显示基板及制造方法、显示装置与流程

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种显示基板、一种显示基板的制造方法、一种显示装置。

背景技术：

图1是现有的一种经典的发光二极管型显示基板中的像素电路。像素电路通常呈行列式分布，相邻列像素电路之间通常还会设置沿列方向延伸的数据线以及沿行方向延伸的栅线。该像素电路包括驱动晶体管t0、第一开关晶体管t1、第二开关晶体管t2、驱动电容cst、发光二极管d，外接信号端依次为第一电源端vdd、第二电源端vss、数据输入端data(连接数据线)、第一栅控制信号端g1(连接一条栅线)、第二栅控制信号端g2(连接另一条栅线)。

通常驱动电容cst的其中一个电极会和数据线同层设置，即数据线的侧方会设置驱动电容cst的电极。在刻蚀工艺中微小的工艺偏差即可能造成驱动电容cst的一个电极与数据线之间发生短路不良。

技术实现要素：

本发明至少部分解决现有的显示基板中数据线与驱动电容之间短路风险较高的问题，提供一种显示基板、一种显示基板的制造方法、一种显示装置。

根据本发明第一方面，提供一种显示基板，包括基底和设置在所述基底上的显示功能层，所述显示功能层包括沿相交的第一方向和第二方向排布的多个像素电路、沿所述第二方向延伸的多条数据线，所述像素电路包括驱动电容和驱动晶体管，所述驱动电容的第一极和所述数据线同层设置；所述显示功能层还包括至少一个加强导体结构，每个所述加强导体结构对应一条所述数据线，所述加强导体结构与所述驱动晶体管的栅极同层设置，所述加强导体结构的沿所述第二方向的两端通过第一过孔与对应的数据线电连接，每个所述加强导体结构至少与一个所述驱动电容的第一极相对，所述数据线划分有第一子段和第二子段，所述第一子段的数据线宽度小于所述第二子段的数据线宽度，所述第一子段与所述加强导体结构所对应的所述驱动电容的第一极具有相对区域。

可选地，所述第一过孔连通至所述第二子段。

可选地，所述第一子段沿所述第二方向的两个端点分别超出其所对应的所述驱动电容的第一极的朝向所述第一子段的边界的沿所述第二方向的端点。

可选地，所述第二子段与所述加强导体结构通过层间绝缘层隔开，所述第一子段与所述加强导体结构的背向所述基底的表面直接接触。

可选地，所述加强导体结构中部空缺设置，所述第一子段仅在其沿所述第二方向的两端部分与对应的加强导体结构的背向所述基底的表面接触。

可选地，所述像素电路还包括遮光层、设置在所述遮光层背向所述基底一侧的缓冲层，所述驱动晶体管设置在所述缓冲层背向所述基底一侧，所述驱动晶体管的第一极通过第二过孔与所述遮光层相连，所述遮光层作为所述驱动电容的第二极。

可选地，所述第一子段所对应的驱动电容的第二极包括第一子遮光层和第二子遮光层，所述第一子遮光层与所述第二子遮光层沿所述第一方向排列且二者之间具有空隙，所述第二子遮光层比所述第一子遮光层更靠近其所对的第一子段，所述第一子遮光层与所述第二子遮光层仅在与其对应的驱动电容的第一极交叠区域以外的区域连通。

可选地，所述第二子遮光层的沿所述第一方向的宽度比所述第一子遮光层沿所述第一方向的宽度窄。

可选地，所述像素电路还包括与所述驱动电容的第一极电连接的第一像素电极、设置在所述第一像素电极背向所述基底一侧的发光层、设置在所述发光层背向所述基底一侧的第二像素电极。

可选地，所述发光层为有机发光层层或量子点发光层。

根据本发明第二方面，提供一种显示基板的制造方法，包括：提供基底；在所述基底上形成显示功能层，所述显示功能层包括沿相交的第一方向和第二方向排布的多个像素电路、沿所述第二方向延伸的多条数据线，所述像素电路包括驱动电容和驱动晶体管，所述驱动电容的第一极和所述数据线同层设置，所述显示功能层还包括至少一个加强导体结构，每个所述加强导体结构对应一条所述数据线，所述加强导体结构与所述驱动晶体管的栅极同层设置，所述加强导体结构的沿所述第二方向的两端通过第一过孔与对应的数据线电连接，每个所述加强导体结构至少与一个所述驱动电容的第一极相对，所述数据线划分有第一子段和第二子段，所述第一子段的数据线宽度小于所述第二子段的数据线宽度，所述第一子段与所述加强导体结构所对应的所述驱动电容的第一极具有相对区域。

