基片干燥装置的制作方法

本发明的实施方式涉及一种基片干燥装置。

背景技术：

目前，已知有对液体处理后的基片进行干燥的基片干燥装置。例如，专利文献1中公开了一种基片干燥装置，其包括：配置于液体处理槽的上部的处理室；将在液体处理槽进行了液体处理的基片运送到处理室的运送部；和设置于处理室的内部且对处理室内供给干燥用流体的供给喷嘴。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2016－119436号公报

技术实现要素：

发明要解决的技术问题

然而，在上述的现有技术中，在对配置于处理室内的基片均匀地供给干燥用流体这一点上尚有改善的余地。

实施方式的一方面的目的在于，提供一种能够对基片均匀地供给干燥用流体的基片干燥装置。

用于解决技术问题的技术手段

实施方式一方面提供一种基片干燥装置，其能够干燥基片，包括处理室和盖部。处理室具有用于送入送出基片的开口部。盖部能够开闭开口部。另外，盖部包括扩散室和整流部件。扩散室用于使干燥用流体扩散。另外，整流部件将在扩散室扩散的流动的干燥用流体整流后使其从扩散室向处理室流出。

发明效果

根据实施方式的一方面，能够对基片均匀地供给干燥用流体。

附图说明

图1是实施方式的基片处理装置的示意性的剖视图。

图2是实施方式的盖部的示意性的俯视图。

图3是实施方式的喷嘴的示意性的俯视图。

图4是实施方式的整流部件的示意性的俯视图。

图5是表示形成在实施方式的处理室内的下降流的示意图。

图6是表示干燥用流体的供给路径的结构的示意性的剖视图。

图7是表示将上游侧供给路径与下游侧供给路径连接的状态的示意性的剖视图。

图8是表示实施方式的基片处理装置执行的处理的顺序的一例的流程图。

图9是表示第一送入处理的动作例的图。

图10是表示液体处理的动作例的图。

图11是表示第二送入处理的动作例的图。

图12是表示干燥处理的动作例的图。

图13是表示送出处理的动作例的图。

图14是变形例的基片干燥装置的示意性的剖视图。

图15是变形例的基片干燥装置的示意性的剖视图。

附图标记说明

W 晶片

1 液体处理槽

2 基片干燥装置

10 贮存槽

20 处理室

21 第一开口部

22 第二开口部

23 第一凸缘部

24 排气口

30 盖部

32 扩散室

34 整流部件

35 压损部件

123 喷嘴。

具体实施方式

下面，参照附图，详细说明用于实施本申请的基片干燥装置的方式(以下，记载为“实施方式”)。此外，本申请的基片干燥装置不受该实施方式的限定。另外，各实施方式在不使处理内容矛盾的范围内可以适宜组合。另外，以下的各实施方式中，对于相同的部位标注相同的附图标记，并省略重复的说明。

首先，参照图1～图4，说明实施方式的基片处理装置的结构。图1是实施方式的基片处理装置的示意性的剖视图。另外，图2是实施方式的盖部的示意性的俯视图，图3是实施方式的喷嘴的示意性的俯视图，图4是实施方式的整流部件的示意性的俯视图。

如图1所示，基片处理装置100包括：对硅晶片等半导体基片(以下，简单记载为“晶片W”)进行液体处理的液体处理槽1；配置于液体处理槽1的上部的基片干燥装置2，其对液体处理后的晶片W进行干燥。另外，基片处理装置100包括控制液体处理槽1和基片干燥装置2的控制装置8。

液体处理槽1包括贮存槽10、溢流槽11和密封槽12。贮存槽10、溢流槽11和密封槽12在上部具有开口部，用于在内部贮存处理液。

贮存槽10形成为能够将多个晶片W一并浸渍的尺寸。溢流槽11形成于贮存槽10的上端外周部，用于贮存从贮存槽10溢流出的处理液。密封槽12形成于溢流槽11的上端外周部，用于贮存纯水等。通过在贮存于密封槽12的纯水等中浸渍后述的遮挡机构50的密封片523，能够将液体处理槽1的内部和外部隔绝。

