碲锌镉晶体的电感耦合等离子体刻蚀工艺方法与流程

本发明涉及一种半导体材料刻蚀工艺方法，特别是涉及一种碲锌镉材料的刻蚀工艺方法，应用于无机非金属材料制造工艺技术领域。

背景技术：

碲锌镉(cdznte)简称czt，作为一种优良的ii-vi化合物半导体，具有较大的带隙和原子序数，对高能辐射具有更强的阻挡能力和强大的抗辐射能力，可以用来探测高能粒子射线，例如γ射线和x射线等，可用于核辐射探测器。cdznte具有较高的电阻率、较高的载流子输运特性和较小的位错密度，因此cdznte晶体探测器在室温条件下有较小的漏电流和噪声，保证了cdznte探测器的电荷收集率和能量分辨率维持在较高的水平范围上，基于cdznte的辐射探测器具有广泛的应用领域，在基础科学、安全检测、空间研究、医疗诊断以及工业探伤等领域提供了新的探测技术途径。

在半导体器件工艺中，刻蚀具有重要作用，可以用来制作半导体微器件和对半导体材料进行表面处理。电感耦合等离子体刻蚀(inductivelycoupledplasma,icp)刻蚀是常见的干法刻蚀的一种，干法刻蚀可以满足更高的精度要求，icp刻蚀具有刻蚀速度快、操作简单、选择比高、刻蚀损伤小、大面积均匀好、刻蚀表面平整光滑等优点，近年来，icp刻蚀技术被广泛应用在硅、二氧化硅、ⅲ-ⅴ族化合物等材料的刻蚀上，并且应用在集成电路领域，mems以及光电子器件等微结构上，取得了不错的刻蚀效果。在国内外，cdznte材料的icp刻蚀工艺研究仍是个空白，因此对cdznte材料的icp刻蚀工艺研究具有重要意义。

技术实现要素：

为了解决现有技术问题，本发明的目的在于克服已有技术存在的不足，提供一种碲锌镉晶体的电感耦合等离子体刻蚀工艺方法，在衬底上的cdznte晶体上，采用电感耦合等离子体刻蚀法，对cdznte材料的表面处理和形成结构形貌提供了有效的方法，从而增加探测器的性能。本发明的方法对于公共安全、军事、核工业、核医学、科学研究以及航空航天等领域安全监控、辐射防护方面具有重要意义和应用前景。

为达到上述目的，本发明采用如下技术方案：

一种碲锌镉晶体的电感耦合等离子体刻蚀工艺方法，包括如下步骤：

(1)cdznte晶体的机械抛光预处理：

在准备好cdznte晶体材料之后，采用机械抛光的方法，减小cdznte晶体材料表面的粗糙度，用0.05～1.0μm粒度的氧化铝抛光粉配成的抛光液，对cdznte晶体材料表面进行抛光1～2h，直到肉眼可见cdznte晶体材料表面光滑，且cdznte晶体材料表面光线如镜面反射，并且cdznte晶体材料表面无颗粒状形态，然后将机械抛光后的cdznte晶体材料进行清洗，然后用氮气吹干，得到洁净的cdznte晶体材料；在刻蚀前优选采用碲锌镉晶体的结构为衬底-半导体的组合形式；

(2)cdznte晶体的匀胶光刻过程：

采用半导体材料的光刻工艺，在所述步骤(1)中制备所得的洁净的cdznte晶体材料表面进行光刻；当进行光刻时，准备正胶光刻胶，使用匀胶机涂胶，控制前烘后烘总时间为5～30min，并采用深紫外线曝光，控制曝光时间8～10s，控制显影时间为10-20s，得到光刻处理的cdznte材料，然后进行清洗，取出干燥，得到光刻处理的cdznte材料；