可选地，所述在所述基底上形成显示功能层的步骤包括：在所述基底上形成遮光层；形成覆盖所述遮光层的缓冲层；在所述缓冲层上形成所述驱动晶体管的有源层；在所述有源层上形成栅绝缘层；利用构图工艺在所述栅绝缘层上形成同层设置的所述驱动晶体管的栅极和所述加强导体结构；形成层间绝缘层，其中，形成所述第一过孔；利用构图工艺形成同层设置的所述驱动晶体管的第一极、所述驱动晶体管的第二极、所述驱动电容的第一极、所述数据线。

可选地，在所述形成层间绝缘层的步骤中，还形成暴露所述加强导体结构的凹槽；在所述利用构图工艺形成同层设置的所述驱动晶体管的第一极、所述驱动晶体管的第二极、所述驱动电容的第一极、所述数据线的步骤中，所述第一子段形成在暴漏出的加强导体结构上。

可选地，所述加强导体结构中部空缺设置，所述第一子段仅在其沿所述第二方向的两端部分与对应的加强导体结构的背向所述基底的表面接触。

可选地，在所述基底上形成遮光层的步骤中，所述遮光层包括相连的第一子遮光层和第二子遮光层，所述第一子遮光层与所述第二子遮光层沿所述第一方向排列且二者之间具有空隙，所述第二子遮光层比所述第一子遮光层更靠近其所对的第一子段；在形成所述驱动晶体管的第一极之前，还形成连通至所述第一子遮光层的第二过孔，以使所述驱动晶体管的第一极与所述第一子遮光层相连；在形成所述驱动电容的第一极时，所述驱动电容的第一极与所述第一子遮光层和所述第二子遮光层相连的部分无交叠。

根据本发明第三方面，提供一种显示装置，包括本发明第一方面的显示基板。

附图说明

图1为现有的一种像素电路的电路图；

图2为本发明的实施例的一种显示基板的制造方法的流程图；

图3a-图3d为本发明的实施例的一种显示基板在制造的不同阶段的结构图；

图4为本发明的实施例的一种显示基板中驱动晶体管的截面图；

其中，附图标记为：t0、驱动晶体管；t1、第一开关晶体管；t2、第二开关晶体管；cst、驱动电容；d、发光二极管；vdd、第一电源端；vss、第二电源端；data、数据输入端；g1、第一栅控制信号端；g2、第二栅控制信号端；h1、第一过孔；h2、第二过孔；1、基底；2、遮光层；2a、第一子遮光层；2b、第二子遮光层；3、缓冲层；4、有源层；5、栅绝缘层；61、栅极；62、加强导体结构；7、层间绝缘层；81、驱动电容的第一极；82、驱动晶体管的第一极；83、驱动晶体管的第二极；dl1、第一子段；dl2、第二子段。

具体实施方式

为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细描述。

在本发明中，两结构“同层设置”是指二者是由同一个材料层形成的，故它们在层叠关系上处于相同层中，但并不代表它们与基底间的距离相等，也不代表它们与基底间的其它层结构完全相同。

在本发明中，“构图工艺”是指形成具有特定的图形的结构的步骤，其可为光刻工艺，光刻工艺包括形成材料层、涂布光刻胶、曝光、显影、刻蚀、光刻胶剥离等步骤中的一步或多步；当然，“构图工艺”也可为压印工艺、喷墨打印工艺等其它工艺。

实施例1：

结合图3d和图4，本实施例提供一种显示基板，包括基底1和设置在基底1上的显示功能层，显示功能层包括沿相交的第一方向和第二方向排布的多个像素电路、沿第二方向延伸的多条数据线，像素电路包括驱动电容cst和驱动晶体管t0，驱动电容cst的第一极81和数据线同层设置。

按照各附图的当前视角，以下均以第一方向为行方向，第二方向为列方向进行说明。图3d中仅示出了沿行方向排列的两个像素电路以及沿列方向延伸的一条数据线。该像素电路例如是用于驱动发光二极管d的一极。图3d和图4示出的具体为图1所示像素电路中的部分元件的部分结构。为突出本实施例的发明构思，图3d中并未示出图1所述像素电路的各元件的全部结构。对于未示出的部分，本领域技术人员可根据图1所示等效电路图进行配置。例如，驱动电容cst的第一极81与驱动晶体管t0的第二极83连为一体，驱动晶体管t0的第一极82在图3d中并未特别示出。

特别地，驱动电容cst的第一极81与数据线由同一材料层经构图工艺形成。在图4所示的实施方式中是采用遮光层2兼作为驱动电容cst的第二极。当然，驱动电容cst的第二极也可以是其他层结构构成，例如单独设置一个电极层。