在液体处理槽1设有用于供给处理液的处理液供给机构13和用于排出处理液的处理液排出机构14。

处理液供给机构13包括多个(此处为两个)处理液喷嘴131、供给线路132、处理液供给源133、阀134、流量调节器135。两个处理液喷嘴131设置于贮存槽10的内侧底部。供给线路132将两个处理液喷嘴131与处理液供给源133连接。处理液供给源133对两个处理液喷嘴131供给处理液。此处，供给纯水等冲洗液作为处理液。阀134设置于供给线路132的中途部，用于开闭供给线路132。流量调节器135设置于供给线路132的中途部，用于调节在供给线路132中流动的处理液的流量。阀134及流量调节器135与控制装置8的控制部81连接，由控制部81进行控制。

处理液供给机构13将从处理液供给源133供给的处理液从处理液喷嘴131供给到贮存槽10的内部。由此，能够将处理液贮存在贮存槽10中。

处理液排出机构14包括排出口141、排出线路142和阀143。排出口141形成于贮存槽10的内侧底部中央。排出线路142与排出口141连接。阀143设置于排出线路142的中途部，用于开闭排出线路142。阀143与控制部81连接，由控制部81来开闭控制。

处理液排出机构14通过开放阀143，将贮存于贮存槽10的内部的处理液从排出口141排出到外部的排出线路142。

基片干燥装置2包括处理室20、盖部30、运送部40和遮挡机构50。

处理室20形成为能够一并收纳多个晶片W的尺寸。在处理室20的上部形成有第一开口部21，在下部形成有第二开口部22。第一开口部21是用于在基片处理装置100的外部与处理室20之间送入送出多个晶片W的开口部。第二开口部22是用于在处理室20与贮存槽10之间送入送出多个晶片W的开口部。

处理室20包括第一凸缘部23。第一凸缘部23形成于第一开口部21的周围。具体而言，第一凸缘部23从第一开口部21的缘部朝向第一开口部21的外部水平地突出。

处理室20包括多个(此处为两个)排气口24。两个排气口24比配置于处理室20内的多个晶片W靠下方并且相对于与多个晶片W的排列方向(Y轴方向)正交的方向(X轴方向)左右对称地设置。两个排气口24与排气路25连接，处理室20内的气氛经由排气口24和排气路25被排出到基片干燥装置2的外部。

盖部30配置于处理室20的上方，用于封闭处理室20的第一开口部21。具体而言，盖部30在与处理室20的第一凸缘部23相对的位置具有第二凸缘部36，第二凸缘部36与设置于第一凸缘部23的密封部件(后述的密封部件119)抵接，从而封闭处理室20的第一开口部21。

盖部30与第一升降机构31连接。第一升降机构31使盖部30在封闭第一开口部21的封闭位置与比封闭位置靠上方处的开放第一开口部21的开放位置之间升降。第一升降机构31与控制部81连接，由控制部81进行控制。

盖部30包括扩散室32、多个(此处为两个)喷嘴123、整流部件34和压损部件35。

扩散室32在盖部30位于图1所示的封闭位置的状态下配置于第一开口部21的上部，经由整流部件34及压损部件35与处理室20连通。

两个喷嘴123配置于扩散室32的内部，用于对扩散室32内供给干燥用流体。具体而言，如图2所示，各喷嘴123具有沿由后述的运送部40保持的多个晶片W的排列方向(Y轴方向)延伸的长条形状。另外，如图3所示，各喷嘴123从沿长边方向形成的多个喷出口123a水平地喷出干燥用流体。

各喷嘴123经由接合部122与连接部121连接，干燥用流体从连接部121经由接合部122被导入扩散室32内的喷嘴123。关于干燥用流体的供给路径，后面进行说明。

整流部件34是相当于处理室20的顶部的板状的部件，将扩散到扩散室32的流动的干燥用流体整流后使其从扩散室32向处理室20流出。具体而言，如图4所示，在整流部件34形成有多个隙缝341，使干燥用流体通过该隙缝341，由此流动的干燥用流体在一定方向上变得整齐。

