率半导体元件123上。第二板200在第一板110的第一面上紧固连接，由此可以利用第二板200的第二元件容纳部253来覆盖第二功率半导体元件123以及第二连接电极132和第四连接电极134。例如，第二连接电极132可以连接于第二功率半导体元件123的输入电极垫，第四连接电极134可以连接于第二功率半导体元件123的输出电极垫。例如，可以利用第一板110和第二板200的第二元件容纳部253来包围第二功率半导体以及第二连接电极132和第四连接电极134。因此，第二功率半导体以及第二连接电极132和第四连接电极134可以由第一板110和第二板200的第二元件容纳部253保护。由此，可以通过第一板110和第二板200的第二元件容纳部253来保护第二功率半导体元件123。并且，在第一板110和第二板200的第二元件容纳部253的作用下，即使第二功率半导体元件123爆炸，也能够不使与爆炸的功率半导体模块100相邻的其它功率半导体模块损坏。

第二板200可以包括用于分别容纳第一连接电极131和第二连接电极132的第一电极容纳部231和第二电极容纳部233。虽然未图示，第二板200可以包括用于分别容纳第三连接电极133和第四连接电极134的第三电极容纳部和第四电极容纳部。第二板200可以包括第一开口215和第二开口217。虽然未图示，第二板200可以包括第三开口和第四开口。

第一电极容纳部231和第三电极容纳部可以连接于第一元件容纳部251。第二电极容纳部233和第四电极容纳部可以连接于第二元件容纳部253。另外，第一开口215和第三开口分别可以连接于第一电极容纳部231和第三电极容纳部。第二开口217和第四开口分别可以连接于第二电极容纳部233和第四电极容纳部。

第一至第四电极容纳部可以在第二板200的主体241的内部面形成。如前所述，第一元件容纳部251和第二元件容纳部253可以由第二板200的主体241、侧壁243以及分隔壁210形成。第一至第四电极容纳部各自的尺寸可以小于第一元件容纳部251和第二元件容纳部253各自的尺寸。第一至第四电极容纳部各自的尺寸可以与第一连接电极131至第四连接电极134各自的尺寸相同。第一至第四开口215、217可以是贯通第二板200的主体241的孔。

第一至第四开口215、217各自的尺寸可以小于第一至第四电极容纳部各自的尺寸。由此，可以在与第一开口215相遇的第一电极容纳部231形成第一卡合部611，并且，可以在与第二开口217相遇的第二电极容纳部233形成第二卡合部621。虽然未图示，可以在与第三开口相遇的第三电极容纳部形成第三卡合部，并且，可以在与第四开口相遇的第四电极容纳部形成第四卡合部。在第一连接电极131可以形成有与第一卡合部611相对应的第一卡合凸起613，在第二连接电极132可以形成有与第二卡合部621相对应的第二卡合凸起623。虽然未图示，在第三连接电极133可以形成有与第三卡合部相结合的第三卡合凸起，在第四连接电极134可以形成有与第四卡合部相对应的第四卡合凸起。

因此，当通过第一至第四电极容纳部和第一至第四开口215、217来配置第一连接电极131至第四连接电极134时，第一连接电极131的第一卡合凸起613可以通过第一卡合部611来固定，第二连接电极132的第二卡合凸起623可以通过第二卡合部621来固定。并且，第三连接电极133的第三卡合凸起可以通过第三卡合部来固定，第四连接电极134的第四卡合凸起可以通过第四卡合部来固定。

具体而言，第一连接电极131至第四连接电极134各自的一部分可以容纳于第一至第四电极容纳部，第一连接电极131至第四连接电极134各自的另一部分可以插入于第一至第四开口215、217。具体而言，第一连接电极131的主体电极131a容纳于第一电极容纳部231，并且，从主体电极131a延伸的凸出电极131b可以插入于第一开口215。第二连接电极132的主体电极132a容纳于第二电极容纳部233，并且，从主体电极132a延伸的凸出电极132b可以插入于第二开口217。第三连接电极133的主体电极133a容纳于第三电极容纳部，并且，从主体电极133a延伸的凸出电极133b可以插入于第三开口。第四连接电极134的主体电极134a容纳于第四电极容纳部，并且，从主体电极134a延伸的凸出电极134b可以插入于第四开口。