(3)cdznte晶体的电感耦合等离子体刻蚀工艺过程：

采用电感耦合等离子体刻蚀刻蚀的方法，在所述步骤(2)光刻后得到的光刻处理的cdznte材料表面进行刻蚀，采用sf6和ar气为刻蚀源气体，控制刻蚀腔环境的真空度不大于1.0×10^-4pa；控制射频电源频率为13.56mhz，控制刻蚀腔体气压为1～2pa，控制射频功率rf1为600w，射频功率源rf2为150w，控制调整ar和sf6不同的气体流量及比例达到不同的刻蚀效果，控制刻蚀时间为45～180min，待电感耦合等离子体刻蚀过程结束后，取出cdznte材料，得到薄膜碲锌镉晶体材料器件。

作为本发明优选的技术方案，在所述步骤(1)中，所述cdznte晶体材料采用衬底-半导体的结构的组合形式复合薄膜材料，具有依次由衬底层和cdznte晶体层两部分进行层叠组装结合的结构。

作为本发明优选的技术方案，在所述步骤(1)中，采用精密机械磨抛机，在cdznte晶体材料表面上进行抛光处理。

作为本发明优选的技术方案，在所述步骤(3)中，控制ar和sf6的气体体积比为1：(1～2)。

作为本发明优选的技术方案，在所述步骤(3)中，控制ar的气体流量不低于40sccm。

作为本发明优选的技术方案，在所述步骤(3)中，采用电感耦合等离子体刻蚀的刻蚀工艺进行cdznte晶体刻蚀，控制刻蚀时间为45～180min。

作为本发明优选的技术方案，在所述步骤(3)中，得到薄膜碲锌镉晶体材料器件的衬底厚度不低于2mm，cdznte晶体厚度不高于200μm。

本发明与现有技术相比较，具有如下显而易见的突出实质性特点和显著优点：

1.本发明采用电感耦合等离子刻蚀的离子密度高，刻蚀速率更快，让刻蚀后的碲锌镉晶体的刻蚀形貌有更高的精度，更高的选择比并且刻蚀表面平整光滑，本发明方法刻蚀的cdznte晶体的形貌结构远好于其他cdznte加工方法，本发明方法刻蚀后的cdznte晶体的表面粗糙度远小于传统工艺刻蚀的膜；

2.本发明方法对cdznte晶体材料的刻蚀速率远大于传统的刻蚀工艺。

附图说明

图1为本发明实施例一方法采用的碲锌镉晶体的结构图。

图2为本发明实施例一利用电感耦合等离子体刻蚀方法刻蚀cdznte晶体的表面形貌图。

具体实施方式

以下结合具体的实施例子对上述方案做进一步说明,本发明的优选实施例详述如下：

实施例一：

在本实施例中，参见图1，一种碲锌镉晶体的电感耦合等离子体刻蚀工艺方法，所述cdznte材料的结构采用衬底-半导体结构的组合形式，依次由衬底和cdznte晶体两部分进行层叠组装而成。其中fto衬底厚度为2mm，cdznte晶体厚度为200μm。

在本实施例中，参见图1，一种碲锌镉晶体的电感耦合等离子体刻蚀工艺方法，包括如下步骤：

(1)cdznte晶体的机械抛光预处理：

采用cdznte晶体材料采用衬底-半导体的结构的组合形式复合薄膜材料，具有依次由fto衬底层和cdznte晶体层两部分进行层叠组装结合的结构，其中fto衬底厚度为2mm，cdznte晶体厚度为200，参见图1，在准备好cdznte晶体材料之后，用精密机械磨抛机在准备好的原材料抛光，抛光液是用粒径为0.5μm的al2o3磨料和悬浮剂混合而成，进行机械抛光，抛光时研磨压力为115g/cm²，研磨盘转速为80r/min，调整抛光时间为1小时，减小cdznte晶体材料表面的粗糙度，直到肉眼可见cdznte晶体材料表面光滑，且cdznte晶体材料表面光线如镜面反射，并且cdznte晶体材料表面无颗粒状形态，然后将机械抛光后的cdznte晶体材料依次在丙酮、乙醇和去离子水中分别超声清洗15分钟，然后用高纯氮气吹干，得到洁净的cdznte晶体材料；