压损部件35是配置于整流部件34的上部的板状的部件，使从扩散室32流入整流部件34的干燥用流体产生压力损失。作为压损部件35，例如，除树脂制、陶瓷制或无纺布制的多孔部件之外，可以使用通过冲孔加工而形成有多个开口的板状的部件(冲孔板)。

另外，如图1和图2所示，盖部30包括：能够插通后述的运送部40的臂42的插通口37；和密封插通口37与臂42的间隙的密封机构38。插通口37和密封机构38设置于第二凸缘部36。

密封机构38包括：对插通口37与臂42的间隙供给吹扫气体的供给部(未图示)；和从插通口37与臂42的间隙排出吹扫气体的排出部(未图示)。密封机构38对插通口37与臂42的间隙供给吹扫气体，使插通口37与臂42的间隙的压力比处理室20内的压力高，从而能够防止干燥用流体从处理室20的内部泄露到外部。吹扫气体的流量由未图示的流量调节器调节，使得其成为对插通口37与臂42的间隙供给的吹扫气体不进入处理室20内的流量。

此外，密封机构38不限于如上述那样由气体密封插通口37与臂42的间隙，例如可以使用充气密封件(inflate seal)等物理性地密封插通口37与臂42的间隙。充气密封件是管状的树脂制密封部件，通过对内部供给气体而膨胀，来密封插通口37与臂42的间隙。

运送部40包括用于一并保持多个晶片W的保持部41、用于支承保持部41的臂42和用于使臂42升降的第二升降机构43。

保持部41将多个晶片W以立起姿势沿水平方向隔开一定间隔地排列的状态保持它们。具体而言，保持部41包括：支承多个晶片W的下部周缘部的两个第一引导部件411；在比第一引导部件411靠上方处支承多个晶片W的周缘部的两个第二引导部件412。多个晶片W在4个部位被这些第一引导部件411和第二引导部件412支承。

臂42是沿铅直方向延伸的部件，在下部支承保持部41。臂42与第二升降机构43连接。第二升降机构43能够使臂42沿着铅直方向升降。第二升降机构43与控制部81连接，由控制部81进行控制。

遮挡机构50包括遮挡门51、壳体52和移动机构53。遮挡门51形成为能够封闭处理室20的第二开口部22的尺寸。在遮挡门51的上表面形成有从外周部朝向中央部下倾的倾斜面511，在倾斜面511的中央部形成有未图示的排液口。在后述的干燥处理中从晶片W除去的处理液等在倾斜面511流淌并汇集到未图示的排液口，从排液口被排出到基片干燥装置2的外部。

壳体52介于液体处理槽1与处理室20之间，在内部收纳遮挡门51。壳体52在与处理室20的第二开口部22相对的位置具有第三开口部521，在与贮存槽10的开口部相对的位置具有第四开口部522。处理室20与贮存槽10经由壳体52连通。

在壳体52的下表面形成有向下方突出的密封片523。密封片523浸渍于贮存在密封槽12中的纯水。由此，能够将液体处理槽1的内部与外部隔绝。

移动机构53与遮挡门51连接，能够使遮挡门51水平移动和升降。由此，移动机构53能够使遮挡门51在封闭处理室20的第二开口部22的封闭位置与开放第二开口部22的开放位置之间移动。移动机构53与控制部81连接，由控制部81控制开闭。此外，开放位置以晶片W与遮挡门51不发生干涉的方式设置于封闭位置的旁边。

控制装置8例如是计算机，包括控制部81和存储部82。存储部82例如由RAM、闪存(Flash Memory)等半导体存储元件或者硬盘、光盘等存储装置实现，存储控制在基片处理装置100中执行的各种处理的程序。控制部81包含具有CPU(Central Processing Unit，中央处理器)、ROM(Read Only Memory，只读存储器)、RAM(Random Access Memory，随机存取存储器)、输入输出端口等的微机或各种电路，通过到读取并至执行存储于存储部82的程序来控制基片处理装置100的动作。

此外，该程序记录于计算机可读取的存储介质中，也可以从该存储介质安装到控制装置8的存储部82。作为计算机可读取的存储介质，例如有硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等。