第一连接电极131至第四连接电极134各自的主体电极131a、132a、133a、134a的尺寸可以与第一至第四电极容纳部各自的尺寸相同。第一连接电极131至第四连接电极134各自的凸出电极131b、132b、133b、134b的尺寸可以与第一至第四开口215、217各自的尺寸相同。凸出电极131b、132b、133b、134b的尺寸可以小于主体电极131a、132a、133a、134a的尺寸。

第一元件容纳部251和第二元件容纳部253各自的尺寸可以与第一功率半导体元件121和第二功率半导体元件123各自的尺寸相同或大于第一功率半导体元件121和第二功率半导体元件123各自的尺寸。第一元件容纳部251和第二元件容纳部253各自的深度可以大于第一功率半导体元件121和第二功率半导体元件123各自的厚度。

第二板200可以包括第一凸出部211和第二凸出部213。并且，第二板200可以包括第一汇流条容纳部220和第二汇流条容纳部222。

第一凸出部211可以形成于第二板200的第二面的第一区域，第二凸出部213可以形成于第二板200的第二面的第二区域。第一区域可以与第二区域隔开。第一凸出部211和第二凸出部213可以沿着一个方向较长地形成。第一凸出部211和第二凸出部213可以从第二板200的第二面垂直地凸出形成。第一凸出部211和第二凸出部213可以配置在第二板200的第二面的中心区域。第一凸出部211和第二凸出部213可以与第二板200形成为一体，但并不限于此。

可以以第一凸出部211和第二凸出部213为基准，配置第一汇流条容纳部220和第二汇流条容纳部222。第一汇流条容纳部220和第二汇流条容纳部222可以是从第二板200的第二面向内部凹陷的凹槽。第一输入汇流条410和第二输入汇流条420可以容纳于第一汇流条容纳部220，第一输出汇流条450可以容纳于第二汇流条容纳部222。具体而言，可以在以第一凸出部211为基准的一侧配置第一输入汇流条410，在以第二凸出部213为基准的一侧配置第二输入汇流条420。第一输入汇流条410和第二输入汇流条420可以在同一侧配置。可以在以第一凸出部211和第二凸出部213为基准的另一侧配置第一输出汇流条450。

第一凸出部211和第二凸出部213各自的上部面可以与第二板的第二面位于相同平面上。

第一输入汇流条410和第二输入汇流条420以及第一输出汇流条450各自的厚度可以与第一汇流条容纳部220和第二汇流条容纳部222的深度相同。由此，当第一输入汇流条410和第二输入汇流条420以及第一输出汇流条450分别容纳于第一汇流条容纳部220和第二汇流条容纳部222时，第二板200的第二面与第一输入汇流条410、第二输入汇流条420、第一输出汇流条450各自的外部面位于同一平坦的面上，因此，能够减小实施例的功率半导体模块100的整体厚度。另外，第一输入汇流条410和第二输入汇流条420以及第一输出汇流条450通过第一汇流条容纳部220和第二汇流条容纳部222来固定，因此，能够提高第一输入汇流条410和第二输入汇流条420以及第一输出汇流条450的固定性。此外，第一输入汇流条410和第二输入汇流条420以及第一输出汇流条450分别可以利用螺丝来紧固连接于第二板200的外部面。

第一至第四开口215、217可以与第一凸出部211和第二凸出部213相邻地形成。例如，可以在第一凸出部211的一侧形成第一开口215，在第一凸出部211的另一侧形成第三开口。例如，可以在第二凸出部213的一侧形成第二开口217，在第二凸出部213的另一侧形成第四开口。因此，在第二板200的第一电极容纳部231插入于第一开口215的第一连接电极131的一面可以与第一输入汇流条410的底面进行面接触。在第二板200的第二电极容纳部233插入于第二开口217的第二连接电极132的一面可以与第二输入汇流条420的底面进行面接触。在第二板200的第三电极容纳部插入于第三开口的第三连接电极133的一面可以与第一输出汇流条450的底面进行面接触，并且，在第二板200的第四电极容纳部插入于第四开口的第四连接电极134的一面可以与第一输出汇流条450的底面进行面接触。

