微发光二极管阵列基板的制作方法与流程

本发明涉及显示技术领域，具体地，涉及微发光二极管阵列基板的制作方法。

背景技术：

目前，微发光二极管(micro-led)显示受到越来越多的关注，微发光二极管显示屏具有省电特质，适合应用于增强现实(ar)/虚拟显示(vr)头盔以及智慧表等穿戴式装置，也适合应用于户外显示看板、平视显示器(hud)等。另外，微发光二极管显示屏在车尾灯、无线光通讯li-fi、投影机等领域同样具有可期的应用前景。微发光二极管主要通过将传统发光二极管晶体薄膜用微缩制程技术进行微缩化、阵列化、薄膜化，然后通过转移技术将晶体薄膜批量转移到驱动电路基板上，利用物理沉积制造保护层，最后完成封装。然而，目前的转移技术难以高效率的制备大尺寸且为彩色显示的微发光二极管显示装置。

因此，目前的微发光二极管阵列基板的制作方法仍有待改进。

技术实现要素：

本发明旨在至少一定程度上缓解或解决上述提及问题中至少一个。

在本发明的一个方面，本发明提出了一种微发光二极管阵列基板的制作方法。该方法包括：提供基板，所述基板上具有多个阵列排布的像素单元，所述像素单元包括多个用于承接不同颜色微发光二极管的子像素区域，不同颜色的所述微发光二极管的磊晶层厚度不同；提供第一基板，所述第一基板上具有多个阵列排布且颜色相同的微发光二极管，并将所述第一基板上的所述微发光二极管整体转移到所述基板上与所述微发光二极管颜色相同的所述子像素区域处；按照所述微发光二极管的磊晶层厚度依次增大的顺序，多次重复转移所述第一基板上的微发光二极管的步骤，直至所述像素单元中的多个所述子像素区域均设置有颜色与之对应的所述微发光二极管。由此，该方法具有效率高的优点，且由该方法制作出的微发光二极管阵列基板可以实现彩色化显示。

根据本发明的实施例，位于所述第一基板上，且与位于同一行且相邻的两个所述像素单元相对应的两个所述微发光二极管之间，具有留白区域。由此，可以使微发光二极管与颜色相同的子像素区域相对应，便于将微发光二极管设置在颜色相同的子像素区域处。

根据本发明的实施例，具有相同颜色的所述微发光二极管和所述子像素区域中，所述子像素区域的总个数为每个所述第一基板上所述微发光二极管总个数的整数倍。由此，可以实现大尺寸微发光二极管阵列基板的制备，增加微发光二极管阵列基板的应用场景。

根据本发明的实施例，所述微发光二极管包括蓝光微发光二极管、绿光微发光二极管或者红光微发光二极管，所述方法包括：首先整体转移所述第一基板上的所述蓝光微发光二极管，随后整体转移所述第一基板上的所述绿光微发光二极管，最后整体转移所述第一基板上的所述红光微发光二极管。由此，使用三原色像素设计可以实现彩色显示，且按照磊晶层由薄到厚的顺序依次转移蓝光、绿光、红光微发光二极管，可以防止在先转移的微发光二极管受到在后转移的微发光二极管的挤压而遭到损坏。

根据本发明的实施例，所述蓝光微发光二极管以及所述绿光微发光二极管是通过以下步骤形成的：在所述第一基板上生长用于形成所述蓝光微发光二极管或者所述绿光微发光二极管的半导体材料层；基于所述半导体材料层，利用构图工艺形成多个阵列排布的所述磊晶层；在所述磊晶层远离所述第一基板的一侧设置第一电极和第二电极，所述第一电极的面积大于所述第二电极的面积。由此，利用简单的方法即可获得蓝光微发光二极管以及绿光微发光二极管。

根据本发明的实施例，所述红光微发光二极管是通过以下步骤形成的：在第二基板上生长用于形成所述红光微发光二极管的半导体材料层；将所述第二基板上的所述半导体材料层，转移到所述第一基板上，并去除所述第二基板；基于所述第一基板上的所述半导体材料层，利用构图工艺形成多个阵列排布的所述磊晶层；在所述磊晶层远离所述第一基板的一侧设置第一电极和第二电极，所述第一电极的面积大于所述第二电极的面积。由此，利用简单的方法即可获得具有倒装结构的红光微发光二极管。