显示功能层还包括至少一个加强导体结构62，每个加强导体结构62对应一条数据线。同一数据线可以对应一个加强导体结构62，也可以对应多个加强导体结构62。加强导体结构62与驱动晶体管t0的栅极61同层设置。具体地，图3d所示的实施方式中由栅线的一段兼作为栅极61。栅极61所在的层结构存在一定空缺的区域，故在栅极61所在层结构中设置加强导体结构62。

加强导体结构62的沿第二方向的两端通过第一过孔h1与对应的数据线电连接，每个加强导体结构62至少与一个驱动电容cst的第一极81相对，数据线划分有第一子段dl1和第二子段dl2，第一子段dl1的数据线宽度小于第二子段dl2的数据线宽度，第一子段dl1与加强导体结构62所对应的驱动电容cst的第一极81具有相对区域。

结合图3d，数据线中有一部分相较于其他部分制作地比较细，从而在行方向上距离与其相对的驱动电容cst的第一极81比较远，从而降低了二者短接的风险。为了对较细的第一子段dl1所造成的较大电阻进行补偿，由加强导体结构62与数据线并联，从而抵消了由于第一子段dl1比较细而造成的数据线电阻过大的影响。

图3d所示的实施方式中，一个加强导体结构62对应了左右两侧的两个驱动电容cst的第一极81。当然，本领域技术人员也可以调整布图的方式，使得一个加强导体结构62在沿第一方向的一侧对应沿第二方向排布的两个驱动电容cst的第一极81，等等。

可选地，第一过孔h1连通至第二子段dl2。即按照图3d所示的实施方式，第一过孔h1正对数据线上较粗的部分。如此，给第一过孔h1形成了充足的位置误差余量。

可选地，第一子段dl1沿第二方向的两个端点分别超出其所对应的驱动电容cst的第一极81的朝向第一子段dl1的边界的沿第二方向的端点。

即从第一子段dl1沿行方向看向驱动电容cst的第一极81，第一子段dl1是完全覆盖驱动电容cst的第一极81的与第一子段dl1相对的边界的。即充分保证驱动电容cst的第一极81远离数据线。

可选地，第二子段dl2与加强导体结构62通过层间绝缘层7隔开，第一子段dl1与加强导体结构62的背向基底1的表面直接接触。如此，第一子段dl1与驱动电容cst的第一极81不仅在第一方向上的距离得到扩大，而且二者在垂直于显示基板方向(即图3d中垂直于纸面的方向)上的距离也是得到扩大的，进一步降低了二者短接的风险。

当然，本领域技术人员也可以设置第一子段dl1与驱动电容cst的第一极81距离基底1的距离相等。如此，有利于第一子段dl1之上结构的平坦化。

可选地，结合图3c和图3d，加强导体结构62中部空缺设置，第一子段dl1仅在其沿第二方向的两端部分与对应的加强导体结构62的背向基底1的表面接触。

这种实施方式下，第一子段dl1与对应的驱动电容cst的第一极81在垂直于基底1方向上的距离达到最大化。

可选地，参照图1、图3b和图4，像素电路还包括遮光层2、设置在遮光层2背向基底1一侧的缓冲层3，驱动晶体管t0设置在缓冲层3背向基底1一侧，驱动晶体管t0的第一极82通过第二过孔h2与遮光层2相连，遮光层2作为驱动电容cst的第二极。

可选地，第一子段dl1所对应的驱动电容cst的第二极包括第一子遮光层2a和第二子遮光层2b，第一子遮光层2a与第二子遮光层2b沿第一方向排列且二者之间具有空隙，第二子遮光层2b比第一子遮光层2a更靠近其所对的第一子段dl1，第一子遮光层2a与第二子遮光层2b仅在与其对应的驱动电容cst的第一极81交叠区域以外的区域连通。

参见图3d，以驱动电容cst的第二极由遮光层2兼任为例，即便出现第一子段dl1与驱动电容cst的第一极81短接的情况，而且在对短接部分进行切割时出现切割位置处驱动电容cst的第一极81与驱动电容cst的第二极之间熔融连接在一起的情况，也能通过将第一子遮光层2a和第二子遮光层2b之间连接部位切断的方式，再次将驱动电容cst的第一极81和驱动电容cst的第二极彼此分开。即可进一步提高产品的良率。

可选地，第二子遮光层2b的沿第一方向的宽度比第一子遮光层2a沿第一方向的宽度窄。即按照图3d当前视角，第二子遮光层2b在左右方向的尺寸更细。这是因为如果需要进行上述修复，驱动电容cst的第二极最终保留的仅是第一子遮光层2a的部分。故需要保留的部分不能过小，从而保证电容值不会缩减多多。