由此，配置于第一汇流条容纳部220的第一输入汇流条410可以通过插入于第一开口215的第一连接电极131来电连接于第一功率半导体元件121。配置于第一汇流条容纳部220的第二输入汇流条420可以通过插入于第二开口217的第二连接电极132来电连接于第二功率半导体元件123。配置于第二汇流条容纳部222的第一输出汇流条450可以通过插入于第三开口的第三连接电极133来电连接于第一功率半导体元件121，另一方面，可以通过插入于第四开口的第四连接电极134来电连接于第二功率半导体元件123。即，第一输出汇流条450可以以第三连接电极133和第四连接电极134为中间体，共同连接于第一功率半导体元件121和第二功率半导体元件123。

另外，在第一连接电极131至第四连接电极134分别形成孔651、653，并且，可以在第一功率半导体元件121和第二功率半导体元件123形成具有螺纹的凹槽631、633。第一输入汇流条410可以利用螺栓(screw)601经由

第二板200的主体241和第一连接电极131的孔651，来紧固连接于第一功率半导体元件121。第二输入汇流条420可以利用螺栓603经由第二板200的主体241和第二连接电极132的孔653，来紧固连接于第二功率半导体元件123。第一输出汇流条450可以利用螺栓经由第二板200的主体241以及第三连接电极133和第四连接电极134各自的孔，来紧固连接于第一功率半导体元件121和第二功率半导体元件123。

实施例的功率半导体模块100可以具有第三板300。

如上所述，第三板300可以以第一板110为基准，与第二板200相对称。第二板200与第三板300可以具有相同的功能、结构以及形状。因此，在以下的说明中遗漏的技术思想可以从对上述的第二板200的说明中容易理解。

例如，第三板300可以配置在第一板110的第二面上。例如，第三板300可以包括环氧树脂，但并不限于此。

例如，第三板300可以包括主体341、侧壁343以及分隔壁310。主体341、侧壁343以及分隔壁310可以形成为一体。

第三板300的一个以上的区域，例如，第三板300的侧壁343的底面与分隔壁310的底面可以与第一板110的第二进行面接触。

第三板300可以包括第三元件容纳部351和第四元件容纳部353。在第三元件容纳部351可以容纳第三功率半导体以及第五连接电极135和第七连接电极137。第三元件容纳部351可以覆盖第三功率半导体以及第五连接电极135和第七连接电极137。例如，第三功率半导体元件125在第一板110的第二面的第一区域上紧固连接，例如，第五连接电极135可以与第三功率半导体元件125的输入电极垫相连接，第七连接电极137可以与第三功率半导体元件125的输出电极垫相连接。因此，第三功率半导体以及第五连接电极135和第七连接电极137可以由第一板110和第三板300的第三元件容纳部351保护。由此，可以通过第一板110和第三板300的第三元件容纳部351来保护第三功率半导体元件125。并且，在第一板110和第三板300的第三元件容纳部351的作用下，即使第三功率半导体元件125爆炸，也能够不使与爆炸的功率半导体模块100相邻的其它功率半导体模块损坏。

在第四元件容纳部353可以容纳第四功率半导体以及第六连接电极136和第八连接电极138。第四元件容纳部353可以覆盖第四功率半导体以及第六连接电极136和第八连接电极138。例如，第四功率半导体元件127在第一板110的第二面的第一区域上紧固连接，例如，第六连接电极136可以与第四功率半导体元件127的输入电极垫相连接，第八连接电极138可以与第四功率半导体元件127的输出电极垫相连接。因此，第四功率半导体以及第六连接电极136和第八连接电极138可以由第一板110和第三板300的第四元件容纳部353保护。由此，可以通过第一板110和第三板300的第四元件容纳部353来保护第四功率半导体元件127。并且，在第一板110和第三板300的第四元件容纳部353的作用下，即使第四功率半导体元件127爆炸，也能够不使与爆炸的功率半导体模块100相邻的其它功率半导体模块损坏。

第三板300可以包括用于分别容纳第五连接电极135和第六连接电极136的第五电极容纳部331和第六电极容纳部333。虽然未图示，第三板300可以包括用于分别容纳第七连接电极137和第八连接电极138的第七电极容纳部和第八电极容纳部。第三板300可以包括第五开口315和第六开口317。虽然未图示，第三板300可以包括第七开口和第八开口。