(2)cdznte晶体的匀胶光刻过程：

采用半导体材料的光刻工艺，在所述步骤(1)中制备所得的洁净的cdznte晶体材料进行前烘5min，然后采用正胶光刻胶，使用匀胶机对cdznte晶体材料进行旋涂正胶，然后进行后烘5min完成匀胶，然后采用深紫外线曝光，对涂有光刻胶的cdznte晶体材料进行曝光光刻10s，控制正胶显影20s，得到光刻处理的cdznte材料，然后进行去离子水清洗10s，取出自然干燥，得到光刻处理的cdznte材料；

(3)cdznte晶体的电感耦合等离子体刻蚀工艺过程：

采用电感耦合等离子体刻蚀刻蚀的方法，在所述步骤(2)光刻后得到的光刻处理的cdznte材料表面进行刻蚀，采用sf6和ar气为刻蚀源气体，控制ar和sf6的气体体积比为1：2，其中ar的气体流量是40sccm，控制刻蚀腔环境的真空度为1.0×10^-4pa；控制射频电源频率为13.56mhz，控制刻蚀腔体气压为2pa，控制射频功率rf1为600w，射频功率源rf2为150w，控制刻蚀时间为45min，待电感耦合等离子体刻蚀过程结束后，取出cdznte材料，得到薄膜碲锌镉晶体材料器件。

实验测试分析：

将本实施例icp刻蚀工艺的碲锌镉材料作为样品进行实验测试，使用扫描电子显微镜，在室温下对本实施例icp刻蚀获得的cdznte晶体进行观测，经观测发现，可以看到经过等离子刻蚀cdznte表面相对于未经任何等离子处理的cdznte表面更干净，表晶体颗粒数大大减小，晶体表面的粗糙度大幅减低，参见图2。刻蚀速率为4μm/h。

本实施例采用了icp刻蚀来改善cdznte晶体的其他刻蚀方法，可以获得比传统生长方法更快的刻蚀速率。此外，相比于其他方法用icp刻蚀cdznte晶体还有几个优势，icp刻蚀是用物理和化学的方法来进行刻蚀，刻蚀具有各向异性，很好地改变了湿法刻蚀中横向钻蚀的问题，满足更小尺度更高要求的刻蚀。让刻蚀后的cdznte晶体的刻蚀形貌有更高的精度，更高的选择比、刻蚀损伤小、大面积均匀好、刻蚀表面平整光滑。

实施例二：

本实施例与实施例一基本相同，特别之处在于：

在本实施例中，一种碲锌镉晶体的电感耦合等离子体刻蚀工艺方法，所述cdznte材料的结构采用衬底-半导体结构的组合形式，依次由衬底和cdznte晶体两部分进行层叠组装而成。其中fto衬底厚度为2mm，cdznte晶体厚度为200μm。

在本实施例中，一种碲锌镉晶体的电感耦合等离子体刻蚀工艺方法，包括如下步骤：

(1)cdznte晶体的机械抛光预处理：

采用cdznte晶体材料采用衬底-半导体的结构的组合形式复合薄膜材料，具有依次由fto衬底层和cdznte晶体层两部分进行层叠组装结合的结构，其中fto衬底厚度为2mm，cdznte晶体厚度为200，在准备好cdznte晶体材料之后，用精密机械磨抛机在准备好的原材料抛光，抛光液是用粒径为0.5μm的al2o3磨料和悬浮剂混合而成，进行机械抛光，抛光时研磨压力为115g/cm²，研磨盘转速为80r/min，调整抛光时间为1小时，减小cdznte晶体材料表面的粗糙度，直到肉眼可见cdznte晶体材料表面光滑，且cdznte晶体材料表面光线如镜面反射，并且cdznte晶体材料表面无颗粒状形态，然后将机械抛光后的cdznte晶体材料依次在丙酮、乙醇和去离子水中分别超声清洗15分钟，然后用高纯氮气吹干，得到洁净的cdznte晶体材料；