如图5所示，实施方式的盖部30使从喷嘴123供给到扩散室32的流动的干燥用流体在其被整流部件34整流后向处理室20内流出。由此，基片干燥装置2能够在处理室20内形成从相当于处理室20的顶部的整流部件34向下方流动的干燥用流体的垂直流即下降流。另外，不将干燥用流体直接供给到整流部件34而在扩散室32内暂时扩散后供给到整流部件34，由此与将干燥用流体直接供给到整流部件34的情况相比，能够抑制从整流部件34流出的干燥用流体产生流量的偏差。因此，能够在处理室20内形成更均匀的下降流。通过在处理室20内形成干燥用流体的下降流，能够对配置于处理室20内的多个晶片W均匀地供给干燥用流体，因此，例如能够使在多个晶片W间或者一个晶片W的面内干燥程度不易产生差异。

另外，关于实施方式的盖部30，在整流部件34的上部设有压损部件35，使流入整流部件34的隙缝341的干燥用流体产生压力损失。由此，因为干燥用流体在扩散室32内以更高的密度扩散，因此从整流部件34流出的干燥用流体更不易产生流量的偏差，能够在处理室20内形成不存在缭绕上升等的适宜的下降流。

干燥用流体的排气口24形成于比配置于处理室20内的多个晶片W靠下方处，因此容易使下降流维持到晶片W的下方。另外，在保持部41的第一引导部件411与第二引导部件412之间及两个第一引导部件411之间分别设有间隙413、414，干燥用流体通过这些间隙413、414流入排气口24。这样，在保持部41设置间隙413、414，由此从晶片W的下部至排气口24的流动的干燥用流体不易产生乱流。

接着，参照图6和图7，说明干燥用流体的供给路径的结构。图6是表示干燥用流体的供给路径的结构的示意性的剖视图。另外，图7是表示将上游侧供给路径与下游侧供给路径连接的状态的示意性的剖视图。此外，图6和图7相当于图2所示的A－A线箭头向剖视图。

如图6所示，干燥用流体的供给路径包括固定设置的上游侧路径部110和与盖部30一同升降的下游侧路径部120。

上游侧路径部110包括连接部111、接合部112、配管部113、IPA供给源114a、热N2气体供给源114b、IPA蒸汽发生器115、阀116和流量调节器117。

连接部111设置于处理室20的第一凸缘部23。连接部111具有上下贯通第一凸缘部23的流路111a。接合部112将连接部111与配管部113连结。接合部112具有在上下方向延伸的流路112a。流路112a在上游侧的端部与配管部113连通，在下游侧的端部与流路111a连通。

在连接部111的上表面即与连接部121相对的面设有密封部件118。密封部件118例如是O形环，设置于流路111a的下游侧端部的周围。另外，在第一凸缘部23的上表面即与第二凸缘部36相对的面设有密封部件119。密封部件119例如是唇形密封件，设置于比连接部111靠第一凸缘部23的外周侧处。

配管部113经由阀116及流量调节器117与IPA蒸汽发生器115连接。IPA蒸汽发生器115与IPA供给源114a和热N2气体供给源114b连接。IPA蒸汽发生器115将从IPA供给源114a供给的IPA和从热N2气体供给源114b供给的热N2气体(加热的氮气)混合，由此利用热N2气体的热使IPA气化以生成IPA蒸汽。IPA蒸汽发生器115将所生成的IPA蒸汽供给到配管部113。此外，在不对IPA蒸汽发生器115供给IPA而仅供给了热N2气体的情况下，从IPA蒸汽发生器115对配管部113供给热N2气体。阀116设置于配管部113的中途部，用于开闭配管部113。流量调节器117设置于配管部113的中途部，用于调节在配管部113流动的IPA蒸汽或热N2气体的流量。

下游侧路径部120包括连接部121、接合部122和喷嘴123。连接部121设置于第二凸缘部36。连接部121具有上下贯通第二凸缘部36的流路121a。接合部122将连接部121与喷嘴123连结。接合部122具有在水平方向延伸的流路122a。流路122a在上游侧的端部与流路121a连通，在下游侧的端部与喷嘴123连通。