第五电极容纳部331和第七电极容纳部可以连接于第三元件容纳部351。第六电极容纳部333和第八电极容纳部可以连接于第四元件容纳部353。第五开口315和第七开口可以分别连接于第五电极容纳部331和第七电极容纳部。第六开口317和第八开口可以分别连接于第六电极容纳部333和第八电极容纳部。

第五至第八电极容纳部可以在第三板300的主体341的内部面形成。

可以在与第五开口315相遇的第五电极容纳部331形成第五卡合部631，并且，可以在与第六开口317相遇的第六电极容纳部333形成第六卡合部641。虽然未图示，可以在与第七开口相遇的第七电极容纳部形成第七卡合部，并且，可以在与第八开口相遇的第八电极容纳部形成第八卡合部。在第五连接电极135形成有与第五卡合部631相对应的第五卡合凸起633，在第六连接电极136可以形成有与第六卡合部641相对应的第六卡合凸起643。虽然未图示，在第七连接电极137可以形成有与第七卡合部相对应的第七卡合凸起，在第八连接电极138可以形成与第八卡合部相对应的第八卡合凸起。

因此，当通过第五至第八电极容纳部和第五至第八开口315、317配置第五连接电极135至第八连接电极138时，第五连接电极135的第五卡合凸起633可以通过第五卡合部631来固定，第六连接电极136的第六卡合凸起643可以通过第六卡合部641来固定。并且，第七连接电极137的第七卡合凸起可以通过第七卡合部来固定，第八连接电极138的第八卡合凸起可以通过第八卡合部来固定。

第三板300可以包括第三凸出部311和第四凸出部313。并且，第三板300可以包括第三汇流条容纳部320和第四汇流条容纳部。

第三凸出部311可以在第三板300的第二面的第一区域形成，第四凸出部313可以在第三板300的第二面的第二区域形成。

可以以第三凸出部311和第四凸出部313为基准，配置第三汇流条容纳部320和第四汇流条容纳部。第三输入汇流条430和第四输入汇流条440可以容纳于第三汇流条容纳部320，第二输出汇流条460可以容纳于第四汇流条容纳部。

第三输入汇流条430和第四输入汇流条440以及第二输出汇流条460各自的厚度可以与第三汇流条容纳部320和第四汇流条容纳部的深度相同。

第五至第八开口315、317可以与第三凸出部311和第四凸出部313相邻地形成。因此，在第三板300的第五电极容纳部331插入于第五开口315的第五连接电极135的一面可以与第三输入汇流条430的底面进行面接触。在第三板300的第六电极容纳部333插入于第六开口317的第六连接电极136的一面可以与第四输入汇流条440的底面进行面接触。在第三板300的第七电极容纳部插入于第七开口的第七连接电极137的一面可以与第二输出汇流条460的底面进行面接触，在第三板300的第八电极容纳部插入于第八开口的第八连接电极138的一面可以与第二输出汇流条460的底面进行面接触。

由此，配置于第三汇流条容纳部320的第三输入汇流条430可以通过插入于第五开口315的第五连接电极135来电连接于第三功率半导体元件125。配置于第三汇流条容纳部320的第四输入汇流条440可以通过插入于第六开口317的第六连接电极136来电连接于第四功率半导体元件127。配置于第四汇流条容纳部的第二输出汇流条460可以通过插入于第七开口的第七连接电极137来电连接于第三功率半导体元件125，另一方面，可以通过插入于第八开口的第八连接电极138来电连接于第四功率半导体元件127。即，第二输出汇流条460可以以第七连接电极137和第八连接电极138为中间体，共同连接于第三功率半导体元件125和第四功率半导体元件127。

另外，在第五连接电极135至第八连接电极138分别形成孔655、657，并且，可以在第三功率半导体元件125和第四功率半导体元件127形成具有螺纹的凹槽635、637。第三输入汇流条430可以利用螺栓605经由第三板300的主体341和第五连接电极135的孔655，来紧固连接于第三功率半导体元件125。第四输入汇流条440可以利用螺栓607经由第三板300的主体341和第六连接电极136的孔657，来紧固连接于第四功率半导体元件127。第二输出汇流条460可以利用螺栓经由第三板300的主体341和第七连接电极137和第八连接电极138各自的孔，来紧固连接于第三功率半导体元件125和第四功率半导体元件127。