(2)cdznte晶体的匀胶光刻过程：

采用半导体材料的光刻工艺，在所述步骤(1)中制备所得的洁净的cdznte晶体材料进行前烘5min，然后采用正胶光刻胶，使用匀胶机对cdznte晶体材料进行旋涂正胶，然后进行后烘5min完成匀胶，然后采用深紫外线曝光，对涂有光刻胶的cdznte晶体材料进行曝光光刻10s，控制正胶显影20s，得到光刻处理的cdznte材料，然后进行去离子水清洗10s，取出自然干燥，得到光刻处理的cdznte材料；

(3)cdznte晶体的电感耦合等离子体刻蚀工艺过程：

采用电感耦合等离子体刻蚀刻蚀的方法，在所述步骤(2)光刻后得到的光刻处理的cdznte材料表面进行刻蚀，采用sf6和ar气为刻蚀源气体，控制ar和sf6的气体体积比为1：1，其中ar的气体流量是40sccm，控制刻蚀腔环境的真空度为1.0×10^-4pa；控制射频电源频率为13.56mhz，控制刻蚀腔体气压为2pa，控制射频功率rf1为600w，射频功率源rf2为150w，控制刻蚀时间为45min，待电感耦合等离子体刻蚀过程结束后，取出cdznte材料，得到薄膜碲锌镉晶体材料器件。

实验测试分析：

将本实施例icp刻蚀工艺的碲锌镉材料作为样品进行实验测试，使用扫描电子显微镜，在室温下对本实施例icp刻蚀获得的cdznte晶体进行观测，经观测发现，可以看到经过离子刻蚀cdznte表面相对于未经任何等离子处理的cdznte表面更干净，表晶体颗粒数大大减小，晶体表面的粗糙度大幅减低。刻蚀速率为6μm/h。

本实施例采用了icp刻蚀来改善cdznte晶体的其他刻蚀方法，可以获得比传统生长方法更快的刻蚀速率。此外，相比于其他方法用icp刻蚀cdznte晶体还有几个优势，icp刻蚀是用物理和化学的方法来进行刻蚀，刻蚀具有各向异性，很好地改变了湿法刻蚀中横向钻蚀的问题，满足更小尺度更高要求的刻蚀。让刻蚀后的cdznte晶体的刻蚀形貌有更高的精度，更高的选择比、刻蚀损伤小、大面积均匀好、刻蚀表面平整光滑。

实施例三：

本实施例与前述实施例基本相同，特别之处在于：

在本实施例中，一种碲锌镉晶体的电感耦合等离子体刻蚀工艺方法，所述cdznte材料的结构采用衬底-半导体结构的组合形式，依次由衬底和cdznte晶体两部分进行层叠组装而成。其中fto衬底厚度为2mm，cdznte晶体厚度为200μm。

在本实施例中，一种碲锌镉晶体的电感耦合等离子体刻蚀工艺方法，包括如下步骤：

(1)cdznte晶体的机械抛光预处理：

采用cdznte晶体材料采用衬底-半导体的结构的组合形式复合薄膜材料，具有依次由fto衬底层和cdznte晶体层两部分进行层叠组装结合的结构，其中fto衬底厚度为2mm，cdznte晶体厚度为200，在准备好cdznte晶体材料之后，用精密机械磨抛机在准备好的原材料抛光，抛光液是用粒径为0.05μm的al2o3磨料和悬浮剂混合而成，进行机械抛光，抛光时研磨压力为115g/cm²，研磨盘转速为80r/min，调整抛光时间为2小时，减小cdznte晶体材料表面的粗糙度，直到肉眼可见cdznte晶体材料表面光滑，且cdznte晶体材料表面光线如镜面反射，并且cdznte晶体材料表面无颗粒状形态，然后将机械抛光后的cdznte晶体材料依次在丙酮、乙醇和去离子水中分别超声清洗15分钟，然后用高纯氮气吹干，得到洁净的cdznte晶体材料；