根据本发明的实施例，该方法进一步包括：在所述微发光二极管的出光侧设置分布式布拉格反射介质膜，所述分布式布拉格反射介质膜的反射率小于所述微发光二极管中所述第一电极的反射率。由此，可以获得谐振腔微发光二极管，谐振腔微发光二极管的光输出方向性好，发散角小，从而可以减少应用该微发光二极管阵列基板的显示装置中不同颜色微发光二极管之间的影响，提高微发光二极管显示装置的显色纯度。

根据本发明的实施例，所述分布式布拉格反射介质膜由多个周期交替排列的亚层构成，所述亚层包括五氧化二钽以及氧化硅。由此，可以利用上述材料形成分布式布拉格反射介质膜，有利于增强分布式布拉格反射介质膜与第一电极之间的谐振作用。

根据本发明的实施例，所述亚层的厚度为λ/4n，其中λ为量子阱发光中心波长，n为构成所述亚层的材料的折射率。由此，可以进一步增强分布式布拉格反射介质膜与第一电极之间的谐振作用。

根据本发明的实施例，剥离所述第一基板的方法包括湿法刻蚀、干法刻蚀以及激光剥离。由此，利用简单的方法即可将第一基板剥离掉。

附图说明

本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1显示了根据本发明一个实施例的制作微发光二极管阵列基板方法的流程示意图；

图2显示了根据本发明一个实施例的制作微发光二极管阵列基板方法的部分流程示意图；

图3显示了根据本发明另一个实施例的制作微发光二极管阵列基板方法的部分流程示意图；

图4显示了根据本发明另一个实施例的制作微发光二极管阵列基板方法的部分流程示意图；

图5显示了根据本发明一个实施例的微发光二极管阵列基板的结构示意图；以及

图6显示了根据本发明另一个实施例的微发光二极管阵列基板的结构示意图。

附图标记说明：

100：第一基板；200：微发光二极管；210：半导体材料层；220：磊晶层；230：第一电极；240：第二电极；300：基板；310：第一显示区域；320：第二显示区域；400：分布式布拉格反射介质膜；10：第一子像素区域；20：第二子像素区域；30：第三子像素区域；40：留白区域；50：驱动电路电极。

具体实施方式

下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。

在本发明的一个方面，本发明提出了一种微发光二极管阵列基板的制作方法。目前，制作微发光二极管阵列基板的方法存在效率低或者无法制作大尺寸、彩色微发光二极管阵列基板的问题，也即是说，目前制作微发光二极管阵列基板的方法无法高效率的制作出大尺寸且为彩色的微发光二极管阵列基板。具体的，目前制作微发光二极管阵列基板的方法主要包括芯片键合方式(pickandplace)以及晶圆键合方式(waferbonding)。

其中，芯片键合方式是首先将传统发光二极管制作成微米等级的微发光二极管，随后将微发光二极管与生长基板分离开，最后利用表面贴装技术(smt)将微发光二极管一颗一颗键接于驱动电路基板上，对微发光二极管进行转送以便将其间距调整到所需显示像素的密度。该方式存在两个技术难点：第一，由于微发光二极管尺寸极小，需要非常精细化的操作技术。第二，由于一次转移需要移动几万乃至几百万颗微发光二极管，以hd产品为例，分辨率为720×1280，则需要转移720×3×1280＝2764800颗微发光二极管，数量巨大，效率低下，需要新技术满足该要求。

而晶圆键合方式是首先将传统发光二极管制作成微米等级的微发光二极管，随后将微发光二极管(连同生长基板)直接键接于驱动电路基板上，最后剥离生长基板，将微发光二极管键合于驱动电路基板上形成显示像素。该方式无需一颗一颗进行转送，可提高微发光二极管的转移效率，但是由于生长微发光二极管的基板(蓝宝石或gan衬底)尺寸通常为4英寸或更小，所以该方式一般被用来制作小尺寸的显示装置，例如，用于近眼式或投影显示应用的微型显示装置。此外，由于发光二极管具有不同的波长范围，目前的技术还不能在单一基板上产生全彩色的微发光二极管，也即是说，利用晶圆键合的方式难以实现全彩色微发光二极管阵列基板的制作。尽管现有技术有通过将彩色滤光片应用于单色微发光二极管显示面板来生产全彩色微发光二极管显示屏的方法，但该种方法提供的发光效率不高。因此，仍无法有效的实现大尺寸、全彩色微发光二极管阵列基板的制作。