第一功率半导体元件121、第二功率半导体元件123、第三功率半导体元件125、第四功率半导体元件127

实施例的功率半导体模块100可以具有第一功率半导体元件121、第二功率半导体元件123、第三功率半导体元件125、第四功率半导体元件127。

例如，第一功率半导体元件121可以紧固连接于第一板110的第一面的第一区域。第二功率半导体元件123可以紧固连接于第一板110的第一面的第二区域。第一功率半导体元件121和第二功率半导体元件123可以与后述的第三功率半导体元件125和第四功率半导体元件127一同具有全桥(fullbridge)连接结构。因此，包括具有全桥(fullbridge)连接结构的第一功率半导体元件121、第二功率半导体元件123、第三功率半导体元件125、第四功率半导体元件127的功率半导体模块100可以作为转换器使用，该转换器用于通过转换输入功率来生成输出功率。

由于第一功率半导体元件121和第二功率半导体元件123与第一板110进行面接触，从第一功率半导体元件121和第二功率半导体元件123产生的热量可以容易地通过第一板110和/或第一板110的通路来向外部放出。

由于第一功率半导体元件121和第二功率半导体元件123在几kv到几十kv的电压的作用下进行动作，因此存在爆炸可能性。由此，需要将第一功率半导体元件121和第二功率半导体元件123完全从外部屏蔽。为此，在实施例中可以具有第二板200。可以在第二板200的内部面形成第一元件容纳部251和第二元件容纳部253。可以在第二板200的第一元件容纳部251和第二元件容纳部253容纳第一功率半导体元件121和第二功率半导体元件123。第一功率半导体元件121和第二功率半导体元件123可以位于由第一板110和第二板200形成的第一单元空间和第二单元空间，从而完全从外部屏蔽。第一单元空间可以与第一元件容纳部251相对应，第二单元空间可以与第二元件容纳部253相对应。由此，即使第一功率半导体或第二功率半导体爆炸，也能够不使与爆炸的功率半导体模块100相邻的其它功率半导体模块损坏。

第一元件容纳部251和第二元件容纳部253的形状可以与第一功率半导体元件121和第二功率半导体元件123的形状分别相对应。例如，当第一功率半导体元件121和第二功率半导体元件123具有矩形形状时，第一元件容纳部251和第二元件容纳部253也可以具有矩形形状。第一元件容纳部251和第二元件容纳部253的体积可以大于第一功率半导体元件121和第二功率半导体元件123的体积。在将第一功率半导体元件121和第二功率半导体元件123紧固连接于第一板110的第一面上之后，可以将第二板200紧固连接于第一板110的第一面上，以覆盖第一功率半导体元件121和第二功率半导体元件123。此时，第一功率半导体元件121和第二功率半导体元件123可以插入于第二板200的第一元件容纳部251和第二元件容纳部253。因此，能够将第二板200的厚度设计为稍厚于第一功率半导体元件121和第二功率半导体元件123的厚度，从而能够减小实施例的功率半导体模块100的整体厚度。

例如，第三功率半导体元件125可以紧固连接于第一板110的第二面的第一区域。第四功率半导体元件127可以紧固连接于第一板110的第二面的第二区域。第三功率半导体元件125和第四功率半导体元件127可以与上述的第一功率半导体元件121和第二功率半导体元件123一同具有全桥(fullbridge)连接结构。在全桥(fullbridge)连接结构中，例如，可以接通(turnon)第一功率半导体元件121和第四功率半导体元件127，来输出正的高电压，并且，可以接通第二功率半导体元件123和第三功率半导体元件125，来输出负的高电压。在全桥连接结构中的开关操作是公知的，因此省略进一步的说明。因此，包括具有全桥(fullbridge)连接结构的第一功率半导体元件121、第二功率半导体元件123、第三功率半导体元件125、第四功率半导体元件127的功率半导体模块100可以作为转换器使用，该转换器用于通过转换输入功率来生成输出功率。

由于第三功率半导体元件125和第四功率半导体元件127与第一板110进行面接触，因此从第三功率半导体元件125和第四功率半导体元件127产生的热量可以通过第一板110和/或第一板110的通路来容易地向外部放出。