(2)cdznte晶体的匀胶光刻过程：

采用半导体材料的光刻工艺，在所述步骤(1)中制备所得的洁净的cdznte晶体材料进行前烘2.5min，然后采用正胶光刻胶，使用匀胶机对cdznte晶体材料进行旋涂正胶，然后进行后烘2.5min完成匀胶，然后采用深紫外线曝光，对涂有光刻胶的cdznte晶体材料进行曝光光刻8s，控制正胶显影10s，得到光刻处理的cdznte材料，然后进行去离子水清洗10s，取出自然干燥，得到光刻处理的cdznte材料；

(3)cdznte晶体的电感耦合等离子体刻蚀工艺过程：

采用电感耦合等离子体刻蚀刻蚀的方法，在所述步骤(2)光刻后得到的光刻处理的cdznte材料表面进行刻蚀，采用sf6和ar气为刻蚀源气体，控制ar和sf6的气体体积比为1：1.5，其中ar的气体流量是40sccm，控制刻蚀腔环境的真空度为1.0×10^-4pa；控制射频电源频率为13.56mhz，控制刻蚀腔体气压为1pa，控制射频功率rf1为600w，射频功率源rf2为150w，控制刻蚀时间为30min，待电感耦合等离子体刻蚀过程结束后，取出cdznte材料，得到薄膜碲锌镉晶体材料器件。

实验测试分析：

将本实施例icp刻蚀工艺的碲锌镉材料作为样品进行实验测试，使用扫描电子显微镜，在室温下对本实施例icp刻蚀获得的cdznte晶体进行观测，经观测发现，可以看到经过离子刻蚀cdznte表面相对于未经任何等离子处理的cdznte表面更干净，表晶体颗粒数大大减小，晶体表面的粗糙度大幅减低。刻蚀速率为5μm/h。

本实施例采用了icp刻蚀来改善cdznte晶体的其他刻蚀方法，可以获得比传统生长方法更快的刻蚀速率。此外，相比于其他方法用icp刻蚀cdznte晶体还有几个优势，icp刻蚀是用物理和化学的方法来进行刻蚀，刻蚀具有各向异性，很好地改变了湿法刻蚀中横向钻蚀的问题，满足更小尺度更高要求的刻蚀。让刻蚀后的cdznte晶体的刻蚀形貌有更高的精度，更高的选择比、刻蚀损伤小、大面积均匀好、刻蚀表面平整光滑。

实施例四：

本实施例与前述实施例基本相同，特别之处在于：

在本实施例中，一种碲锌镉晶体的电感耦合等离子体刻蚀工艺方法，所述cdznte材料的结构采用衬底-半导体结构的组合形式，依次由衬底和cdznte晶体两部分进行层叠组装而成。其中fto衬底厚度为2mm，cdznte晶体厚度为200μm。

在本实施例中，一种碲锌镉晶体的电感耦合等离子体刻蚀工艺方法，包括如下步骤：

(1)cdznte晶体的机械抛光预处理：

采用cdznte晶体材料采用衬底-半导体的结构的组合形式复合薄膜材料，具有依次由fto衬底层和cdznte晶体层两部分进行层叠组装结合的结构，其中fto衬底厚度为2mm，cdznte晶体厚度为200，在准备好cdznte晶体材料之后，用精密机械磨抛机在准备好的原材料抛光，抛光液是用粒径为1.0μm的al2o3磨料和悬浮剂混合而成，进行机械抛光，抛光时研磨压力为115g/cm²，研磨盘转速为80r/min，调整抛光时间为1小时，减小cdznte晶体材料表面的粗糙度，直到肉眼可见cdznte晶体材料表面光滑，且cdznte晶体材料表面光线如镜面反射，并且cdznte晶体材料表面无颗粒状形态，然后将机械抛光后的cdznte晶体材料依次在丙酮、乙醇和去离子水中分别超声清洗15分钟，然后用高纯氮气吹干，得到洁净的cdznte晶体材料；