根据本发明的实施例，该方法首先在第一基板上制作具有同种颜色的微发光二极管，再按照微发光二极管磊晶层由薄到厚的顺序依次转移微发光二极管(连同第一基板)，使得基板上不同颜色的子像素区域均设置有颜色与之对应的微发光二极管，获得具有不同颜色的像素阵列，该方法可以高效率的获得彩色微发光二极管阵列基板。

根据本发明的实施例，参考图1，该方法包括：

s100：提供基板，基板上具有多个阵列排布的像素单元，像素单元包括多个用于承接不同颜色微发光二极管的子像素区域

根据本发明的实施例，在该步骤中，提供基板。根据本发明的实施例，该基板上具有多个阵列排布的像素单元，每个像素单元包括多个用于承接不同颜色微发光二极管的子像素区域。由此，经后续步骤在上述子像素区域设置颜色与之对应的微发光二极管之后，可以在基板上形成彩色的像素阵列，从而可以获得彩色微发光二极管阵列基板。

根据本发明的实施例，参考图6，基板300上设置有驱动电路电极50，在后续步骤中可以利用驱动电路电极50实现与微发光二极管200的键合。根据本发明的实施例，基板300可以为低温多晶硅(ltps)或者金属氧化物(igzo)薄膜晶体管阵列。

s200：提供第一基板，第一基板上具有多个阵列排布且颜色相同的微发光二极管，并将第一基板上的微发光二极管整体转移到基板上与微发光二极管颜色相同的子像素区域处

根据本发明的实施例，在该步骤中，提供第一基板，并将第一基板上的微发光二极管整体转移到基板上。根据本发明的实施例，第一基板上具有多个阵列排布且颜色相同的微发光二极管，通过电极键合将第一基板上的微发光二极管转移到基板上与该微发光二极管颜色相同的子像素处。上述转移过程，连同第一基板一起将微发光二极管转移到基板上，后续再将第一基板去除，可以实现第一基板上微发光二极管的整体转移，具有较高的转移效率。

关于第一基板上颜色相同的微发光二极管的具体颜色不受特别限制，本领域技术人员可以根据实际颜色的需要进行设计。例如，根据本发明的实施例，微发光二极管可以包括蓝光微发光二极管、绿光微发光二极管或者红光微发光二极管。

根据本发明的实施例，参考图2中的(c)，位于第一基板100上，且与位于同一行且相邻的两个像素单元相对应的两个微发光二极管200之间，具有留白区域40。由此，可以使微发光二极管与颜色相同的子像素区域相对应，便于将微发光二极管设置在颜色相同的子像素区域处。

具体的，以微发光二极管包括蓝光微发光二极管、绿光微发光二极管或者红光微发光二极管为例，令第一基板100上与位于同一行且相邻的两个像素单元相对应的两个微发光二极管200之间具有留白区域40，此时，可以使蓝光微发光二极管200a与颜色为蓝色的第一子像素区域10相对应，便于将蓝光微发光二极管200a设置在蓝色的第一子像素区域10处(如图2中的(c)所示)。或者，可以使绿光微发光二极管200b与颜色为绿色的第二子像素区域20相对应，便于将绿光微发光二极管200b设置在绿色的第二子像素区域20处(如图3中的(c)所示)。或者，可以使红光微发光二极管200c与颜色为红色的第三子像素区域30相对应，便于将红光微发光二极管200c设置在红色的第三子像素区域30处(如图4中的(c)所示)。