如此，干燥用流体的供给路径被分割成上游侧路径部110和下游侧路径部120。而且，在盖部30因第一升降机构31(参照图1)而下降成为封闭了第一开口部21的状态时，将上游侧路径部110与下游侧路径部120连接而完成干燥用流体的供给路径。具体而言，如图7所示，将下游侧路径部120的连接部121与上游侧路径部110的连接部111连接，由此上游侧路径部110的流路111a、112a与下游侧路径部120的流路121a、122a连通。由此，能够将从IPA蒸汽发生器115供给的IPA蒸汽或热N2气体从设置于喷嘴123的多个喷出口123a供给到扩散室32的内部。另外，盖部30上升而下游侧路径部120的连接部121从上游侧路径部110的连接部111分离，从而解除上游侧路径部110与下游侧路径部120的连接。

在盖部30处于封闭位置的状态下，下游侧路径部120的连接部121与设置于上游侧路径部110的连接部111的密封部件118抵接。由此，能够抑制干燥用流体从上游侧路径部110的流路111a与下游侧路径部120的流路121a之间的泄漏。而且，在盖部30处于封闭位置的状态下，盖部30的第二凸缘部36与设置于处理室20的第一凸缘部23的密封部件119抵接。由此，能够抑制干燥用流体从处理室20与盖部30的间隙泄漏。

这样，将干燥用流体的供给路径分割成上游侧路径部110和下游侧路径部120，由此能够减少干燥用流体的供给路径中与盖部30一同移动的部分。因此，能够降低干燥用流体的供给路径移动所导致的扬尘等的影响。

接着，参照图8～图13，说明实施方式的基片处理装置100的具体的动作。图8是表示实施方式的基片处理装置100执行的处理的顺序的一例的流程图。另外，图9是表示第一送入处理的动作例的图，图10是表示液体处理的动作例的图，图11是表示第二送入处理的动作例的图，图12是表示干燥处理的动作例的图，图13是表示送出处理的动作例的图。

如图8所示，在基片处理装置100中，进行将多个晶片W送入贮存槽10的第一送入处理(步骤S101)。具体而言，控制部81控制运送多个晶片W的未图示的基片运送装置，将多个晶片W交接给运送部40的保持部41(参照图9)。然后，控制部81控制第一升降机构31和第二升降机构43使盖部30和臂42下降，从而将盖部30配置在封闭位置。由此，将上游侧路径部110和下游侧路径部120连接(参照图7)，将热N2气体从喷嘴123经由扩散室32、压损部件35和整流部件34供给到处理室20。再之后，控制部81控制第二升降机构43使臂42进一步下降，从而将保持于保持部41的多个晶片W送入贮存槽10(参照图10)。

此外，基片处理装置100也可以在第一送入处理之前进行待机处理。在待机处理中，在将处理室20密封的状态下即将盖部30和遮挡门51配置于封闭位置的状态下，从喷嘴123对处理室20内供给热N2气体，由此将处理室20内的温度调节为预先设定的温度。之后，使盖部30和保持部41上升，将保持部41配置于图9所示的晶片W的接收位置后，开始第一送入处理。

从处理液喷嘴131对贮存槽10持续供给处理液，但在待机处理中，从节水的观点出发，也可以使处理液的流量比液体处理时少。

接着，在基片处理装置100中，进行用处理液来处理多个晶片W的液体处理(步骤S102)。具体而言，控制部81在控制流量调节器135使从处理液喷嘴131对贮存槽10供给的处理液的流量增加的状态下，使多个晶片W在贮存槽10中浸渍规定时间，来对多个晶片W进行处理。此处，进行使用了冲洗液的冲洗处理。

接着，基片处理装置100进行将液体处理后的多个晶片W送入基片干燥装置2的处理室20的第二送入处理(步骤S103)。具体而言，控制部81控制运送部40的第二升降机构43使臂42上升，由此将保持于保持部41的多个晶片W从贮存槽10提起并配置到基片干燥装置2的处理室20内(参照图11)。然后，控制部81控制遮挡机构50的移动机构53使遮挡门51移动，从而将遮挡门51配置在封闭位置(参照图12)。由此，处理室20成为被盖部30和遮挡门51密封的状态。