(2)cdznte晶体的匀胶光刻过程：

采用半导体材料的光刻工艺，在所述步骤(1)中制备所得的洁净的cdznte晶体材料进行前烘15min，然后采用正胶光刻胶，使用匀胶机对cdznte晶体材料进行旋涂正胶，然后进行后烘15min完成匀胶，然后采用深紫外线曝光，对涂有光刻胶的cdznte晶体材料进行曝光光刻8s，控制正胶显影20s，得到光刻处理的cdznte材料，然后进行去离子水清洗10s，取出自然干燥，得到光刻处理的cdznte材料；

(3)cdznte晶体的电感耦合等离子体刻蚀工艺过程：

采用电感耦合等离子体刻蚀刻蚀的方法，在所述步骤(2)光刻后得到的光刻处理的cdznte材料表面进行刻蚀，采用sf6和ar气为刻蚀源气体，控制ar和sf6的气体体积比为1：1，其中ar的气体流量是40sccm，控制刻蚀腔环境的真空度为1.0×10^-4pa；控制射频电源频率为13.56mhz，控制刻蚀腔体气压为1pa，控制射频功率rf1为600w，射频功率源rf2为150w，控制刻蚀时间为180min，待电感耦合等离子体刻蚀过程结束后，取出cdznte材料，得到薄膜碲锌镉晶体材料器件。

实验测试分析：

将本实施例icp刻蚀工艺的碲锌镉材料作为样品进行实验测试，使用扫描电子显微镜，在室温下对本实施例icp刻蚀获得的cdznte晶体进行观测，经观测发现，可以看到经过离子刻蚀cdznte表面相对于未经任何等离子处理的cdznte表面更干净，表晶体颗粒数大大减小，晶体表面的粗糙度大幅减低。刻蚀速率为20μm/h。

本实施例采用了icp刻蚀来改善cdznte晶体的其他刻蚀方法，可以获得比传统生长方法更快的刻蚀速率。此外，相比于其他方法用icp刻蚀cdznte晶体还有几个优势，icp刻蚀是用物理和化学的方法来进行刻蚀，刻蚀具有各向异性，很好地改变了湿法刻蚀中横向钻蚀的问题，满足更小尺度更高要求的刻蚀。让刻蚀后的cdznte晶体的刻蚀形貌有更高的精度，更高的选择比、刻蚀损伤小、大面积均匀好、刻蚀表面平整光滑。

实施例五：

一种碲锌镉晶体的电感耦合等离子体刻蚀工艺方法，所述cdznte材料的结构采用衬底-半导体结构的组合形式，依次由衬底和cdznte晶体两部分进行层叠组装而成。其中fto衬底厚度为2mm，cdznte晶体厚度为200μm。

在本实施例中，一种碲锌镉晶体的电感耦合等离子体刻蚀工艺方法，包括如下步骤：

(1)cdznte晶体的机械抛光预处理：

采用cdznte晶体材料采用衬底-半导体的结构的组合形式复合薄膜材料，具有依次由fto衬底层和cdznte晶体层两部分进行层叠组装结合的结构，其中fto衬底厚度为2mm，cdznte晶体厚度为200，在准备好cdznte晶体材料之后，用精密机械磨抛机在准备好的原材料抛光，抛光液是用粒径为0.5μm的al2o3磨料和悬浮剂混合而成，进行机械抛光，抛光时研磨压力为115g/cm²，研磨盘转速为80r/min，调整抛光时间为1小时，减小cdznte晶体材料表面的粗糙度，直到肉眼可见cdznte晶体材料表面光滑，且cdznte晶体材料表面光线如镜面反射，并且cdznte晶体材料表面无颗粒状形态，然后将机械抛光后的cdznte晶体材料依次在丙酮、乙醇和去离子水中分别超声清洗15分钟，然后用高纯氮气吹干，得到洁净的cdznte晶体材料；

