本发明属于光伏技术领域，具体涉及一种提高氮化硅钝化性能的方法。
背景技术：
氮化硅是半导体和光伏行业广泛使用，历史悠久的一种表面钝化材料。例如在perc电池的生产中，perc电池的生产流程包括：沉积背面钝化层，然后开口以形成背面接触，这是比常规光伏电池生产流程多出来的两个重要步骤。硅片内部和硅片表面的杂质及缺陷会对光伏电池的性能造成负面影响，钝化工序就是通过降低表面载流子的复合来减小缺陷带来的影响，从而保证电池的效率，因此对氮化硅钝化性能改善方案的研究一直都没有停止过。但是现有的技术手段都是通过调整氮化硅的沉积条件对氮化硅的钝化性能进行优化。
技术实现要素：
为了解决上述问题，本发明提供了一种提高氮化硅钝化性能的方法，提高氮化硅的钝化性能。
本发明的技术方案为：一种提高氮化硅钝化性能的方法，包括以下步骤：
a.在氮化硅沉积完成以后，太阳电池半成品继续留在反应腔体内；
b.在反应腔体内停止通入硅烷，使用等离子微波源对氮化硅进行轰击。
本发明中对于太阳电池半成品(例如perc电池)，若在氮化硅沉积前进行等离子轰击可以提升表面钝化性能，但是同时会破坏表面的氧化层，导致pid失效；但是本发明通过大量实验发现，在氮化硅沉积后进行等离子轰击，并不会影响电池的抗pid性能。
本发明中对于多层氮化硅结构，可以在第一层氮化硅沉积完以后就进行等离子轰击处理，也可以在任意一层氮化硅沉积完成以后进行等离子轰击处理，作为优选，在第一层氮化硅沉积完成后进行等离子轰击处理。此种处理效果最好。
等离子微波源的功率、频率以及轰击时间是相互关联的，在一定频率下，等离子微波源功率越大，所需的轰击时间越短。在一定的等离子微波源频率和功率下，存在最佳的轰击时间，时间太长和太短都会影响效果。作为优选，所述等离子微波源的功率为100～9000w，轰击时间为20～500s。
作为进一步优选，所述等离子微波源的功率为6400w，轰击时间为240s。
反应腔体内的温度内的温度对于等离子微波源的轰击效果也有着很重要的影响，作为优选，所述反应腔体内的温度为450～600℃。
作为进一步优选，所述反应腔体内的温度为500℃。
作为优选，所述步骤b中，反应腔体内停止通入硅烷，通入氮气或者在真空下，使用等离子微波源对氮化硅进行轰击。
本发明中可以用氮气辅助或者在真空下采用等离子微波源进行轰击，但是效果没有氨气辅助条件下好，作为优选，所述步骤b中，反应腔体内停止通入硅烷，通入氨气，使用等离子微波源对氮化硅进行轰击。
作为优选，所述氨气的流量为500～9000sccm。
作为进一步优选，所述氨气的流量为5000sccm。
与现有技术相比，本发明的有益效果体现在：
本发明中在氮化硅沉积后进行等离子轰击，并不会影响电池的抗pid性能，并且在管式pecvd和板式pecvd机台中得到的效果几乎相同，对perc电池效率均有0.05％以上的提升。
具体实施方式
实施例1
一种提高氮化硅钝化性能的方法，包括以下步骤：
a.在氮化硅沉积完成以后，太阳电池半成品继续留在反应腔体内；
b.反应腔体内停止通入硅烷，通入氨气，使用等离子微波源对氮化硅进行轰击。
其中，等离子微波源的功率为6400w，轰击时间为240s，反应腔体内的温度为500℃，氨气的流量为5000sccm。
实施例2
一种提高氮化硅钝化性能的方法，包括以下步骤：
a.在氮化硅沉积完成以后，太阳电池半成品继续留在反应腔体内；
b.在反应腔体内停止通入硅烷，通入氮气，使用等离子微波源对氮化硅进行轰击；
其中，等离子微波源的功率为6400w，轰击时间为240s，反应腔体内的温度为500℃，氮气的流量为5000sccm。
实施例3
一种提高氮化硅钝化性能的方法，包括以下步骤：
a.在氮化硅沉积完成以后，太阳电池半成品继续留在反应腔体内；
b.在反应腔体内停止通入硅烷，真空条件下，使用等离子微波源对氮化硅进行轰击；
其中，等离子微波源的功率为6400w，轰击时间为240s，反应腔体内的温度为500℃。