接着，在基片处理装置100中，进行从多个晶片W除去处理液的干燥处理(步骤S104)。具体而言，控制部81通过对IPA蒸汽发生器115(参照图6)供给IPA和热N2气体来产生IPA蒸汽。在IPA蒸汽发生器115中产生的IPA蒸汽经由上游侧路径部110和下游侧路径部120供给到扩散室32后，从扩散室32供给到处理室20。供给到扩散室32的IPA蒸汽在扩散室32内扩散，由整流部件34整理流动状况后向处理室20流出。由此，在处理室20内形成IPA蒸汽的下降流(参照图5)，能够对配置于处理室20内的多个晶片W均匀地供给IPA蒸汽。

IPA蒸汽与各晶片W的表面及背面接触，在各晶片W的表面及背面上凝结，利用该凝结的IPA将残存于晶片W的表面及背面的处理液置换为IPA。然后，控制部81停止IPA从IPA供给源114a对IPA蒸汽发生器115供给IPA，从而从喷嘴123向扩散室32供给热N2气体。由此，在处理室20内形成热N2气体的下降流，对配置于处理室20内的多个晶片W均匀地供给热N2气体。对多个晶片W供给热N2气体，由此促进残存于各晶片W的表面及背面的IPA挥发以使多个晶片W干燥。

接着，在基片处理装置100中，进行将多个晶片W从处理室20送出的送出处理(步骤S105)。具体而言，控制部81控制第一升降机构31和第二升降机构43使盖部30和保持部41上升(参照图13)。然后，控制部81控制未图示的基片运送装置，将多个晶片W从保持部41交接到基片运送装置。由此，完成由基片处理装置100进行的一系列的基片处理。

此外，在一系列的基片处理中，利用密封机构38使设置于盖部30的插通口37与运送部40的臂42的间隙通常为密封的状态。但是，不限于此，例如，也可以为在密封机构38为使用充气密封件等物理地密封插通口37与臂42的间隙的情况下，控制部81在第二送入处理中仅使盖部30和保持部41中的保持部41移动时，解除密封机构38的密封状态。

如上所述，实施方式的基片干燥装置2是用于使晶片W(基片的一例)干燥的基片干燥装置，包括处理室20和盖部30。处理室20具有用于送入送出晶片W的第一开口部21(开口部的一例)。盖部30能够开闭第一开口部21。另外，盖部30包括扩散室32和整流部件34。扩散室32用于扩散干燥用流体。另外，整流部件34将在扩散室32扩散的流动的干燥用流体整流后使其从扩散室32向处理室20流出。因此，利用实施方式的基片干燥装置2，能够对晶片W均匀地供给干燥用流体。

另外，基片干燥装置2包括：供给干燥用流体的上游侧路径部110；和下游侧路径部120，其将从上游侧路径部110供给的干燥用流体导入扩散室32的内部。下游侧路径部120设置于盖部30，在盖部30处于封闭第一开口部21的封闭位置时与上游侧路径部110连接，在盖部30处于开放第一开口部21的开放位置时与上游侧路径部110分离。这样，通过使干燥用流体的供给路径构成为可分割成上游侧路径部110和下游侧路径部120并且减少与盖部30一同移动的部分，能够降低扬尘等的影响。

另外，处理室20在第一开口部21的周围形成有第一凸缘部23，盖部30具有与第一凸缘部23相对的第二凸缘部36，上游侧路径部110在第一凸缘部23具有与下游侧路径部120连接的连接部111，下游侧路径部120在第二凸缘部36具有与上游侧路径部110连接的连接部121。由此，利用使盖部30下降的一个动作，能够实现封闭第一开口部21和将上游侧路径部110与下游侧路径部120连接这两者。

此外，上游侧路径部110的连接部111和接合部112不一定必须设置于处理室20，也可以固定地设置于处理室20以外的地方。

另外，第一开口部21设置于处理室20的上部，处理室20在比配置于处理室20内的晶片W靠下方处具有干燥用流体的排气口24。由此，变得容易将从第一开口部21朝向下方流动的干燥用流体的垂直流维持至晶片W的下方，因此能够更均匀地对晶片W供给干燥用流体。