第一输入汇流条410至第四输入汇流条440以及第一输出汇流条450和第二输出汇流条460

实施例的功率半导体模块100可以具有第一输入汇流条410至第四输入汇流条440以及第一输出汇流条450和第二输出汇流条460。

第一输入汇流条410和第二输入汇流条420可以容纳于第二板200的第一汇流条容纳部220，第一输出汇流条450可以容纳于第二汇流条容纳部222。

第一输入汇流条410和第二输入汇流条420分别可以包括第一电极区域412、422和第二电极区域414、424。第一电极区域412、422容纳于第二板200的第一汇流条容纳部220，第二电极区域414、424可以从第一电极区域412、422延伸并配置于第二板200的侧壁243的外部面上。第一电极区域412、422和第二电极区域414、424可以形成为一体。

第一输入汇流条410可以与配置于第二板200的第一电极容纳部231的第一连接电极131进行面接触。第二输入汇流条420可以与配置于第二板200的第二电极容纳部233的第二连接电极132进行面接触。第一输出汇流条450可以与配置于第二板200的第三电极容纳部的第三连接电极133进行面接触，并且，可以与配置于第二板200的第四电极容纳部的第四连接电极134进行面接触。

第一输入汇流条410和第二输入汇流条420以及第一输出汇流条450可以由导电性优异的金属物质形成。例如，第一输入汇流条410和第二输入汇流条420以及第一输出汇流条450可以由铜(cu)形成，但并不限于此。

第三输入汇流条430和第四输入汇流条440容纳于第三板300的第三汇流条容纳部320，第二输出汇流条460可以容纳于第四汇流条容纳部。

第三输入汇流条430和第四输入汇流条440分别可以包括第一电极区域432、442和第二电极区域434、444。第一电极区域432、442容纳于第三板300的第三汇流条容纳部320，第二电极区域434、444可以从第一电极区域432、442延伸并配置于第三板300的侧壁343的外部面上。第一电极区域432、442和第二电极区域434、444可以形成为一体。

第三输入汇流条430可以与配置于第三板300的第五电极容纳部331的第五连接电极135进行面接触。第四输入汇流条440可以与配置于第三板300的第六电极容纳部333的第六连接电极136进行面接触。第二输出汇流条460可以与配置于第三板300的第七电极容纳部的第七连接电极137进行面接触，并且，可以与配置于第三板300的第八电极容纳部的第八连接电极138进行面接触。

第三输入汇流条430和第四输入汇流条440以及第二输出汇流条460可以由导电性优异的金属物质形成。

第一连接电极131至第八连接电极138

实施例的功率半导体模块100可以具有第一连接电极131至第八连接电极138。

例如，第一连接电极131至第四连接电极134可以配置在第一板110的第一面上。具体而言，第一连接电极131和第三连接电极133可以在第一功率半导体元件121上配置，第二连接电极132和第四连接电极134可以在第二功率半导体元件123上配置。第一连接电极131可以使第一输入汇流条410电连接于第一功率半导体元件121。第二连接电极132可以使第二输入汇流条420电连接于第二功率半导体元件123。第三连接电极133可以使第一输出汇流条450电连接于第一功率半导体元件121。第四连接电极134可以使第一输出汇流条450电连接于第二功率半导体元件123。第一输出汇流条450可以共同连接于第一功率半导体元件121和第二功率半导体元件123。

第一连接电极131至第四连接电极134可以是用于使第一功率半导体元件121和第二功率半导体元件123电连接于第一输入汇流条410和第二输入汇流条420和/或第一输出汇流条450的中间体。

第一连接电极131至第四连接电极134各自的上部面和底面可以具有平坦的面。

第一连接电极131至第四连接电极134可以通过与第一功率半导体元件121和第二功率半导体元件123进行面接触来电连接。为此，可以在第一功率半导体元件121的上部面配置输入电极垫和输出电极垫，在第二功率半导体元件123的上部面配置输入电极垫和输出电极垫。第一功率半导体元件121的输入电极垫和输出电极垫以及第二功率半导体元件123的输入电极垫和输出电极垫各自的上部面可以具有平坦的面。因此，第一连接电极131的底面可以与第一功率半导体元件121的输入电极垫的上部面进行面接触，第二连接电极132的底面可以与第二功率半导体元件123的输入电极垫的上部面进行面接触。第三连接电极133的底面可以与第一功率半导体元件121的输出电极垫的上部面进行面接触，第四连接电极134的底面可以与第二功率半导体元件123的输出电极垫的上部面进行面接触。