也即是说，基板300上与第一基板100上相邻两个蓝光微发光二极管200a之间的留白区域40相对应的区域，为设置绿光微发光二极管200b和红光微发光二极管200c的区域。基板300上与第一基板100上相邻两个绿光微发光二极管200b之间的留白区域40相对应的区域，为设置蓝光微发光二极管200a和红光微发光二极管200c的区域。基板300上与第一基板100上相邻两个红光微发光二极管200c之间的留白区域40相对应的区域，为设置蓝光微发光二极管200a和绿光微发光二极管200b的区域。也即是说，在第一基板上制作微发光二极管时，便将相邻两个微发光二极管之间的距离，和颜色与之对应且相邻的两个子像素区域之间的距离设置为一致，同时将微发光二极管的大小和颜色与之对应的子像素区域的大小设置为一致，便于转移过程直接将微发光二极管设置在颜色相同的子像素区域处。

换句话说，基板上的像素单元成行成列排布，且每个像素单元中设置有多个子像素区域，以红绿蓝子像素构成的像素单元为例，同一行相邻两个像素单元中颜色相同的子像素之间留有设置另外两种子像素的区域，例如，同一行相邻两个像素单元中的蓝色子像素之间留有设置绿色子像素和红色子像素的区域，上述区域与第一基板上相邻两个蓝光微发光二极管之间的留白区域一致。也即是说，第一基板上只在与相应子像素区域对应的位置处设置微发光二极管，例如，设置蓝光微发光二极管的第一基板上，只在与蓝色子像素相对应的位置处设置蓝光微发光二极管，在与红色、绿色子像素区域相对应的位置处不设置蓝光微发光二极管，由此，便于转移过程直接将微发光二极管设置在颜色相同的子像素区域处。

根据本发明的实施例，红光微发光二极管为倒装结构，蓝光微发光二极管以及绿光微发光二极管可以为倒装结构，还可以为正装结构，只要上述微发光二极管的两个电极均位于微发光二极管的同一侧即可，由此，可以将两个电极键合到驱动电路电极上，便于实现微发光二极管的转移。具体的，参考图6，微发光二极管200可以包括磊晶层220以及设置在磊晶层220一侧的第一电极230和第二电极240，在转移微发光二极管200的过程中，可以利用第一电极230和第二电极240与基板300上的驱动电路电极50键合，以便将微发光二极管设置在基板上。

根据本发明的实施例，参考图2，蓝光微发光二极管可以是通过以下步骤形成的：首先，在第一基板100上生长用于形成蓝光微发光二极管的半导体材料层210a(如图2中的(a)所示)，随后，基于半导体材料层210a，利用构图工艺形成多个阵列排布的磊晶层，最后，在磊晶层远离第一基板100的一侧设置第一电极和第二电极，且第一电极的面积大于第二电极的面积，以获得蓝光微发光二极管200a(如图2中的(b)所示)。由此，利用简单的方法即可获得蓝光微发光二极管。

根据本发明的实施例，参考图3，类似的，绿光微发光二极管可以通过以下步骤形成：首先，在第一基板100上生长用于形成绿光微发光二极管的半导体材料层210b(如图3中的(a)所示)，随后，基于半导体材料层210b，利用构图工艺形成多个阵列排布的磊晶层，最后，在磊晶层远离第一基板100的一侧设置第一电极和第二电极，且第一电极的面积大于第二电极的面积，以获得绿光微发光二极管200b(如图3中的(b)所示)。由此，利用简单的方法即可获得绿光微发光二极管。

根据本发明的实施例，用于生长蓝光微发光二极管以及绿光微发光二极管的第一基板为绝缘基板，具体的，可以为蓝宝石基板。由此，可以为蓝光微发光二极管以及绿光微发光二极管的制备提供良好的衬底。

关于红光微发光二极管的制作方法不受特别限制，只要可以获得具有倒装结构的红光微发光二极管即可，本领域技术人员可以根据具体情况进行设计。例如，根据本发明的实施例，参考图4，红光微发光二极管可以是通过以下步骤形成的：首先，在第二基板上生长用于形成红光微发光二极管的半导体材料层，随后，将第二基板上的半导体材料层转移到第一基板100上，并去除第二基板，随后，基于第一基板100上的半导体材料层210c(如图4中的(a)所示)，利用构图工艺形成多个阵列排布的磊晶层，最后，在磊晶层远离第一基板100的一侧设置第一电极和第二电极，且第一电极的面积大于第二电极的面积，以获得红光微发光二极管200c(如图4中的(b)所示)。由此，利用简单的方法即可获得具有倒装结构的红光微发光二极管。