另外，盖部30包括使从扩散室32流入整流部件34的干燥用流体产生压力损失的压损部件35。由此，由于干燥用流体以更高的密度在扩散室32内扩散，因此从整流部件34流出的干燥用流体更不容易发生流量的偏差，能够在处理室20内形成不存在缭绕上升等的适宜的下降流。

另外，基片干燥装置2包括使盖部30升降的第一升降机构31、保持晶片W的保持部41、支承保持部41的臂42和使臂42升降的第二升降机构43。另外，盖部30包括能够插通臂42的插通口37。由此，能够使盖部30和保持部41独立地升降。

另外，盖部30包括密封插通口37与臂42的间隙的密封机构38。因此，能够抑制干燥用流体从插通口37与臂42的间隙泄漏。

另外，密封机构38对插通口37与臂42的间隙供给气体以使插通口37与臂42的间隙的压力比处理室20内的压力高，由此密封插通口37与臂42的间隙。因此，例如，与使用充气密封件等物理地密封插通口37与臂42的间隙的情况相比，能够降低扬尘等的影响。另外，例如，在如第一送入处理时或第二送入处理时那样使盖部30和保持部41独立地升降的情况下，也能够维持密封插通口37与臂42的间隙的状态。

(变形例)

在上述的实施方式中，使干燥用流体的供给路径构成为能够分割成上游侧路径部110和下游侧路径部120并且在盖部30设有喷嘴123，不过喷嘴123也可以设置于处理室20。图14和图15是变形例的基片干燥装置的示意性的剖视图。

例如，如图14所示，变形例的基片干燥装置2A包括处理室20A和盖部30A。处理室20A包括喷嘴123、喷嘴固定部125和接合部126。喷嘴固定部125具有上下贯通第一凸缘部23的流路125a。流路125a在下游侧的端部与喷嘴123连通。接合部126将喷嘴固定部125与配管部113连结。接合部126具有在上下方向延伸的流路126a。流路126a在上游侧的端部与配管部113连通，在下游侧的端部与流路125a连通。配管部113经由阀116及流量调节器117与IPA蒸汽发生器115连接。IPA蒸汽发生器115与IPA供给源114a及热N2气体供给源114b连接。

在喷嘴固定部125和第一凸缘部23的间隙设有密封部件127。密封部件127例如是O型环，用于抑制干燥用流体从喷嘴固定部125与第一凸缘部23的间隙泄漏。另外，在第一凸缘部23的上表面即与盖部30A的第二凸缘部36A相对的面设有密封部件128。密封部件128例如是唇形密封件，设置于比喷嘴固定部125靠第一凸缘部23的外周侧处。

盖部30A包括扩散室32、整流部件34和压损部件35。在盖部30A上未设置下游侧路径部120即连接部121、接合部122和喷嘴123。

在变形例的基片干燥装置2A中，如图15所示，盖部30A因第一升降机构31下降而配置于封闭位置，由此成为喷嘴123被配置于扩散室32内的状态。由此，使得从IPA蒸汽发生器115供给的IPA蒸汽或热N2气体从喷嘴123被供给到扩散室32内。这样，喷嘴123也可以设置于处理室20A。

在上述的实施方式和变形例中，对基片干燥装置2、2A具有喷嘴123的情况的例进行了说明，不过基片干燥装置2、2A不一定必须包括喷嘴123。例如，也可以为基片干燥装置2将干燥用流体从接合部122的流路122a直接供给到扩散室32内。另外，也可以为基片干燥装置2A将干燥用流体从喷嘴固定部125的流路125a直接供给到扩散室32内。

进一步的效果或变形例可由本领域技术人员容易地导出。因此，本发明的更宽泛的方式不限于如上表示且记载的特定的详细内容和代表性的实施方式。因此，只要不超出由随附的权利要求书及其等同物所定义的总体的发明的概念的精神或范围，就能够进行各种改变。