(2)cdznte晶体的匀胶光刻过程：

采用半导体材料的光刻工艺，在所述步骤(1)中制备所得的洁净的cdznte晶体材料进行前烘5min，然后采用正胶光刻胶，使用匀胶机对cdznte晶体材料进行旋涂正胶，然后进行后烘5min完成匀胶，然后采用深紫外线曝光，对涂有光刻胶的cdznte晶体材料进行曝光光刻10s，控制正胶显影20s，得到光刻处理的cdznte材料，然后进行去离子水清洗10s，取出自然干燥，得到光刻处理的cdznte材料；

(3)cdznte晶体刻蚀过程：

采用电感耦合等离子体刻蚀刻蚀的方法，在所述步骤(2)光刻后得到的光刻处理的cdznte材料表面进行刻蚀，采用ar气为刻蚀源气体，控制ar的气体流量是40sccm，控制刻蚀腔环境的真空度为1.0×10^-4pa；控制射频电源频率为13.56mhz，控制刻蚀腔体气压为2pa，控制射频功率rf1为600w，射频功率源rf2为150w，控制刻蚀时间为45min，待电感耦合等离子体刻蚀过程结束后，取出cdznte材料，得到薄膜碲锌镉晶体材料样品。

实验测试分析：

将本对比例icp刻蚀工艺的碲锌镉材料作为样品进行实验测试，使用扫描电子显微镜，在室温下对本实施例icp刻蚀获得的cdznte晶体进行观测，经观测发现，可以看到经过等离子刻蚀cdznte表面相对于未经任何等离子处理的cdznte表面更干净，表晶体颗粒数大大减小，晶体表面的粗糙度大幅减低。刻蚀速率为1μm/h；对比例采用单一ar气为刻蚀源气体，刻蚀速率不够理想。

综上所述，上述实施例采用了icp刻蚀来改善cdznte晶体的其他刻蚀方法，可以获得比传统生长方法更快的刻蚀速率。此外，相比于其他方法用icp刻蚀cdznte晶体还有几个优势，icp刻蚀是用物理和化学的方法来进行刻蚀，刻蚀具有各向异性，很好地改变了湿法刻蚀中横向钻蚀的问题，满足更小尺度更高要求的刻蚀。让刻蚀后的cdznte晶体的刻蚀形貌有更高的精度，更高的选择比、刻蚀损伤小、大面积均匀好、刻蚀表面平整光滑。上述实施例碲锌镉晶体的电感耦合等离子体刻蚀工艺方法，在刻蚀前采用碲锌镉晶体的结构采用衬底-半导体的组合形式。上述实施例用sf6和ar作为电感耦合等离子刻蚀的刻蚀气体，与传统的反应离子刻蚀方式相比，电感耦合等离子刻蚀的离子密度高，刻蚀速率更快，让刻蚀后的碲锌镉晶体的刻蚀形貌有更高的精度，更高的选择比并且刻蚀表面平整光滑。本发明刻蚀的晶体材料对于公共安全、军事、核工业、核医学、科学研究以及航空航天等领域安全监控、辐射防护方面具有重要意义和应用前景。

上面对本发明实施例结合附图进行了说明，但本发明不限于上述实施例，还可以根据本发明的发明创造的目的做出多种变化，凡依据本发明技术方案的精神实质和原理下做的改变、修饰、替代、组合或简化，均应为等效的置换方式，只要符合本发明的发明目的，只要不背离本发明碲锌镉晶体的电感耦合等离子体刻蚀工艺方法的技术原理和发明构思，都属于本发明的保护范围。