关于第二基板的具体材料不受特别限制，只要可以用于生长红光微发光二极管即可，本领域技术人员可以根据具体情况进行设计。例如，根据本发明的实施例，用于生长红光微发光二极管的第二基板可以为砷化镓基板，后续用于设置红光微发光二极管的第一基板为绝缘基板，具体的，可以为硅基板或者陶瓷基板。由此，可以为红光微发光二极管的制备提供良好的衬底。根据本发明的实施例，可以采用腐蚀的方法去除第二基板。

根据本发明的实施例，在将第一基板上的微发光二极管转移到基板上对应的子像素区域之后，该方法还包括将第一基板剥离掉，以完成微发光二极管的转移过程。根据本发明的实施例，剥离第一基板的方法可以包括湿法刻蚀、干法刻蚀以及激光剥离。具体的，第一基板为蓝宝石基板时，可以采用激光剥离的方法，第一基板为硅基板或者陶瓷基板时，可以采用湿法刻蚀、干法刻蚀或者激光剥离的方法。

根据本发明的实施例，不同颜色微发光二极管的磊晶层的厚度不同，具体的，蓝光微发光二极管、绿光微发光二极管以及红光微发光二极管的磊晶层厚度依次增大。由此，在转移过程中，通过先转移磊晶层厚度较薄的微发光二极管，再转移磊晶层厚度较厚的微发光二极管，可以防止在先转移的微发光二极管受到在后转移的微发光二极管的挤压而遭到损坏，可以简单且高效率的完成彩色微发光二极管阵列基板的制备。

s300：按照微发光二极管磊晶层厚度依次增大的顺序，多次重复转移第一基板上的微发光二极管的步骤，直至像素单元中的多个子像素区域均设置有颜色与之对应的微发光二极管

根据本发明的实施例，在该步骤中，按照微发光二极管磊晶层厚度依次增大的顺序，多次重复转移第一基板上的微发光二极管的步骤，直至像素单元中的多个子像素区域均设置有颜色与之对应的微发光二极管。由此，在转移过程中，可以防止在先转移的微发光二极管受到在后转移的微发光二极管的挤压而遭到损坏，以完成彩色微发光二极管阵列基板的制备。

根据本发明的实施例，以微发光二极管包括蓝光、绿光、红光微发光二极管为例，蓝光、绿光、红光微发光二极管磊晶层的厚度依次增大，转移微发光二极管的过程如下：

首先，参考图2中的(c)，将第一基板100上制备好的蓝光微发光二极管200a，整体转移到基板300上与蓝光微发光二极管200a颜色相对应的第一子像素区域10处，获得仅设置有蓝光微发光二极管200a的基板300(如图2中的(d)所示)，其中，第一基板100上相邻两个蓝光微发光二极管200a之间具有留白区域40，基板300上与上述留白区域40相对应的区域用于设置绿光微发光二极管200b以及红光微发光二极管200c。

随后，参考图3中的(c)，将第一基板100上制备好的绿光微发光二极管200b，整体转200a的基板300上，且与绿光微发光二极管200b颜色相对应的第二子像素区域20处，获得设置有蓝光微发光二极管200a和绿光微发光二极管200b的基板300(如图3中的(d)所示)，其中，第一基板100上相邻两个绿光微发光二极管200b之间具有留白区域40，基板300上与上述留白区域40相对应的区域用于设置蓝光微发光二极管200a以及红光微发光二极管200c。

随后，参考图4中的(c)，将第一基板100上制备好的红光微发光二极管200c，整体转移到设置有蓝光微发光二极管200a和绿光微发光二极管200b的基板300上，且与红光微发光二极管200c颜色相对应的第三子像素区域30处，获得设置有蓝光微发光二极管200a、绿光微发光二极管200b和红光微发光二极管200c的基板300(如图4中的(d)所示)，其中，第一基板100上相邻两个红光微发光二极管200c之间具有留白区域40，基板300上与上述留白区域40相对应的区域用于设置蓝光微发光二极管200a以及绿光微发光二极管200b。