例如，第五连接电极135至第八连接电极138可以在第一板110的第二面上配置。具体而言，第五连接电极135和第七连接电极137可以在第三功率半导体元件125上配置，第六连接电极136和第八连接电极138可以在第四功率半导体元件127上配置。第五连接电极135可以使第三输入汇流条430电连接于第三功率半导体元件125。第六连接电极136可以使第四输入汇流条440电连接于第四功率半导体元件127。第七连接电极137可以使第二输出汇流条460电连接于第三功率半导体元件125。第八连接电极138可以使第二输出汇流条460电连接于第四功率半导体元件127。第二输出汇流条460可以共同连接于第三功率半导体元件125和第四功率半导体元件127。

第五连接电极135至第八连接电极138各自的上部面和底面可以具有平坦的面。

第五连接电极135至第八连接电极138可以通过与第三功率半导体元件125和第四功率半导体元件127进行面接触来电连接。

在实施例中，在第一连接电极131至第四连接电极134的作用下，第一功率半导体元件121和第二功率半导体元件123与第一输入汇流条410、第二输入汇流条420、第一输出汇流条450通过进行面接触来电连接，从而能够通过使接触电阻实现最小化，来使为了功率开关而供应的功率损失实现最小化。

过滤器111、112、113

可以在第一板110的一个以上的区域上配置一个以上的过滤器111、112、113。

一个以上的过滤器111、112、113可以利用螺丝紧固连接于第一板110的一个以上的区域。在第一板110的内部可以形成有多个通路。一个以上的过滤器111、112、113可以配置于在第一板110的内部形成的多个通路。当第一至第四半导体元件121、123、125、127中的至少一个半导体元件爆炸时，一个以上的过滤器111、112、113可以起到将因该爆炸而产生的气体排出到外部的作用。

一个以上的过滤器111、112、113可以由具有多孔结构的金属氧化物材料制成。作为包含于金属氧化物的金属可以使用镁(mg)、铈(ce)、锰(mn)。

具有多孔结构的金属氧化物材料可以是包括很多气孔的材料。例如，整体体积的30％～95％可以由气孔形成。由具有这种多孔结构的金属氧化物材料制成的一个以上的过滤器111、112、113可以具有优异的轻量性(lightweight)和高的比强度、因面积增大引起的反应促进、因能量吸收能力而产生的吸声性和防振性、因内部气孔而产生的隔热性以及因贯通气孔而产生的热传递优异的特性。

因此，在第一板110所配置的、由具有多孔结构的金属氧化物制成的一个以上的过滤器111、112、113的作用下，当第一功率半导体元件121、第二功率半导体元件123、第三功率半导体元件125、第四功率半导体元件127中的一个功率半导体元件爆炸时，能够对细小的物质进行过滤。并且，通过一个以上的过滤器111、112、113，能够瞬间降低因第一功率半导体元件121、第二功率半导体元件123、第三功率半导体元件125、第四功率半导体元件127中的一个功率半导体元件爆炸而产生的高压的等离子气体的压力并向外部放出，由此，能够减少相当多的部分的压力和爆炸声。

虽然未图示，过滤器111、112、113可以具有t字形结构。即，形成贯通第一板110的第一面和第二面的多个第一贯通孔，并且，可以形成从该贯通孔沿着侧方连接到第一板110的侧面的多个第二贯通孔。因此，由第一贯通孔和第二贯通孔形成t字形结构，并且，过滤器111、112、113可以配置于第一贯通孔和第二贯通孔来具有t字形结构。因此，当配置于第一板110的第一面上的第一半导体元件121或第二半导体元件123、或者配置于第一板110的第二面上的第三半导体元件125或第四半导体元件127爆炸而产生气体、压力或爆炸声时，这种气体、压力或爆炸声在经过配置于第一贯通孔和第二贯通孔的过滤器111、112、113的过程中可以被缓和或去除，或者被排出到外部。

上述的详细说明在所有方面不应被解释为是限制性的，而应该理解为示例性的。实施例的范围应该通过对所附权利要求的合理解释来确定，并且，在实施例的等同范围内的全部变更都包含在实施例的范围。