可选地，像素电路还包括与驱动电容cst的第一极81电连接的第一像素电极、设置在第一像素电极背向基底1一侧的发光层、设置在发光层背向基底1一侧的第二像素电极(以上均未示出)。即驱动电容cst或驱动晶体管t0驱动的是发光二极管d结构。

可选地，发光层为有机发光层层或量子点发光层。即该发光二极管d具体为有机发光二极管或者量子点发光二极管。

实施例2：

本实施例提供一种显示基板的制造方法，参见图2并结合图1、图3a-图3d以及图4，该制造方法包括：

步骤s1、提供基底1；

步骤s2、在基底1上形成显示功能层，显示功能层包括沿相交的第一方向和第二方向排布的多个像素电路、沿第二方向延伸的多条数据线，像素电路包括驱动电容cst和驱动晶体管t0，驱动电容cst的第一极81和数据线同层设置，显示功能层还包括至少一个加强导体结构62，每个加强导体结构62对应一条数据线，加强导体结构62与驱动晶体管t0的栅极61同层设置，加强导体结构62的沿第二方向的两端通过第一过孔h1与对应的数据线电连接，每个加强导体结构62至少与一个驱动电容cst的第一极81相对，数据线划分有第一子段dl1和第二子段dl2，第一子段dl1的数据线宽度小于第二子段dl2的数据线宽度，第一子段dl1与加强导体结构62所对应的驱动电容cst的第一极81具有相对区域。

如此，可以制得满足实施例1特征的显示基板。从而降低驱动电容cst的第一极81与数据线短接的风险。

可选地，在基底1上形成显示功能层的步骤包括：

步骤s21、结合图3a和图4，在基底1上形成遮光层2。

步骤s22、结合图3b和图4，形成覆盖遮光层2的缓冲层3。

步骤s23、结合图3b和图4，形成覆盖遮光层2的缓冲层3在缓冲层3上形成驱动晶体管t0的有源层4。按照图3b当前视角，从上到下各有源层4分别对应图1中的第一开关晶体管t1、驱动晶体管t0、第二开关晶体管t2。

步骤s24、在有源层4上形成栅绝缘层5。

步骤s25、利用构图工艺在栅绝缘层5上形成同层设置的驱动晶体管t0的栅极61和加强导体结构62。该步骤完成后的产品形态参照图3b。

步骤s26、结合图3c和图4，形成层间绝缘层7，其中，形成第一过孔h1。

步骤s27、结合体图3d和图4，利用构图工艺形成同层设置的驱动晶体管的第一极82(图3d中未示出)、驱动晶体管的第二极83、驱动电容cst的第一极81、数据线。

可选的实施方式中，在步骤s26、形成层间绝缘层7的步骤中，还形成暴露加强导体结构62的凹槽；在步骤s27、利用构图工艺形成同层设置的驱动晶体管的第一极82、驱动晶体管的第二极83、驱动电容cst的第一极81、数据线的步骤中，第一子段dl1形成在暴漏出的加强导体结构62上。如此，第二子段dl2直接搭接在暴露出的加强导体结构62上。此时，加强导体结构62可以没有空缺的完整片状电极。

可选地，加强导体结构62中部空缺设置，第一子段dl1仅在其沿第二方向的两端部分与对应的加强导体结构62的背向基底1的表面接触。如此，第一子段dl1与对应的驱动电容cst的第一极81在垂直于基底1的方向上的距离进一步得到扩大。

可选地，参照图3a和图4，在基底1上形成遮光层2的步骤中，遮光层2包括相连的第一子遮光层2a和第二子遮光层2b，第一子遮光层2a与第二子遮光层2b沿第一方向排列且二者之间具有空隙，第二子遮光层2b比第一子遮光层2a更靠近其所对的第一子段dl1。在形成驱动晶体管的第一极82之前，还形成连通至第一子遮光层2a的第二过孔h2，以使驱动晶体管的第一极82与第一子遮光层2a相连；在形成驱动电容cst的第一极81时，驱动电容cst的第一极81与第一子遮光层2a和第二子遮光层2b相连的部分无交叠。

如此设置是为了应对驱动电容cst的第一极81与数据线短接，并且在修复时出现驱动电容cst的第一极81与驱动电容cst的第二极(具体是第二子遮光层2b的位置处)短接的不良时，也不会短接至第一子遮光层2a和第二子遮光层2b相连的部分，从而保证了可以通过切断第一子遮光层2a和第二子遮光层2b的相连部分实现驱动电容cst功能的恢复。

实施例3：

本实施例提供一种显示装置，其特征在于，包括根据实施例1的显示基板。

具体的，该显示装置可为量子点发光二极管显示面板、有机发光二极管(oled)显示面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。