根据本发明的实施例，具有相同颜色的微发光二极管和子像素区域中，子像素区域的总个数可以为每个第一基板上微发光二极管总个数的整数倍。也即是说，可以将基板上的显示区域划分为多个大小相同的子显示区域，按照根据本发明实施例的方法分别在每个子显示区域中转移不同颜色的微发光二极管，以获得大尺寸且为彩色的微发光二极管阵列基板，增加微发光二极管阵列基板的应用场景。

根据本发明的实施例，子显示区域的大小可以与第一基板的大小一致，关于基板上子显示区域的个数可以根据实际阵列基板的大小进行设计。例如，根据本发明的实施例，参考图5，基板300上的显示区域可以被划分为两个，具体的，为第一显示区域310和第二显示区域320，按照上述方法分别在第一显示区域310和第二显示区域320中设置微发光二极管，以实现大尺寸、彩色微发光二极管阵列基板的制备。

此外，发明人发现，当用光照射微发光二极管的半导体材料层时，光子可以被半导体材料层吸收并产生该半导体材料层对应颜色的光，也有可能穿透半导体材料层。对于红绿蓝(rgb)三色微发光二极管而言，蓝光光子能量大于绿光光子能量，绿光光子能量大于红光光子能量，所以当显示装置只显示蓝光时，蓝光微发光二极管四周射出的光线会被周边的绿光微发光二极管以及红光微发光二极管的半导体材料层吸收，产生微弱的绿光以及红光，造成微发光二极管显示装置显色不纯的问题。

根据本发明的实施例，在基板上相应子像素区域设置微发光二极管之后，该方法还可以包括：在微发光二极管的出光侧设置分布式布拉格反射介质膜，该分布式布拉格反射介质膜的反射率小于微发光二极管中第一电极的反射率。由此，分布式布拉格反射介质膜和第一电极可构成谐振腔，获得谐振腔微发光二极管，谐振腔微发光二极管的光输出方向性好，发散角小，从而可以减少应用该微发光二极管阵列基板的显示装置中不同颜色微发光二极管之间的影响，提高微发光二极管显示装置的显色纯度。

具体的，参考图6，分布式布拉格反射介质膜400设置在微发光二极管200的出光侧，分布式布拉格反射介质膜400与第一电极230构成谐振腔，以提高微发光二极管显示装置的显色纯度。

关于设置分布式布拉格反射介质膜的方法不受特别限制，例如，根据本发明的实施例，可以采用蒸镀的方式在微发光二极管的出光侧形成分布式布拉格反射介质膜。

根据本发明的实施例，分布式布拉格反射介质膜可以由多个周期交替排列的亚层构成，亚层可以包括五氧化二钽以及氧化硅。由此，可以利用上述材料形成分布式布拉格反射介质膜，有利于增强分布式布拉格反射介质膜与第一电极之间的谐振作用。

根据本发明的实施例，亚层的厚度可以为λ/4n，其中，λ为量子阱发光中心波长，n为构成亚层的材料的折射率。由此，可以进一步增强分布式布拉格反射介质膜与第一电极之间的谐振作用，提高微发光二极管显示装置的显色纯度。

在本发明的另一方面，本发明提出了一种微发光二极管阵列基板。根据本发明的实施例，该微发光二极管阵列基板是由前面描述的方法制作的。由此，该微发光二极管阵列基板具有前面描述的方法制作的微发光二极管阵列基板的全部特征以及优点，在此不再赘述。总的来说，该微发光二极管阵列基板可实现彩色化显示，且制备过程效率高。

在本发明的另一方面，本发明提出了一种微发光二极管显示装置。根据本发明的实施例，该微发光二极管显示装置包括前面描述的微发光二极管阵列基板。由此，该微发光二极管显示装置具有前面描述的微发光二极管阵列基板的全部特征以及优点，在此不再赘述。总的来说，该微发光二极管显示装置可以实现彩色化显示。

在本发明的描述中，术语“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明而不是要求本发明必须以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“另一个实施例”等的描述意指结合该实施例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。另外，需要说明的是，本说明书中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。

尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。